• 한국산업보건학회지
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• 제3권1호
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• pp.99-99
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• 1993

혈액 및 생체시료 중 필수원소 혹은 독극성 원소의 극미량상분 정밀측정과 동위원소비율측정에 널리 사용되는 유도결합플라즈마 질량분석기(ICP-MS)의 기본원리를 소개하고 ICP-SM를 이용한 혈액중 낮은 ppb수준의 Cd, Hg 그리고 Pb의 정밀분석법을 소개한다. 혈액은 많은 양의 유기물을 포함하고 있으므로 digestion bomb에 질산과 과산화수소를 넣어 microwave oven에서 고온고압 상태로 분해시켜 많은 용액을 얻어 이 용액을 플라즈마에 주입시켜 분석한다. 그리고 수온은 tin(II) chloride 용액을 환원제로하여 생성시킨 수은원소증기를 membrane liquid-gas separator를 이용하여 뽑아내어 플라즈마에 주입시켜 낮은 ppt 수준의 검출한계를 얻는다. 또한 높은 정밀도와 정확도와 극미량 원소 측정에 사용되는 동위원소 회석법율 소개하고 실제 혈액분석에의 응용방법을 제시한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.158-162
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• 2001

In this report, a new process for patterning of YBaCuO thin films, ICP(inductively coupled plasma) method, is described by comparing with existing wet etching method. Two 100㎛ wide and 2mm long YBaCuO striplines on LaAlO$_3$ substrates have been fabricated using two patterning techniques. And the properties were compared with the critical temperature and the SEM photography. Then, the critical temperatures of two samples were about 88 K, but the cross section of sample using ICP method was shaper than that using the wet etching method. ICP method can be used as a good etching technique process for patterning of YBaCuO superconductor.

• 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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• 한국전산유체공학회 2010년 춘계학술대회논문집
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• pp.562-566
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• 2010

Numerical analysis of 150kW Huels-type arc jet was performed using compressible Navier-Stokes CFD code. To consider chemical reaction by high temperature, the flow was assumed to be chemical equilibrium states. As a turbulence and a radiation model, the two-equation k-epsilon model and the 3-band radiation model were adopted, respectively. Mass flow rate and current density were given as conditions for calculations. In this study, two kinds of mechanisms for injection of air flow wire considered. One is that air is provided by left wall surface and the other is that air is injected from upper wall surface. The pressure, density and temperature contours of two cases were compared and heat transfer rates were estimated. The numerical results of two cases were not much different to each other. However, in real 150KW device, air is injected from upper wall surface with swirl. To calculate more accurately, swirl effect is must be considered.

• 대한기계학회논문집A
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• 제32권11호
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• pp.1016-1021
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• 2008

The development of the first wall whose major function is to withstand high neutron and heat fluxes is a critical path to fusion power. The materials database and the fabrication technology are being developed for design, construction and safety operation of the fusion reactor. The first wall was designed to consist of the plasma facing armor, the heat sink layer and the supporting plates. and Porous materials are of significant interest due to their wide applications in catalysis, separation, lightweight structural materials. In this study, the characteristics of the sintering process of SiC ceramic, $SiC_f$/SiC composite and porous $C_f$/SiC composite have been introduced order to study of the fusion blanket materials and heat-exchange pannel.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.538-538
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• 2012

전북대학교 고온 플라즈마 응용 연구 센터는 교육과학기술부 기초연구사업 중 고가연구장비 구축사업의 일환으로 고부가가치 재료 연구 및 시험생산이 가능한 소재공정용 200kW ICP(RF) 플라즈마 발생장치를 구축하고 있다. 200 kW급 ICP (RF)형 플라즈마 발생장치는 수~수십 um 크기의 금속, 세라믹 등 고융점 원료분말 등을 수~수십 um 크기의 금속, 세라믹 등 고융점 원료 분말을 순간적으로 용해, 기화 및 분해시키고 이들 기화 또는 분해된 증기를 급랭시키는 과정에서 대량으로 초미분($<1{\mu}m$)을 합성하는 RF 플라즈마 분말 합성 시스템으로 시간당 1 kg 이상의 나노 분말의 제조가 가능하도록 설계 제작된 생산 지원용 대형 ICP(RF) 플라즈마 장치이다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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• pp.201-202
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• 2015

최근 Indium Tin Oxide (ITO)를 대체하기 위해 많은 각광을 받고 있는 AgNW 투명전극에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있으나, AgNW의 경우 기존 용액공정을 활용한 분산과 코팅으로 AgNW의 네트워크 형성시 접촉에 대한 문제점으로 전기적으로 균일한 면저항을 얻기 어려운 단점이 잘 알려져 있다. 또한 AgNW의 분산성을 위해 첨가된 절연체인 바인더에 의해 수분에 취악하고 또한 열적으로 매우 불안한 특성을 보여준다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본 연구에서는 플라즈마를 활용하여 AgNW에 존재하는 바인더를 화학적, 물리적으로 효과적으로 제거할 수 있었으며, 이를 통해 환경적, 열적 안정성을 확보할 수 있었다. 더불어 AgNW에 내산화성이 우수한 부가적인 박막을 형성함으로 300도 이상의 고온에서도 안정한 AgNW 투명전극 소재를 개발할 수 있었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.117-117
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• 2014

Thin $ZrO_2/Al_2O_3$ films were deposited on a tool steel substrate using Zr and Al cathodes in a cathodic arc plasma deposition system (CAPD), and then oxidized at $600-900^{\circ}C$ in air for up to 50 h. They effectively suppressed the oxidation of the substrate up to $800^{\circ}C$ by acting as a barrier layer against the outward diffusion of the substrate elements and inward diffusion of oxygen. However, rapid oxidation occurred at $900^{\circ}C$ due mainly to the increased diffusion and subsequent oxidation of steel as well as the crystallization of amorphous $Al_2O__3$.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권11호
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• pp.1301-1307
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• 1995

Pitting corrosion of TiN film deposited on Inconel 600 by plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) was investigated. Cyclic potentiodynamic polarization (CPP) tests were conducted in order to determine the pit nucleation potentials, Enp, of the TiN-deposited sample and the bare Inconel 600 in deaerated NaCl solution at 25, 135 and 20$0^{\circ}C$. The effects of the TiN film thickness, the solution temperature and the Cl- concentration on Enp were studied. Enp of the TiN-deposited sample which had the film thickness above 1${\mu}{\textrm}{m}$ were higher than those of the bare Inconel 600 by 300~600mV at all the solution temperatures, implying the pitting resistance improvement of the TiN film. The morphologies of the pits generated after immersion test were examined with a scaning electron microscopy. The higher was the solution temperature, the more corrosion products, mainly composed of Cr and Ni oxides, were formed.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.485-485
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• 2013

Plasma-assisted molecular beam epitaxy법으로 자가 형성되는 InN 박막을 활용하여 GaN 박막의 결함밀도를 감소시키는 성장 구조 조건에 대하여 연구하였다. Sapphire 기판 위에 저온에서 GaN 핵층을 3 nm 두께로 성장하고, 그 위에 InN 박막을 성장 한 후, 고온에서 GaN을 성장하였다. InN박막의 성장 온도는 $450^{\circ}C$이고, 성장 시간을 30초에서 1분 30초까지 각각 달리 하였다. 실험결과 InN 층이 삽입된 GaN 박막이 상대적으로 고른 표면이 형성되는 과정을 reflection high energy electron diffraction로 관측하였고, atomic force microscope를 측정하여 표면 거칠기의 개선을 확인하였다. InN 성장시간 변화에 따른 결정학적, 광학적 특성 변화를 x-ray diffraction, photoluminescence 이용하여 조사하였고, 본 연구를 통해 InN박막을 활용한 양질의 GaN 박막 성장 가능성을 확인하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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• pp.107-107
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• 2016

TiCrAlSiN films were developed in order to improve the high-temperature oxidation resistance, corrosion resistance, and mechanical properties of conventional TiN films that are widely used as hard films to protect and increase the lifetime and performance of cutting tools or die molds. In this study, a nano-multilayered TiAlCrSiN film was deposited by cathodic arc plasma deposition. It displayed relatively good oxidation resistance at $700-900^{\circ}C$, owing to the formation protective oxides of $Al_2O_3$, $Cr_2O_3$, and $SiO_2$, and semiprotective $TiO_2$. At $1000^{\circ}C$, the increased temperature led to the formation of the imperfect oxide scale that consisted primarily of the outer ($TiO_2$,$Al_2O_3$)-mixed scale and inner ($TiO_2$, $Al_2O_3$, $Cr_2O_3$)-mixed scale.