• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권9호
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• pp.930-937
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• 1997

Polycrystalline CdTe thin films have been studied for photovoltaic application because of their high absorption coefficient and optimal band energy(1.45 eV) for solar energy conversion. In this study CdTe thin films were deposited on CdS(chemical bath deposition)/ITO(indium tin oxide) substrate by rf-magnetron sputtering under various conditions. Structural optical and electrical properties are investigated with XRD UV-Visible spectrophotometer SEM and solar simulator respectively. The fabricated CdTe/CdS solar cell exhibited open circuit voltage( $V_{oc}$ ) of 610 mV short circuit current density( $J_{sc}$ ) of 17.2 mA/c $m^2$and conversion efficiency of about 5% at optimal sputtering conditions.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권8호
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• pp.1873-1878
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• 2013

본 연구에서는 RF magnetron sputtering 법으로 상온에서 공정압력 (1~7 mTorr) 을 변화시켜가며 유리기판(Eagle 2000) 위에 ITZO ($In_2O_3$ : $SnO_2$ : ZnO = 90wt.%: 5wt.%: 5wt.%) 박막을 제작하여, 구조적 특성과 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. XRD 와 FESEM 측정을 통해, 공정압력에 무관하게 모든 ITZO 박막이 부드러운 표면의 비정질 구조를 가지고 있음을 확인할 수 있었다. 공정압력 3mTorr 에서 증착한 ITZO 박막이 비저항 $3.08{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$, 가시광 영역에서 평균 투과도 81 % 와 재료평가지수 $10.52{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$ 의 가장 우수한 전기적 및 광학적 특성을 나타내었다.

• 한국진공학회지
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• 제5권2호
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• pp.119-126
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• 1996

The effect of the $O_2$ concentration in the sputtering gas mixture, substate temperature and Ar pressure on the structural and optical properties of 3 mol% YSZ and 8 mol% YSZ thin films deposited by RF magnetron sputtering were investigated . The films were observed to have various crystal structures with different compositions in accordance with the type of the target materials. The size of fine grain-like particles decreased wiht increasing the $O_2$ concentration in the sputtering gas in the case of 3mol% YSZ, while it increased in the case of 8 mol% YSZ . However, the average opticla transmission of 8mol% YSZ, despite of thicker thickness. was higher than that of 3 mol% YSZ. Furthermore, the values of refractive index of 3mol% YSZ increased with increasing the $O_2$ concentration in the sputtering gas on the contrary to those of the 8 mol% YSZ. However, the transmission spectra of 8 mol% YSZ films were not strongly influenced by the substrate temperature and Ar pressure, whereas the refractive index of the YSZ films were strongly affected by the sputtering parameters.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2007년도 동계학술발표회 논문집
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• pp.255-256
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• 2007

• 센서학회지
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• 제15권1호
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• pp.71-75
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• 2006

ITO (Indium Tin Oxide) thin films have been fabricated by rf magnetron sputtering with a target of a mixture $In_{2}O_{3]$(90 wt%) and $SnO_{2}$ (10 wt%). ITO films were sputtered with substrate temperature from 30 to $300^{\circ}C$ and working pressure from 1 to under 0.1 m Torr. ITO thin films surface morphology and electrical properties analyzed by SEM Photographs, and X-ray diffractions patterns. The resistivity of ITO thin films was $1.8{\times}10^{-5}{\Omega}/cm$.

• 한국재료학회지
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• 제6권6호
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• pp.618-625
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• 1996

고주파 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron sputtering)법을 이용하여 자동차유리 성에 제거용 주석첨가 인듐산화물(indium tin oxide;ITO) 투명저항박막의 증착과 그 전기 및 광학 특성을 연구하였다. 기판온도는 A, T.-30$0^{\circ}C$, O2/(Ar+O2)비는 0-0.3로 변화시키며 실험하였다. 기판온도가 높아질수록, 그리고 O2/(Ar+O2)비가 높아질수록 박막의 증착속도는 감소하였다. 또한, 기판온도가 높아질수록 In2O3(400) 방향의 결정성은 감소하고, In2O3(222)와 (400) 피크만이 잔존하였다. 기판온도가 높아질수록 가시광영역의 광투과도는 향상되었고, 면저항은 20$0^{\circ}C$까지는 감소하였으나 20$0^{\circ}C$이상에서는 거의 일정하였으며, 결정립 크기는 온도가 높아질수록 증가하였다. 박막의 면저항은 O2/(Ar+O2)비가 0.1에서는 감소하고, 그 이상에서는 증가하였으며, 광투과도는 O2/(Ar+O2)비에 거의 영향을 받지 않았다.

• 한국표면공학회지
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• 제35권2호
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• pp.113-121
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• 2002

We have investigated insulating properties of $SiO_2$ interlayer for the thin film strain gauge, which were prepared by RF magnetron sputtering method in various deposition conditions, such as Ar pressure, gas flow rates and sputtering gases. SEM, AFM and FT-IR techniques were used to analyze its structures and composition. As the Ar pressure and the flow rate increased, the insulating interlayer showed low insulating resistance due to its porous structure and defects. Oxygen deficiency in $SiO_2$ was decreased as fabricated by hydrogen reactive sputtering. We could enhance the surface mobility of sputtered adatoms by using Ar/$H_2$ sputtering gas and obtain a good surface roughness and insulating property. The optimum insulating resistance of 9.22 G$\Omega$ was obtained in Ar/30% $H_2$ mixed gas, flow rate 10sccm, and 1mTorr.

• 전기전자학회논문지
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• 제25권1호
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• pp.47-52
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• 2021

고주파 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 ~185 nm 두께의 ITO막을 습도 100%에서 열처리하였다. 온도 200 ℃, 250 ℃, 300 ℃, 350 ℃, 400 ℃ 및 450 ℃에서 각각 4시간 동안 열처리하였다. 고습 열처리에 따른 저항률, 전자농도 및 이동도 변화를 조사하였다. XRD결과로 스트레스 변화를 계산하였으며, FESEM 사진을 통해 ITO막의 표면형상을 관찰하였다. 광투과율을 측정한 후 에너지 밴드 갭을 구하였으며, Burnstein-Moss 효과와 비교 및 분석하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권7호
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• pp.1285-1290
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• 2017

본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 두께를 변화시켜가며 유리기판 위에 ITZO 박막을 제작하여 전기적, 광학적, 구조적 특성을 조사하였다. ITZO 박막의 두께가 증가함에 따라 면저항은 현저하게 감소하는 추세를 보였으나, 비저항은 ITZO 박막의 두께와 무관하게 $5.06{\pm}1.23{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$의 거의 일정한 값을 나타내었다. ITZO 박막의 두께가 증가할수록 투과도 곡선이 장파장 쪽으로 이동하였다. 두께 360 nm 인 ITZO 박막의 가시광 영역에서와 P3HT : PCBM 유기물 활성층의 흡수 영역에서의 재료평가지수는 각각 $8.21{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$과 $9.29{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$로 가장 우수한 값을 나타내었다. XRD와 AFM 측정을 통해, 두께에 상관없이 모든 ITZO 박막이 비정질 구조이며 표면 거칠기는 0.309에서 0.540 nm 범위로 매우 부드러운 표면을 가지고 있음을 확인할 수 있었다. 본 연구를 통해 비정질 ITZO 박막이 유기박막 태양전지에 매우 유망한 재료라는 것을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제11권3호
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• pp.197-202
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• 2001

교류구동형 플라즈마 표시소자의 보호막으로 사용되는 MgO의 특성향상을 위하여 기존의 MgO에 양이온이 등전적으로 치환될 수 있는 ZnO를 소량 첨가하여 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 $Mg_{1-x}$Z $n_{x}$O박막을 성장시키고 박막의 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. ZnO농도가 0.5 at%, 1at%인 $Mg_{1-x}$Z $n_{x}$O 박막을 보호막으로 갖는 PDP 테스트 판넬을 제작하고 ZnO의 첨가가 소자의 방전전압과 메모리 이득에 미치는 영향을 살펴보았다. ZnO농도가 0at%, 0.5 at%, 1at%인 $Mg_{1-x}$Z $n_{x}$O 박막의 광투과율은 ZnO 첨가에 따라 변화를 보이지 않으나 유전상수는 다소 증가하는 경향을 보였다. ZnO의 농도가 0.5 at%인 $Mg_{1-x}$Z $n_{x}$O 박막을 보호막으로 갖는 PDP 소자의 방전개시전압과 방전유지 전압이 MgO 박막을 보호막으로 갖는 소자에 비해 20V까지 낮아졌고, 결과적으로 메모리계수는 다소 증가하였다. ZnO농도가 0.5 at%, 1at%인 $Mg_{1-x}$Z $n_{x}$O 박막을 보호막으로 갖는 소자에서 ZHO의 첨가에 비례하여 방전세기 (플라즈마 밀도)가 증가하였다.도)가 증가하였다.도)가 증가하였다.