• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.19 no.4
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• pp.133-137
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• 2009

$MnGeP_2$ thin films grown on GaAs exhibit room-temperature ferromagnetism with $T_C{\sim}$320 K, based on both magnetization and resistance measurements. The coercive fields at 5, 250, and 300 K are 3870, 1380 and 155 Oe, respectively. The anomalous Hall effect was observed, indicating spin polarization of the carriers. Hysteresis has been observed in both magnetoresistance and Hall measurements. The current-voltage characteristics of a $MnGeP_2$ film grown on an n-type GaAs substrate display semiconducting behavior.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.21 no.1
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• pp.10-14
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• 2011

We have measured the ferromagnetic resonance (FMR) signal in as deposited and $400^{\circ}C$ annealed CoFeB/MgO thin film to investigate the annealing effect on magnetic anisotropies and FMR linewidth (${\Delta}H_{PP}$). The uniaxial anisotropy field ($H_{K1}$) was only observed in the as deposited sample. Whereas, in the $400^{\circ}C$ annealed sample, the biaxial anisotropy field ($H_{K2}$) was additionally observed in accompany with uniaxial anisotropy field ($H_{K1}$). The appearance of biaxial anisotropy fields was originated from the crystalline growth of bcc CoFeB(001) from the MgO(001) interface and by the B diffusion during thermal annealing. Also, the ${\Delta}H_{PP}$ of $400^{\circ}C$ annealed sample was increased compared with that of as deposited sample, which was due to the broad distribution of the magnetization axis by the biaxial anisotropy.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.221-221
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• 2003

본 연구에서는 스핀밸브 다층박막에서 교환 바이어스에 영향을 끼치는 요인 중 하나인 강자성층과 반강자성층사이의 접합 계면에서의 표면 거칠기 [1,2]를 줄이기 위해 현재 반도체 공정에 사용되고 있는 이온빔 에칭 장비를 사용하여 스핀 밸브 다층박막의 씨앗층 에칭에 따른 교환 바이어스를 알아보고자 하였다. 스핀밸브 구조는 강자성층/비자성층/강자성층의 기본구조를 갖는데 이중 하나의 강자성층의 스핀방향이 반강자성층에 의해 고정되는 구조[3]로써 이러한 고정 효과를 교환 바이어스(exchange bias)라 부른다. 교환 바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 나타나는 현상으로 이러한 교환 바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기 메모리소자에 응용되어 기존의 자기저항 소자의 특성을 크게 향상시킬 수 있게 되었다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.16 no.1
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• pp.34-39
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• 2006

Pure and Fe-doped CuO thin-film and powder samples were prepared using a sol-gel method. Undoped CuO films exhibited monoclinic structure and p-type electrical conductivity $(\~10^{-2}\;{\Omega^{-1}\;cm^{-1}$ due to copper deficiency. On the other hand, CuO: Fe films were found to be insulating and Li doping on the films led to a restoration of p-type conductivity and a ferromagnetic hysteresis behaviour at room temperature. The observed properties far the CuO : Fe, Li films can be explained in terms of hole creation by substitution of $Li^+$ for $Cu^{2+}$ sites and mediation of long-range interactions between $Fe^{3+}$ ions by the $Li^+$-induced defect states. CuO: Fe powders exhibited a ferromagnetism at room temperature with its strength being dependent on post-annealing temperature. Mossbauer measurements on the CuO: Fe films and powders revealed that the octahedral $Cu^{2+}$ sites are mostly substituted by $Fe^{3+}$ ions.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2015.05a
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• pp.110-110
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• 2015

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2010.06a
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• pp.99-100
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• 2010

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2000.09a
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• pp.570-571
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• 2000

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2014.11a
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• pp.129-129
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• 2014

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.36 no.3
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• pp.293-300
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• 1999

고주파 마그네트론 스퍼터법을 이용한 YIG(yttrium iron garnet)박막 제조시 기판유형, 기판온도, 스퍼터전력, 스퍼터가스 등의 증착변수와 증착후 열처리 조건이 YIG 박막의 결정성, 화학조성, 미세구조 그리고 자기적 특성에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다. 75$0^{\circ}C$ 이상의 온도에서 수행한 증착후 열처리에 의하여 비정질 박막이 결정화되었으며, 특히 GGG(gadolinium gallium garnet)기판 위에 제조된 박막은 강한 (111)우선배향성을 나타냈다. 박막조성은 스퍼터가스 내의 산소분율에 민감하게 영향을 받았으며, 산소분율이 20%인 스퍼터가스를 사용하여 제조된 박막은 Y2.88Fe3.84O12의 조성을 나타내었다. 증착후 열처리 온도가 90$0^{\circ}C$로부터 110$0^{\circ}C$로 증가함에 따라, GGG 기판위의 박막의 표면거칠기는 2.5nm에서 40nm로 증가하였으며, 보자력과 강자성 공명 선폭은 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2017.05a
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• pp.127-127
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• 2017