• 전력전자학회지
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• 제9권1호
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• pp.20-25
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• 2004

• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제14권4호
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• pp.23-30
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• 2003

본 고에서는 마이크로파 대역에서 우수한 전력특성을 보이는 GaAs HBT를 이용한 광대역 고출력 전력증폭기 설계에 대하여 살펴본다. GaAs HBT의 전력 소자로서의 장점과 설계시 고려해야 할 단위 전력 소자의 설계, 열적 안정성 문제, 바이어스 회로설계, 그리고 광대역 설계 기법에 대하여 간단히 소개한다. 그리고, 본 연구에서 2~6 GHz 광대역 고출력 전력증폭기를 캐스코드(cascode) HBT를 이용하여 설계하였다. 측정 결과, 2 W의 평균 출력 전력, 10 dB의 이득, 24~43 %의 전력 부가 효율을 얻을 수 있었으며, 칩 크기는 $1.6{\times}2.4 mm^2$로서 매우 작았다. 이 결과를 기존에 개발된 GaAs HBT 광대역 고출력 전력증폭기와 비교 분석하였으며, 칩 면적당 대역폭과 출력 전력, 효율이 아주 우수함을 알 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제37회 하계학술대회 초록집
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• pp.277-277
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• 2009

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제36회 동계학술대회 초록집
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• pp.281.1-281.1
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• 2009

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2001년도 제21회 학술발표회 초록집
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• pp.158-158
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• 2001

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2002년도 제22회 학술발표회 초록집
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• pp.175-175
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• 2002

• 한국광물학회지
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• 제21권2호
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• pp.193-200
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• 2008

배연탈황석고 및 인산부산석고에 함유된 부착수분을 마이크로파에 의한 직접 내부 가열 방법으로 증발시켜 건조하고자 하였다. 700 W, 1,000 W, 1,700 W의 출력인 마그네트론에서 발생된 2.45 GHz의 마이크로파로 배연탈황석고와 인산부산석고를 가열한 결과, 마이크로파 출력의 세기를 700 W에서 1,700 W로 높임에 따라 부착수의 증발시간이 10분에서 3분으로 단축되었고, 이수석고는 베타형 반수석고로 변질되었다. 그러나 베타형 반수석고는 무수석고로 변질되지 않았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.161-163
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• 2004

본 논문에서는 마이크로파로 여기 시켜 방전하는 고출력 무전극 HID 황 램프와 다른 발광 물질의 광학적 특성을 설명하고, 특히 원편파를 이용하여 정지된 램프에서 방전시켜 광학적 특성을 측정하였다. 그리고 순수 황에 특정 화합물을 첨가하여 색도를 조절하여 연색성 지수를 순수 황보다 좋게 할 수 있었다.

• 분석과학
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• 제25권5호
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• pp.265-272
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• 2012

기존의 Okamoto cavity를 변형시킨 WR-340 도파관을 사용한 cavity를 제작하고 고출력(2.45 GHz, 2 kW)의 헬륨, 질소 및 아르곤 마이크로파 플라즈마(MIP; Microwave Induced Plasma)를 성공적으로 형성시켰다. 플라즈마 생성의 주요한 요인들은 내부전도체의 직경과 내부전도체와 외부전도체간의 간격, 내부전도체 끝과 토치의 위치 등이 있으며 그 중 헬륨 마이크로파 플라즈마에 대하여 cavity의 디자인을 최적화시키고 그 특성을 조사하였다. ICP(Inductively Coupled Plasma)용 mini 토치와 자체 제작한 나선형흐름토치를 비교 연구한 결과, 헬륨 플라즈마 기체 흐름량은 약 25 L/min~30 L/min로서 서로 비슷하였다. 토치 상단부에 석영관을 덧씌워 공기유입을 막은 결과, 340 nm 근처의 NH분자선들이 없어지거나 감소하였다. 플라즈마의 온도 및 전자밀도를 측정한 결과, 4,350 K의 들뜸 온도와 $3.67{\times}10^{11}/cm^3$의 전자밀도를 얻었다. 이 값들은 기존의 다른 마이크로파 플라즈마와 비슷하거나 약간 작은 값이다. 고출력의 플라즈마로서 수용액을 직접 분석하는 것이 가능하였고 현재 Cl의 검출한계는 116 mg/L 수준으로서 아직 분석적인 최적화가 필요한 단계이다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제15권5호
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• pp.108-115
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• 2016

본 논문에서는 배열 합성 혼 안테나를 설계하고 고출력 마그네트론을 연결하여 방사전력을 측정하였다. 제안된 안테나는 $4{\times}4$ 배열 합성 혼 안테나 특성을 바탕으로 후방 방사를 억제시키기 위해 합성 혼 개구면 상, 하단에 2단 단락구조물을 부착하여 빔폭 E-plane $8.86^{\circ}$, H-plane $7.35^{\circ}$, 전후방비 39.7 dB를 얻었다. 또한 배열된 마그네트론을 이용한 배열 혼 안테나의 방사전력을 측정하기 위하여 도파관 어댑터를 설계하여 마그네트론과 혼 안테나를 연결 시켰고 고출력의 파워를 측정하기 위해 중간단에 에어갭을 넣은 마이크로스트립 라인 커플러를 설계하였다. $4{\times}4$ 배열 합성 혼 안테나의 중앙에 4개의 마그네트론을 연결하여 측정한 결과 평균 방사 출력 0.063 W를 얻었다.