Park, Jeong-Eun;Myeong, Ju-Yeon;Kim, Dae-Guk;Kim, Jin-Seon;Sin, Jeong-Uk;Gang, Sang-Sik;Nam, Sang-Hui
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.372-372
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2014
반도체 검출기는 입사되는 X선 에너지에 의하여 이온화되어 발생하는 전자 전공쌍을 수집함으로 방사선 정보를 확인하는 선량계로써 많은 연구와 활용이 이루어지고 있다. 하지만, X선 에너지에 의하여 반도체 검출기에서 발생하는 전기적 신호량이 높지 않기 때문에 누설 전류의 저감이 필수적이다. 누설 전류를 저감시키기 위한 방안으로 반도체 층과 전극 층의 Schottky Contact 구조의 설계, Insulating Layer의 사용, 높은 비저항의 반도체 물질 연구 등이 이루어지고 있다. 하지만, 기존에 누설 전류 저감을 위하여 Insulating Layer를 전극층과 반도체 층 사이에 형성하는 연구에 있어서 Insulating Layer와 반도체 층의 계면 사이에서 발생하는 Charge Trapping으로 인하여 생성되는 신호의 Reproducibility 저하, 동영상 적용의 제한 등의 문제점을 겪어왔다. 이에 본 논문에서는 누설 전류를 저감시킴과 동시에 Charge Trapping의 최소화를 이루기 위하여 Insulating Layer의 두께 최적화 연구를 수행하였다. 본 연구에서 사용한 Insulating Layer는 검출기 표면에 입사하는 X선 정보 손실을 최소화 시키는 동시에 누설 전류와 Charge Trapping을 최소화 시키는 방법으로써 CVD방법으로 검출기 표면에 균일하게 Insulating Layer를 코팅하였다. Insulating 물질은 Parylene을 사용하였으며, 그 중 온도, 습도 등 외부환경에 영향을 적게 받는 type C를 사용하였다. 증착에 사용한 장비의 진공도는 Torr로 설정하여 증착되는 Parylene의 두께가 약 $0.3{\mu}m$가 되게 하였으며, 실험에는 반도체 물질 PbO를 사용하였다. Parylene의 절연 특성은 Dark Current와 Sensitivity를 측정한 SNR을 이용하여 Parylene코팅이 되지 않은 동일 반도체 검출기와의 신호를 비교하였으며 또한 Parylene를 다층 제작한 검출기의 수집 신호량을 비교하였다. 제작한 검출기의 X선 조사 시의 수집 전하량 측정 결과, 100 kVp, 100mA, 0.03s의 X선 조건에서 $1V/{\mu}m$의 기준 시, Parylene를 코팅하지 않은 PbO 검출기의 Dark current는 0.0501 nA/cm2, Sensitivity는 0.6422 nC/mR-cm2, SNR은 12.184이었으며, Parylene단층의 두께인 $0.3{\mu}m$로 증착된 시편의 Dark current는 0.04097 nA/cm2, Sensitivity는 0.53732 nC/mR-cm2으로 Dark current가 감소되고 sensitivity도 감소하였지만 SNR은 13.1150으로 높아진 것을 확인할 수 있었다. Perylene이 $0.6{\mu}m$로 증착된 시편의 경우, Dark Current는 0.04064 nA/cm2, Sensitivity는 0.31473 nC/mR-cm2, SNR은 7.7443으로써 Insulating Layer가 없는 시편보다 SNR이 약 40% 낮아진 것을 확인할 수 있었다. Parylene이 $0.9{\mu}m$로 증착된 시편의 경우 Dark current는 0.0378 nA/cm2, Sensitivity 0.0461 nC/mR-cm2로 Insulating Layer가 없는 시편에 비해 SNR은 약 1/12배 감소한 1.2196이었고, Parylene이 $1.2{\mu}m$로 증착된 시편의 SNR은 1.1252로서 더 감소하였다. 따라서 Parylene을 다층 코팅한 검출기일수록 절연 효과의 영향이 커짐으로써 SNR 비교 시 수집되는 신호량이 줄어드는 것을 확인하였다. 반도체 검출기의 누설 전류를 저감시킴과 동시에 신호 수집율에 영향을 최소화시키기 위하여 Insulating Layer의 두께를 적절하게 설정하여 적용하면 Insulating Layer가 없는 검출기에 비해 누설전류를 최소한으로 줄일 수 있고 신호 검출효율이 감소하는 것을 방지할 수 있을 것이라 사료된다.
Thermal properties of Fe- base amorpous alloys were investigated. $Fe_{80}P_6C_{12}B_{12}$ and $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ amorphous alloys were fabricated by melt spinning method and thermal analysis was done by differential scanning calorimeter. After isothermal crystallization. the Avrami exponents of $Fe_{80}P_6C_{12}B_{12}$ and $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ amorphous alloys were 1.8-2.2 and 2.5-4.0, respectively. It means the former alloy shows diffusion controlled growth and the latter one shows interface controlled growth. For $Fe_{80}P_6C_{12}B_{12}$ and $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ amorphous alloys. the activation energies of isothermal crystallization was 353 and 371kJlmol. Also the activation energies of nucleation and growth were 301, 324kJlmol and 273. 30lkJ/mol, respectively. Thus $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ amorphous alloy is considered to be more stable than $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ amorphous alloy.
Ultrafine powders of $\textrm{In}_{2}\textrm{O}_{3}$-doped $\textrm{SnO}_{2}$ were synthesized by a coprecipitation method and the effects of pH value and the amount of In2Q addition on particle size were investigated. The influence of pH value on particle size could be negligible, whereas the amount of $\textrm{In}_{2}\textrm{O}_{3}$ has influenced on particle size and specific surface area. The gas sensitivity to hydrocarbOn($\textrm{C}_{3}\textrm{H}_{8}$, $\textrm{C}_{4}\textrm{H}_{10}$) increased with $\textrm{In}_{2}\textrm{O}_{3}$ addition and reached a maximum at 3wt.% addition. From the results of impedance analysis and I-V characteristics. it was showed that the agglomeration structure of particles and the boundaries between agglomerates were the important factors to determine the gas sensing mechanism.
Ku, Sun Gyo;Kim, Yu Shin;Hong, Young Eun;Kim, Dong Won;Kim, Ki Sung;Kim, Youn Cheol
Applied Chemistry for Engineering
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v.28
no.1
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pp.73-79
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2017
Maleic anhydride (MAH) grafted polypropylene (PP-g-MAH) copolymers were prepared by changing MAH and styrene monomer (SM) content, using a twin screw extruder at $190^{\circ}C$. The grafting degree was measured by non-aqueous back titration method. The grafting degree of PP-g-MAH-SM copolymer was higher than that of PP-g-MAH at the same MAH content. PP-g-MAH-SM/kenaf fiber (KF) composites were also prepared by using a PP-g-MAH as a matrix at $200^{\circ}C$ and the KF content was fixed at 20 wt%. Based on the degradation temperature investigated by TGA, the thermal stability of PP-g-MAH-SM/KF composites was more enhanced than that of PP-g-MAH only. Mechanical properties of the composites were also improved when MAH and SM applied together. The adhesion degree between the copolymer and KF was confirmed by both SEM pictures of the fractured surface and contact angles.
An investigation was carried out to study the characteristics of lipoxygenase in dioctyl sulfosuccinate (aerosol-OT, AOT)/isooctane revered micelles of microaqueous system containing infinitesimal water. ${\alpha}-Linoleic$ acid as a substrate could be analyzed by the colorimetric methodology using 5%(w/v) cupric acetate-pyridine solution and the activity of lipoxygenase was able to be assayed by the degree of ${\alpha}-linoleic$ acid consumption per minute. Optimal pH, temperature, and R-value ([water]/[AOT]) were determined as the value of 5.0, $25^{\circ}C$, and 10.0, respectively. Kinetic analysis of the enzyme reaction under the optimal conditions showed that the values of $K_m$ and $V_{max}$ were 0.31 mM of ${\alpha}-linoleic$ acid and $384.16{\mu}mol$ of ${\alpha}-linoleic$ acid decomposed/min, respectively. The results indicate the reaction to be lipoxygenase-catalyzed oxidation of ${\alpha}-linoleic$ acid in AOT/isooctane reversed micellar system. The inhibitory effect of natural antioxidants on lipoxygenase showed little inhibitory effect of L-ascrobic acid while ${\alpha}-tocopherol$ showed 72% of inhibitory effect.
For heat exchanger applications, 2-ply clad materials were fabricated by rolling of aluminum (Al) and mild steel sheets. Effects of annealing temperature on interface properties, especially on inter-layer formation and softening of strain hardened mild-steel, for Al/mild steel clad materials, were investigated. To obtain optimum annealing conditions for the Al/mild steel clad materials, annealing temperature was varied from room temperature to $600^{\circ}C$. At the annealing temperature about $450^{\circ}C$, an inter-layer was formed in an island-shape at the interface of the Al/mild steel clad materials; this island expanded along the interface at higher temperature. By analyzing the X-ray diffraction (XRD) peaks and the energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) results, it was determined that the exact chemical stoichiometry for the inter-layer was that of $Fe_2Al_5$. In some samples, an X-layer was formed between the Al and the inter-layer of $Fe_2Al_5$ at high annealing temperature of around $550^{\circ}C$. The existence of an X-layer enhanced the growth of the inter-layer, which resulted in the delamination of the Al/mild-steel clad materials. Hardness tests were also performed to examine the influence of the annealing temperature on the cold deformability, which is a very important property for the deep drawing process of clad materials. The hardness value of mild steel gradually decreased with increasing annealing temperature. Especially, the value of hardness sharply decreased in the temperature range between $525^{\circ}C$ and $550^{\circ}C$. From these results, we can conclude that the optimum annealing temperature is around $550^{\circ}C$ under condition of there being no X-layer creation.
Self-alignment gatc Schottky contact structure on Si- implanted GaAs was formed by plasma enhanced chemical vapor dcposirion. Tungsten nitride thin films (ahclut 1600$\AA$) \vcre dopositcd on GaAs at $350^{\circ}C$ in order to fahricarc GaAs 1Cs and ttwn rapidly annealed at $750^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$. Thermal charac tcristics of PECVD)-$W_{67}N_{43}$/GaAs structure were investigated by X-ray diffraction, photolumintesccnce. and optical deep level transient specrroscopy. Results revealed that $W_{67}N_{33}$ gate was more thermally sta ble with GaAs substrate than W gate and Si atoms implanted In $W_{67}N_{33}$/GaAs structure became morr active than those In W/GaAs after annealing. I-V characteristics of $W_{67}N_{33}$/GaAs diod c exhibired a nearly ideal diode behavior. The termal stability of $W_{67}N_{33}$/GaAs diode was better than that of W/GaAs diode with the post annealing at temperatures from 800 to $900^{\circ}C$ for 20s without As overpressure.
Isothermal vapor liquid equilibria for the binary system of 3-methylpentane with ethylene glycol monopropyl ether ($C_3E_1$) and ethylene glycol isopropyl ether ($iC_3E_1$) were measured at 303.15, 318.15, and 333.15K. In our previous work, phase equilibria for the binary system of $C_3E_1$ mixtures were investigated according to the chain length of alkane, alcohol or those isomer. But in this study, we discussed the different effect of $C_3E_1$ and its isomer, $iC_3E_1$, on the phase equilibria. The measured systems were correlated with a Peng-Robinson equation of state (PR EOS) combined with Wong-Sandler mixing rule for the vapor phase, and NRTL, UNIQUAC, and Wilson activity coefficient models for the liquid phase. All the measured systems showed good agreement with the correlation results. And it was found that the phase equilibria showed very little difference between the $iC_3E_1$ mixture system and the $C_3E_1$ mixture system.
Mechanical properties and their adhesion behavior with zinc- and brass-plated steel cords of natural rubber/acrylonitrile-butadiene blend compounds were investigated as a function of blend ratio. The Mooney viscosity and stress relaxation time were found to be lowered with increasing NBR content. Tensile modulus generally increased with increasing NBR content. Tensile stress at break stayed constant up to about 40 phr and showed minimum at $50{\sim}60 phr$, and thereafter increased with increasing NBR content. Strain at break decreased linearly below 50 phr, and above the level it showed nearly constant value. Based on the abrupt drops in elastic modulus and tan ${\delta}$ peak, the glass transition temperature of NR and NBR were found to be -55 and $-10^{\circ}C$, respectively. In the case of NR/NBR blend compounds, two distinct transition points were observed and each transition position was not affected by NBR level indicating an incompatible nature of NR/NBR blend system. The pullout force and rubber coverage decreased to the level of about 40% to that of pure m compound, when the 50 phr of NR was replaced by NBR. However, the pure NBR compound showed the comparable adhesion performance with NR(${\sim}90%$). The sulfur concentration was found to become lower with the increased NBR content at the adhesion interface based on the Auger spectrometer results, representing a lack of adhesion layer formation, and this was explained for a possible cause of low adhesion performance with adding NBR.
Polymer blends were prepared by solution blending poly(amic acid) (PAA) and poly(o-hydroxy amide) (PHA) having imide groups in the main chain. The polymers and their blends were characterized by using FTIR, FT NMR, DSC, TGA, SEM, XRD, UTM, and LOI. The solubility study revealed that the blends were readily soluble in aprotic solvents such as DMF, DMAc, DMSO, and NMP. The maximum weight loss of the blends occurred in the range of $578-645^{\circ}C$, and the maximum weight loss temperature increased with increasing the PHA content. The PBO/PI blends showed relatively high char yields (i.e. 56-69 wt%). The LOI values of the blends were in the range of 24.5-28.1% and increased with increasing the PHA content. The initial modulus and tensile strength of the blends increased by 57 to 121% and by 67 to 107%, respectively, compared to the values of PAA. Especially the initial modulus and tensile strength of the PHA/PAA=2/8(wt/wt) showed the highest values of 4.87 GPa and 108 MPa, respectively. The PHA domains of $0.03-0.1{\mu}m$ in their size were more or less uniformly dispersed. The interfacial adhesion between PAA and PHA was found to be good.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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