OTFT소자는 각 박막계면간의 접촉성에 따라 그 성능이 좌우 된다는 것은 널리 알려진 사실이다. 즉 박막계면간의 접촉성 저하는 계면간의 결함을 형성하여 OTFT소자 성능을 저하시킨다. 이러한 결함을 고품질의 자기조립단분자막을 제작함으로써 박막계면간 결함을 최소화 할 수 있다. 이러한 고품질의 자기조립단분자막 형성은 박막계면간의 결함을 최소화 하기때문에 고성능OTFT소자 제작시 박막계면간 접촉성 향상에 효율적으로 적용할 수 있을것이다. 이 논문에서는 계면간의 접촉성 향상을 위해 실리콘 웨이퍼 위에 3-Aminoproplytriethoxtsilane과 용매인 무수톨루엔을 이용하여 고품질의 자기조립단분자막을 제작 하였으며 고품질을 자기조립단분자막 성장 조건을 찾기 위해 엄격한 수분조절 및 APS농도, 담근시간, 온도를 조절하여 각기 다른 조건의 샘플을 제작하였다. 또한 APS성장 분포를 알기위하여 접촉각 측정기를 이용하여 접촉각을 측정 하였고 AFM 이용하여 실리콘 웨이퍼에 생성된 박막의 균질도를 측정하였다. 그 결과 APS농도(33%) 24시간 $25^{\circ}C$, APS농도(33%) 24시간 $70^{\circ}C$, APS농도(33%) 72시간 $25^{\circ}C$, APS농도 (33%) 72시간 $70^{\circ}C$ 샘플이 기존에 알려진 APS 접촉각인 $19^{\circ}C{\sim}21^{\circ}C$ 접촉각이 나왔으며 AFM 이미지 또한 높은 균질도를 보였다. 이 결과 고품질의 APS단분자막은 농도와 시간 그리고 온도에 영향은 받으며 이렇게 완성된 단분자막은 높은 균질도를 가지게 된다. 현재 실험을 통해 얻어진 고품질의 자기조립단분자막 성장 조건을 이용하여 OTFT소자 제작하고 있으며 고품질의 자기조립단분자막 형성에 의해 결함을 최소화 하므로써 박막계면간 옴성결합을 형성하여 OTFT소자의 성능 향상이 기대되어 진다.
분자선 증착법(Molecular Beam Epitaxy)에 의하여 성장시킨 고농도 InGaAs layer에서 성장중지법이 계면 거칠기에 미치는 영향이 연구되었다. 계면을 평활화하기 위하여 단원자층의 GaAs 또는 AIAs를 InGaAs alyer 양쪽 계면에 증착한 뒤 뒤이어 성장중지를 실시하였다. Photoluminescence(PL) 측정에 의하면, 단원자 GaAs층 증착을 통한 평활화법보다 상당히 향상된 계면조건을 보여졌다. 고 분해능 단면 전자현미경법(Cross-section high resolution transmission electron microscopy, XHRTEM)에 의해 관찰되어진바, 계면 평활화법에 의해 계면의 평활성, 연속성 및 결정결함 밀도등에서 현저한 향상이 얻어졌다.
소성이 높은 고함수비를 갖는 준설점토에 대한 침강 및 자중압밀 특성에 대한 연구는 국내외에서 활발하게 진행되고 있는 반면, 비소성 준설토에 대한 침강, 퇴적 특성에 대한 연구는 국내뿐만 아니라 국외에서도 거의 진행되지 않고 있는 실정이다. 일반적으로 비소성 준설토는 침강 및 퇴적 단계에서 고소성의 준설점토와 다른 거동 특성을 나타낸다. 본 논문에서는 비소성 준설토에 대한 실내 침강압밀실험을 실시하여 비소성 준설토의 퇴적 및 침강 현상을 제시하였다. 또한 퇴적고 관찰이 이루어진 준설토에 대한 퇴적특성 분석을 통하여 계면고 관찰이 이루어진 준설토에 대한 퇴적 현상을 해석하였으며, 이를 통하여 비소성 준설토에 대한 침강 및 퇴적 거동을 예측하였다. 또한 초기 및 최종 퇴적고에 대한 상관관계, 최종 퇴적고 및 최종 계면고에 대한 상관관계 분석을 통하여 비소성 준설토의 거동 특성을 분석하였다.
비공정조성 공정복합재료의 일방향응고시 나타나는 액상내의 자연대류가 응고후 공정복합재료의 조성에 미치는 영향을 조사하였다. 이를 위해 Al-Cu합금을 선택하여 액상내에서 발생되는 애류의 형태를 변화시키기 위하여 상향 및 하향 일방향응고를 실시하여 각 응고조건에 따른 공정복합재료의 Cu 용질농도를 측정하였으며, 일방향응고 중에 급냉응고하여 고액계면 전방의 용질농도분포와 열분석을 통해 온도분포를 실측하였다. 그 결과로 비공정조성 공정복합재료의 일방향응고시 나타나는 대류는 공정복합재료의 용질편석에 커다란 영향을 주었으며, 고액계면 전방에서 thermal convection과 solutal convection이 모두 발생하는 하향 일방향응고된 아공정 Al-Cu합금에서 용질편석이 가장 크게 나타났다. 과공정 Al-Cu합금에서 상향 일방향응고한 경우가 하향 일방향응고한 경우보다도 용질편석이 증가한 것으로 나타났다. 이것은 본 연구조건에서는 solutal convection이 thermal convection보다 용질편석에 더 커다란 영향을 주는 것으로 생각되었다. 공정복합조직으로 성장시 고액계면은 평활계면으로 성장하였으며, 고액계면에서 액상 쪽의 용질농도는 아공정이나 과공정합금에 관계없이 공정조성의 용질농도를 가지며, 고액계면에서의 온도는 커다란 과냉도 없이 거의 공정온도 부근이었다.
고농축에멀션중합방법을 이용하여 친수성-친유성 고분자복합소재를 합성하였다. w/o 형태의 고농축에멀션의 연속상은 styrene이며, 분산상은 수용성 acrylamide용액으로 분산상의 부피분율이 0.74 이상이다. 중합온도에서 에멀션의 안정성에 미치는 주요 요인들로는 친유성액체와 친수성액체의 물리화학적 특성인 극성, pH, 이온세기 및 계면활성제의 종류와 농도가 있다. 친유성액체와 친수성액체 사이의 계면장력이나 친수성액체와 계면활성제 수용액사이의 계면장력에 있어 계면장력의 값이 큰 경우는 높은 에멀션의 안정성을 나타낸다. 계면활성제의 HLB가 3.0~9.0 경우와 계면활성제의 농도가 CMC가 이상에서 에멀션이 높은 안정성을 나타낸다. 전자현미경을 이용한 조사에 의하며 복합재료는 분산상의 Poly acrylamide입자가 망상구조의 얇은 polystyrene필림에 의해 분리된 구조로 이루어져 있음을 보여주고 있다. 고농축에멀션에서부터합성된 고분자복합재료막은 물-에탄온 혼합물에서 물에 대해서 높은 선택성을 나타내었으며, 또 에탄올의 농도가 증가할수록 막의 선택도는 증가하였으나 투과속도는 감소함을 나타내었다.
열교환법을 활용한 사파이어 단결정 성장 공정에서 도가니 형상 변화가 결정 온도와 고/액 계면 형태에 미치는 영향에 관해 고찰하기 위해 유한요소법, implicit Euler법, frontal 해석 연산을 활용한 수치해석을 수행하였다. 개발된 컴퓨터 시뮬레이션 기법은 고/액 계면의 형상이 반구 형상에서 평면 형상으로 전환되는 열전달 현상 해석에 효율적이다. 본 연구에서는 고/액 계면의 휨도를 개선하기 위해, 도가니 밑면의 다양한 형상을 고려하였으며, 도가니 형상은 공정 최적화 변수로 고려되어야 한다.
80 MPa급 고강도 콘크리트가 강거더의 압축 플랜지로 대체하는 아중합성 거더의 경우, 플랜지와 케이싱 및 케이싱과 바닥판 2개의 접합부 계면이 형성되는데 각 계면의 수평 전단 저항능력은 구조물의 안전성에 있어 중요한 요소이다. 본 연구는 계면 상세를 달리한 6개의 실험체를 도로교설계기준(한계상태설계법)에 따라 설계 및 제작하여 이중합성 보의 휨 파괴 대비 수평 전단에 대한 구조 성능 실험을 수행하였다. 실험체의 주요변수로 스터드 전단연결재의 저항계수, 바닥판 콘크리트 및 철근의 재료저항계수, 콘크리트 인장강도에 따른 부착계수, 케이싱 콘크리트의 표면 상태 그리고 수평전단철근의 간격을 고려하였다. 실험 결과, 강재 상부 플랜지와 고강도 케이싱의 계면이 고강도 케이싱과 바닥판 계면 보다 결합성이 큰 것으로 나타났다. 그리고 고강도 케이싱과 바닥판 계면에서는 케이싱 표면에 요철 또는 거칠기를 주는 것 보다 보수적으로 수평전단철근을 배근하는 것이 소성영역까지 합성 거동을 유지하는 것으로 나타났다.
유기태양전지는 간단한 제작 공정과 저비용 제작이 가능하고 플렉서블 소자를 제작할 수 있는 장점을 가지고 있어서 많은 연구자들이 관심을 가지고 있다. 하지만 현재 유기태양전지의 효율은 낮기 때문에 실리콘 기반이나 화합물 기반의 태양전지에 비해서 효율이 낮은 단점을 가지고 있다. 유기태양전지의 효율을 높이기 위한 다양한 연구들이 활발하게 진행되고 있다. 특히 나노구조를 가지는 광활성층을 사용하여 제작된 고효율 유기태양전지에 대한 연구가 이루어지고 있다. 나노구조를 가지는 유기태양전지는 생성된 엑시톤을 분리시킬 수 있는 계면이 넓어지기 때문에 전하 분리 효율을 높아지게 되고, 고효율의 유기태양전지를 제작할 수 있게 된다. 또한, 넓은 광흡수 스펙트럼을 가지는 양자점을 활용하는 연구도 함께 진행되고 있다. 양자점을 사용하여 유기태양전지의 효율을 높이는 실험이 진행되고 있지만, 실제 효율을 높이는데 많은 어려움을 가지고 있다. 본 연구에서는 고분자점과 양자점이 결합한 나노복합체를 사용하여 요철 구조를 가진 광활성층을 사용한 유기태양전지를 제작하였다. 고분자점과 양자점이 결합한 나노복합체는 물질에 비해서 넓은 광흡수 영역을 가져서 생성된 엑시톤의 양을 늘리는 역할을 한다. 고분자점과 양자점이 결합한 나노복합체로 만든 요철 구조는 평면구조로 제작한 요철 구조에 비해서 계면에서 균일한 적층이 가능한 나노구조가 제작되기 때문에, 계면에서 일어나는 전하 손실을 줄일 수 있다. 고분자점과 양자점이 결합한 나노복합체로 제작된 요철 구조를 사용한 유기태양전지가 기본 소자에 비해서 상당한 효율 향상을 확인하였다. 양자점을 포함한 나노복합체로 제작된 유기 태양전지의 효율증진 메커니즘을 논한다.
Stress에 잘 견딜 수 있는 metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET)의 매우 얇고(10mm 이하) 고신뢰성을 갖는 게이트 절연막을 개발하기 위해서 급속열처리법을 이용하여 제조한 재산화질화산화막의 특성에 관하여 연구하였다. AES 분석에 의하여 8nm 두께의 초기산화막을 질화시킬 때 산화막의 계면이 우선적으로 질화가 일어났으며, 질화된 막을 재산화시킬 때 표면과 계면의 [N]가 감소하였다. 또한 재산화시킬 경우 두께가 약간 증가함을 보였으며, 질화가 강하게 될수록 두께 증가는 크지 않았다. 전기적 특성으로써 I-V 특성과 고주파(1MHz) C-V 특성, 정전류 stress 후의 고주파 C-V 특성 변화 들을 조사한 결과 $950^{\circ}C$ 60초 동안 질화시킨 재산화질화산화막($ONO_L막$) 은 정전류 stress에 대하여 flat band 전압 변화에 계면 상태 밀도(interface state density)변화가 적고, 절연파괴전압(breakdown voltage)특성 등이 우수하게 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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