• 전자공학회논문지A
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• 제31A권8호
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• pp.80-90
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• 1994

The ultra shallow junction was formed by 2-step RTP. Phosphorus solid source(P$_{2}O_{5}$) was transfered on wafer surface during RTG(Rapid Thermal Glass Transfer) of which process condition was 80$0^{\circ}C$ and 60sec. The process temperature and time of the RTD(Rapid Thermal Diffusion) were 950~105$0^{\circ}C$ during 5~15sec respectively sheet resistances were measured as 175~320$\Omega$/m and junction depth and dopth and dopant surface concentration were measured as 0.075~0.18$\mu$m and 5${\times}10^{19}cm^{4}$ respectively. Ti-silicide was formed by 2-step RTA after 300$\AA$ Titanium was deposited. The 1st RTA (2nd RTA) was carried out at the temperature of $600^{\circ}C$(700~80$0^{\circ}C$) for 30 seconds (10~60 seconds) under N$_2$ ambient. Sheet resistances after 2nd RTA were measured as 46~63$\Omega$/D. Si/Ti component ratio was evaulated as 1.6~1.9 from Auger depth profile. Ti-Silicided n-p junction diode (pattern size : 400$\times$400$\mu$m) was fabricated under the RTD(the process was carried out at the temperature of 100$0^{\circ}C$ for 10seconds) and 2nd RTA(theprocess was carried out at the temperature of 750$^{\circ}C$ for 60 seconds). Leakage current was measured 1.8${\times}10^{7}A/mm^{2}$ at 5V reverse voltage. Whent the RTD process condition is at the temperature of 100$0^{\circ}C$ for 10seconds and the 2nd RTA process condition is at the temperature of 75$0^{\circ}C$ for 60 seconds leakage current was 29.15${\times}10^{9}A$(at 5V).

• 대한전자공학회논문지TE
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• 제39권2호
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• pp.11-16
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• 2002

본 논문은 백색유기발광소자를 구현하기 위해서 빛의 3원색인 적, 녹, 청색의 형광색소를 적절하게 배합하여 단일층 백색광을 얻었다. 개별적인 적색, 녹색, 청색 유기고분자 발광소자의 성능이 가장 우수한 특성을 조사한 후 최적화된 값으로 백색유기발광소자를 제작하였다. PVK와 Bu-PBD를 각각 70wt%, 30wt%로 혼합한 용액에 Nile Red(0.015mol%), Coumarin6(0.04mol%), TPB(3mol%)를 각각 첨가하여 백색발광소자를 제작하였을 때 구동전압이 20V에서 휘도 785cd/$m^2$, 색좌표가 (0.32, 0.34)인 백색광을 얻었다

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.319-324
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• 2002

In this study, the reduce of plasma etching damage in PZT thin film with addictive gas and re-annealing after etching have been investigated. The PZT thin films were etched as a function of $Cl_2/CF_4$ with addition of Ar and $O_2$ with inductively coupled plasma. The etch rates of PZT thin films were 1450 ${\AA}/min$ at 30% additive Ar and 1100 ${\AA}/min$ at 10% auditive $O_2$ into $Cl_2/CF_4$ gas mixing ratio of 8/2. In order to reduce plasma damage of PZT thin films after etching, the etched PZT thin films were re-annealed at various temperatures at $O_2$ atmosphere. From the hysteresis curries, the ferroelectric properties are improved by $O_2$ re-annealing process. The improvement of ferroelectric behavior at annealed PZT films is consistent wish the increase of the (100) and (200) PZT peaks revealed by x-ray diffraction (XRD). From x ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, the intensity of Pb-O, Zr-O and Ti-O peak are increased and the chemical residue peak is reduced by $O_2$ re-annealing. The ferroelectric behavior consistent with the dielectric nature of $Ti_xO_y$ is recovered by $O_2$ recombination during rapid thermal annealing process.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.21-25
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• 2001

In this study, recovery of plasma etching damage in PZT thin film with additive gas and re-annealing after etching have been investigated. The PZT thin films were etched as a function of Cl$_2$/CF$_4$ with addition of Ar and $O_2$ with inductively induced plasma. The etch rates of PZT thin films were 1450$\AA$/min at 30% additive Ar into (Cl$_2$(80%)+CF$_4$ (20%)) and 1100$\AA$/min at 10% additive $O_2$ into C(Cl$_2$(80%)+CF$_4$ (20%)). In order to recovery properties of PZT thin films after etching, the etched PZT thin films were re-annealed at various temperatures in at $O_2$ atmosphere. From the hysteresis curves, ferroelectrical properties are improved by $O_2$ re-annealing process. The improvement of ferroelectric behavior at annealed sample is consistent with the increase of the (100) and (200) PZT peaks revealed by x-ray diffraction (XRD). From x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, intensity of Pb-O, Zr-O and Ti-O peak are increased and the chemical residue peak is reduced by $O_2$ re-annealing. The ferroelectric behavior consistent with the dielectric nature of Ti$_{x}$O$_{y}$ is recovered by $O_2$ recombination during rapid thermal annealing process.s.s.

• 지역연구
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• 제37권3호
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• pp.37-46
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• 2021

학생수 감소에 따라 경기도교육청 관내 많은 학교들이 폐교되었다. 경기도는 지역 재개발, 기업체 이전, 학군의 변화 등으로 학생수 이동이 많고 폐교된 학교도 재활용할 가치가 높다. 그동안 학생수 기준으로 학교를 폐교하고, 교육부의 지침과 폐교 재산 활용 기준에 의거 폐교학교를 관리하여 왔으나 경기도는 지역의 변화가 크기 때문에 지역적 특성을 고려한 활용방안을 모색할 필요가 크다. 이런 필요성에 기초하여 지역의 인구, 지역 산업, 주변 지역의 여건 등을 고려한 지역분석을 실시하여 폐교 활용방안을 모색하였다. 지역분석을 통한 폐교 활용 방안을 체험형, 직업교육형, 생활체육형, 지원시설형으로 제시하였다. 지역의 여건에 부합되는 폐교 활용 방안이라 할 수 있다.

• 임상이비인후과
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• 제29권2호
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• pp.235-239
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• 2018

Due to the structure with one end closed, the external ear resonance effect in which the high frequency is amplified can be generated, and the sound can be perceived well. The external ear resonance normally has a first peak and a second peak. On average, the first peak has a gain of 18.6 dB at 2620 Hz and the second peak has a gain of 18.2 dB at 4210 Hz. The resonance of the external auditory canal changes with the state of the tympanic membrane, the presence of the ventilation tube, and the structure (length, diameter, shape) of the external auditory canal. A patient with a postauricular meatomastoid cutaneous fistula was admitted to the hospital with a foreign body which is the molding of the hearing aid. After removal of the foreign body, the resonance of the external auditory canal was lost and the subjective sound cognitive ability decreased. In the case of postauricular meatomastoid cutaneous fistula, we confirmed the improvement of sound cognitive ability, the change of pure tone hearing threshold, and the change of the external ear resonance after reconstruction of the ear canal without middle ear reconstruction.

• 대순사상논총
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• 제35집
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• pp.1-37
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• 2020

본고에서는 『전경(典經)』의 강증산(姜甑山) 언설에 수용된 신화와 문학 자료를 대상으로 그것들이 『전경』 텍스트의 고유한 종교 신학적 맥락 안에서 어떻게 의미화 되었는지, 그 전유(專有)의 상황과 원리를 고찰해 보았다. 먼저 『전경』에서의 신화 수용을 강태공(姜太公), 사명(司命), 치우(蚩尤), 우사(雨師), 조왕(竈王), 망량(魍魎), 개고기, 동도지(東桃枝) 등을 대상으로 살펴보았는데 이들 중의 상당수가 동이계(東夷系) 신화와 상관되며 민간에 깊게 뿌리를 둔 습속이라는 사실이 주목된다. 이는 강증산의 단학파(丹學派)적 성향, 수정주의적 역사의식, 민중의식 등과 상관된다. 다음으로 『전경』에서의 문학 수용을 시와 산문, 소설로 나누어 살펴보았는데 시의 경우 강증산의 시재(詩才)와 취향에 바탕하여 당시(唐詩), 창작시 등이 수용되었고 산문, 소설의 경우 『서경(書經)』, 『사기(史記)』, 『삼국연의(三國演義)』, 『서유기(西遊記)』, 『서주연의(西周演義)』 등이 수용에 상당한 영향을 주었음을 알 수 있었다. 이들은 예언, 치병, 수련 등의 다양한 방식으로 운용되었는데 고전 명구(名句)나 소설이 지닌 대중적 감화력이 이 과정에서 종교적으로 전유되어 힘을 발휘했음을 알 수 있었다. 마지막으로 『전경』에서 신화, 문학적 상상력이 어떤 메카니즘에 의해 증산 신학으로 전화되었는지를 살펴보았는데 문자와 이미지의 주술적 역량, 시가 문학의 감성인식 기능과 표현 특성, 미메시스의 재현 혹은 창조 능력 등이 신화, 문학적 상상력뿐만 아니라 공사 거행에 대해서도 적극적인 기능을 발휘하였음을 알 수 있었다. 이들 3가지 설명 기제(機制)는 『전경』 언술의 의미화 과정을 파악하는 데에 일정한 기여를 할 수 있을 것으로 사료된다. 종합하면 강증산의 삼교합일적, 회통적 인식을 바탕으로 전개된 신화, 문학적 상상력은 지배문화의 정통론적인 관념을 돌파하여 증산 신학의 민중성, 보편성을 구현하는 데에 일조하였다. 아울러 그것은 강증산의 구세 이념을 광포(廣布)하는 데에 큰 역할을 했을 뿐만 아니라 고유의 종교 법술로 변용되어 공사 수행의 중요한 방편으로 기능하였다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제43권4호
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• pp.1-7
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• 2006

본 연구에서는 정공 저지층이 없는 Type I과 정공 저지층으로 두께가 30${\AA}$인 BCP와 BAlq 재료를 사용한 Type II의 청색 유기발광소자를 제작하였다. ITO 박막 위에 $N_2$ 가스에서 플라즈마 출력이 200 W 일 때, 5.02 eV의 일함수 값을 갖는 ITO를 얻을 수 있었다. Type I 소자는 ITO/2-TNATA/$\alpha$-NPD/DPVBi/$Alq_3$/LiF/Al:Li 구조로 되어 있으며, Type II 소자는 ITO/2-TNATA/$\alpha$-NPD/DPVBi/정공 저지층/$Alq_3$/LiF/Al:Li 구조로 되어 있다. Type I과 Type II 소자의 특성을 비교하였다 제작된 소자 중에서 특성이 가장 우수한 것은 정공 저지층으로 두께가 30${\AA}$인 BAlq 재료를 사용한 Type II 소자이었고, 인가전압 10 V 에서 소자의 전류밀도는 226.75$mA/cm^2$, 휘도는 10,310$cd/cm^2$, 발광효율은 4.55 cd/A, 전력효율은 1.43 lm/W 이었다. EL 스펙트럼의 최대 발광 파장은 456 nm 반치폭은 57 nm 이었고 색좌표값은 x = 0.1438, y = 0.1580 로 NTSC 색좌표 Deep blue영역(x = 014, y = 0.08)에 근접한 순수한 청색에 가까운 값을 얻었다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제44권2호
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• pp.8-13
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• 2007

본 논문에서는 고효율의 유기발광소자 제작을 위해 플라즈마 조건 변화에 따른 ITO 특성을 분석하였다. $N_2$와 $O_2$ 가스로 RF 플라즈마 출력은 100 W, 200 W, 400 W로 가스압력은 12 mTorr, 120 mTorr로 변화실험을 하였다. $N_2$ 가스를 이용하여 플라즈마 처리한 ITO의 일함수는 $4.88{\sim}5.07$ eV의 값을 나타내었고 $O_2$ 가스를 이용하여 플라즈마 처리한 ITO는 $4.85{\sim}4.97$ eV의 일함수를 나타내었다. $N_2$ 가스에서 가스의 압력이 120 mTorr이면서 플라스마 출력이 200 W의 조건에서 RF 플라즈마 처리한 ITO의 특성이 우수하였다. ITO 표면의 rms roughness는 AFM 이미지에서 계산하여 나타낸 수치로써 $N_2$와 $O_2$ 가스가 주입된 플라즈마로 처리된 ITO는 플라즈마 출력이 200 W일 때 각각 $25.2\;{\AA}$과 $30.5\;{\AA}$로 나타났으며 플라즈마 처리되지 않은 ITO는 $44.5\;{\AA}$이었다. ITO 박막의 투과율 측정에서는 $N_2$와 $O_2$ 가스의 압력을 변화시켜도 ITO의 투과율은 거의 변동이 없었다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제6권2호
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• pp.138-145
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• 2007

발광형 교통안전표지는 안개가 잦은 곳, 야간 교통사고가 많이 발생하거나 발생가능성이 높은 곳, 도로의 구조로 인하여 가시거리가 충분히 확보되지 않은 곳 등과 같은 장소에서 제한적으로 사용하도록 규정 되었다. 현재 발광형 교통안전표지는 LED가 사용되고 있으나, 향후 새로운 교통안전표지용으로 유기발광다이오드를 제안하였다. 소자의 구조는 $ITO/2-TNATA(500{\AA})/{\alpha}-NPD(200{\AA})/DPVBi(300{\AA})/BCP(10{\AA})/Alq3(200{\AA})/LiF(10{\AA})/Al:Li(1000{\AA})$로 하였다. 인가전압 10 V에서 전류밀도는 $240.71mA/cm^2$, 휘도는 $10,550cd/m^2$, 발광효율은 3.53cd/A이었다. $N_2$ 가스가 주입된 플라즈마로 전처리한 ITO 표면을 갖는 소자가 플라즈마 전처리되지 않은 ITO 표면을 갖는 소자보다 특성이 향상되었다. EL 스펙트럼의 최대 발광 파장은 456nm이었고 색좌표값은 x=0.1449, y=0.1633으로 NTSC 색좌표 Deep blue 영역(x=014, y=0.08)에 근접한 순수한 청색에 가까운 값을 얻었다.