• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회
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• pp.131-134
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• 2006

ITO/ polytetrafluorethylene (PTFE)/ Tris(8-hydroxyquinolinato Aluminum ($Alq_3$)/ Al 구조에서 정공 주입층 PTFE 의 두께 변화에 따른 유전특성은 HP 4284A precision LCR Meter 를 이용하여 주파수에 따른 임피던스와 위상각, 유전손실, 그리고 캐패시턴스를 측정하였다. 측정 결과 PTFE 의 두께가 증가할수록 임피던스 값은 증가하고, 위상각은 저주파수 영역에서는 두께가 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아지는 것을 확인하였다. 또한, 유전손실($tan{\delta}$)도 저주파수 영역에서는 정공 주입층이 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아졌고, 캐패시턴스는 PTFE 의 두께가 증가함에 따라 작아지고 주파수가 높아질수록 감소함을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 학술대회 및 기술세미나 논문집 디스플레이 광소자
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• pp.52-53
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• 2006

ITO/ polytetrafluorethylene (PTFE)/ Tris(8-hydroxyquinolinato Aluminum ($Alq_3$)/ Al 구조에서 정공 수송층 PTFE의 두께 변화에 따른 유전특성은 HP 4284A precision LCR Meter를 이용하여 주파수에 따른 임피던스와 위상각, 유전손실, 그리고 커패시턴스를 측정하였다. 측정 결과 PTFE의 두께가 증가할수록 임피던스 값은 증가하고, 위상각은 저주파수 영역에서는 두께가 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아지는 것을 확인하였다. 또한, 유전손실도 저주파수 영역에서는 정공 수송층이 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아졌고, 커패시턴스는 PTFE의 두께가 증가함에 따라 작아지고 주파수가 높아질수록 감소함을 확인하였다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2008년도 추계학술발표논문집
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• pp.60-62
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• 2008

본 논문에서는 PCB(Printed Circuit Board) 기판의 내부에 만들어지는 임베디드 캐패시터에서 정전용량 밀도를 높이고 고주파 특성을 향상시키기 위한 방안을 연구하였다. 전극의 형태 및 유전체와의 적층구조를 변형하면서 임베디드 캐패시터의 특성변화를 분석하였으며, 이를 통하여 정전용량 밀도 및 고주파 특성을 개선할 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권3호
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• pp.330-336
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• 1997

1:1 복합 페로스카이트 물질인 La(Mg1/2Ti1/2)O3 and La(Mg1/2Zr1/2)O3의 양이온 규칙 존재와 고주파 유전특성을 x선 회절과 회로망분석기를 사용하여 조사하였다. 기존의 연구에서는 두 물질 모두 양이온 규칙이 없으며 입방정 구조를 갖는다고 보고되었지만, 본 연구에서의 x선 분석에서는 양이온 규칙을 나타내는 초격자회절선과 비입방정 구조를 의미하는 기본회절선의 split이 발견되었다. 고주파 영역에서의 유전율은 La(Mg1/2Ti1/2)O3의 경우 29,La(Mg1/2Zr1/2)O3는 24, 품질계수(Q*f)는 각각 73000, 49000이다. 공진주파수 온도계수는 La(Mg1/2Ti1/2)O3의 경우 - 65ppm/$^{\circ}$C,La(Mg1/2Zr1/2)O3는 -80ppm/$^{\circ}$C로 음의 값을 가진다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권10호
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• pp.10-15
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• 1990

Dielectric rod resonator 방법을 이용하여 고주파 대역에서 낮은 유전 손실을 갖는 유전체의 유전 특성을 측정하는 이론과 실험결과를 보였다. 유전체 시편과 금속 도체판 사이에 존재하는 공기층 효과를 최소화하기 위해 $TE_{011}$ mode 공진 주파수를 이용하였다. 컴퓨터를 사용하여 공진 주파수와 시편 크기, 2-dB 대여폭으로부터 유전 특징을 계산하였다. 측정의 오차 범위는 유전 상수인 경우 ${\pm}3{\%}$ 유전 손실인 경우 ${\pm}12{\%}$ 이내였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 영호남학술대회 논문집
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• pp.257-260
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• 2000

소결온도 및 소결시간의 변화가 ZST세라믹의 유전상수 $\varepsilon_{\tau}$, 품질계수 $Q{\cdot}f$ 및 공진주파수의 온도계수 $\tau_f$에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 소결온도를 $1420^{\circ}C$까지 올렸을 때 공진기 섭동방법으로 1.6GHz에서 측정한 품질계수 Q가 가장 높았으나, 소결밀도 및 유전상수는 오히려 감소하였다. 소결시간의 증가에 따른 품질계수 Q는 $1300^{\circ}C{\sim}1380^{\circ}C$ 온도 범위에서는 소폭 상승하였으며, 소결밀도 및 유전상수는 거의 일정하였다. 공진주파수의 온도계수 $\tau_f$는 소결온도 및 소결시간의 변화에는 거의 의존하지 않았다.

• 전자통신동향분석
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• 제14권5호통권59호
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• pp.28-33
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• 1999

최근 정보사회에 따른 전파수요가 높아지고 있으며 이에 따른 주파수의 요구가 점차 고주파화되고 있고 미개척분야인 밀리미터파의 개발이 중요한 과제로 대두되고 있다. 본 고에서는 밀리미터파 대역 수동부품용 세라믹 유전체 소재에 관한 동향을 서술하였으며, 이 대역에서 세라믹 소재의 유전특성을 측정, 평가하는 여러 방법 중에서 자유공간법을 이용한 기술에 관하여 소개하고자 한다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권8호
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• pp.735-738
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• 2003

고주파용 회로기판으로 사용하는 PTFE 복합체를 woven glass fiber를 사용하여 제조하였다. 유전상수는 PTFE 분산액에 woven glass fiber를 함침하는 횟수 증가에 따라 감소하는 특성을 나타내었으며, 3회 함침 횟수부터는 변화율이 감소하였는데, 이것은 PTFE 미세분말이 woven glass fiber의 기공과 굴곡 사이를 충분히 채우기 때문이다. 또한 함침 횟수 증가에 따라 PTFE의 비율이 증가하면서 유전 상수가 감소하여 회로 기판의 전파 전송속도는 증가하였다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2004년도 춘계학술대회
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• pp.86-88
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• 2004

본 연구에서는 고주파 이동통신 기기용 칩형 세라믹 안테나의 사용을 위한 저유전율 및 저온동시소성이 가능한 CaO-B2O3-SiO2계 유리를 제조하고자 하였다. 제조된 CaO-B2O3-SiO2계 유리는 열분석을 통하여 낮은 연화온도를 갖는 안정한 유리조성을 선정하였다. 유리분말을 이용하여 성형된 샘플은 소결온도에 따른 특성을 조사하였다. 소결온도변화에 따라 유전율(${\epsilon}_r$)은 4-4.5값을 나타냈으며, 유전손실(tan$\delta$)은 <$0.1\%$ 보였으나, 품질계수(Q$\times$f)는 큰 변화폭을 보였다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제42권3호
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• pp.339-345
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• 2014

집성재의 생산성 향상을 위한 고주파 가열 경화기술에 대해 연구하였다. 고주파가 유전체에 가해지면 내부에서 에너지 손실에 의한 발열이 발생한다. 집성재를 구성하는 라미나와 접착제는 유전체이므로 집성재에 고주파를 주사하면 내부에서 발열이 발생한다. 집성재 제조에 이용되는 대부분의 상온 경화형 접착제는 고온에서 빠른 경화가 이루어지므로 고주파 가열 기술을 이용하면 집성재 내부 접착층의 온도를 상승시킴으로써 빠른 경화를 유도할 수 있다. 본 연구에서는 낙엽송재와 phenol-resorcinol-formaldehyde (PRF) 접착제의 유전 특성을 평가하고, 집성재 내부의 접착층의 빠른 경화를 유도하는 고주파 가열 경화 기작을 이론적으로 분석하였다. 연구 결과, 온도상승인자인 PRF 접착제의 상대손실계수가 낙엽송재의 상대손실계수에 비해 높았으나, 온도상승저해인자인 밀도와 비열도 높았다. 그러나 상대손실계수의 비율이 온도상승저해인자의 비율보다 높기 때문에 고주파 가열에 의한 발열량은 접착제에서 더 높을 것으로 예상된다. 이러한 실험 결과를 이용한 이론적 접근을 바탕으로, 접착층이 목표온도까지 상승하기 위한 ISM 영역의 고주파 주파수 별 전기장의 상대 세기를 추정하였다.