• 공업화학
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• 제20권3호
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• pp.351-353
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• 2009

Pyrylium염 화합물은 양전하를 띄고 있어 유용한 합성반응에 널리 이용되고 있다. 또한 전자를 받아들이는 특성을 갖고 있어 광유도전자전이(PET) 반응의 감광제 등에 응용되고 있다. 우리는 본 연구에서 몇몇 2,6-disubstituted pyrylium fluoroborate 염 화합물을 산성 매체(acetic anhydride/acid) 하에서 합성하였다. 합성한 화합물을 $^{1}H-NMR$, FT-IR과 TOF Mass로 그 구조를 확인하였다. 또한, 그 광특성을 UV-Vis를 통해 분석하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.290-293
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• 2000

Low frequency(<100Hz) weak magnetic field(<20gauss) is applied axially to an inductively coupled oxygen plasma(ICP), and its plasma characteristics are monitored by OES(Optical Emission Spectroscopy) and Langmuir probe. It is found that periodic magnetic field enhances ashing rate by 25％ and improves its uniformity upto 4.5％ over 8" wafer. From electron energy distribution function, both low and high energy electrons are identified and relative abundancy is found to be controlled by the applied frequency. Moreover, it is observed that ionization and dissociation species are varied with applied frequency. We insert an aluminium baffle in the chamber to get better uniformity and less plasma damage.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1706-1707
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• 2011

SU-8 감광제를 이용하여 전기 수력학에 응용할 수 있는 내경 $50{\mu}m$인 평면형 노즐 구조와 외경 $100{\mu}m$, 내경 $50{\mu}m$인 돌출형 노즐 구조를 제작하고 노즐 표면에 불소계 수지를 건식 증착하여 소수 처리를 하였으며 이를 통해 전기수력학 방식의 잉크 토출을 구현하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.140-140
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• 2003

Ti:LiNbO$_3$ 광 도파로를 이용한 광 변조기의 마이크로파 손실을 감소시키고 RF와 광파의 속도정합의 조건하에서 초고속 광변조의 제작을 위해서는 두꺼운 TW(travelling wave) 전극이 필수적이다 또한, 두꺼운 Au 전극이 우수한 RF 특성을 갖기 위해서는 도금된 Au 전극이 고순도의 작은 grain size를 갖는 도금 층을 제조하여야 하며, 도금 후 Au 층의 뒤틀림 현상이 작아야 한다. 따라서, 본 연구에서는 LiNbO$_3$ 기판 위에 30nm Ni-Cr과 50nm의 Au의 기저 막을 올렸으며 감광제를 이용한 photo-lithography 공정으로 CPW(coplanar waveguide) 구조의 패턴을 약 13$\mu\textrm{m}$의 두께로 형성 한 후 non-cyanidic 액을 이용하여 전류밀도 0.02 - 0.06 mA, bubble 및 non-bubble flow를 조건으로 하여 도금된 Au 전극의 특성을 관찰하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제23권12호
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• pp.128-134
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• 2006

Two-dimensional nano-patterns are fabricated using immersion holographic lithography. The photoresist layer is exposed to an interference pattern generated by two incident laser beams($\lambda$=441.6 nm, He-Cd laser) of which the pitch size is less than 200 nm. Good surface profiles of the 2 dimensional patterns are achieved by trimming the lithography process parameters, such as, exposure time, developing time and refractive index of medium liquid.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.562-562
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• 2013

산소 플라즈마는 음이온을 발생시키는 음전성 플라즈마로서 감광제 세정이나 금속, 폴리실리콘 등의 식각을 위해 할로겐 가스와 혼합하여 반도체나 디스플레이 공정에 광범위하게 사용되고 있다. 산소 플라즈마는 아르곤 플라즈마와 그 특성이 상이하고, 다량의 음이온이 국부적으로 만들어지므로 음이온의 공간분포 진단이 중요하다. 본 연구에서는 평판형 부유형 탐침에 고조화파 분석법을 적용하여 양이온의 밀도를 구하고, 직류 차단 커패시터를 제거하여 접지전위에서 전자 전류 측정을 통하여 위치에 따른 전자의 상대적인 공간 분포를 얻었다. 이러한 방법으로 측정된 양이온과 전자의 공간 분포로부터 음이온의 공간 분포를 구할 수 있었다. 가스 압력, 산소 첨가량, 인가 전력 등 여러 조건에서 측정된 음이온의 분포는 이론적인 경향성과 유사함을 확인할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.95-100
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• 1998

A helical inductively coupled plasma asher, which produces low energy and high density plasma, has been built and investigated for photoresist stripping process. Oxygen ion density in the order of $10^{11}/cm^3$ is measured by Langmuir probe, and higher oxygen radical density is observed by Optical Emission Spectrometer. As RF source power is increased, the plasma density and thus photoresist stripping rate are increased. Independent RF bias power to the wafer stage provides a dc bias to the wafer and an ability to add the ion assisted reaction. At 1 KW of the source power, the coupling mechanism of the RF power to the plasma is changed from the inductive mode to the capacitive one at about 1 Torr. This change causes the plasma density and ashing rate decreases abruptly. The critical pressure of the mode change becomes larger with larger RF power.

• 한국레이저가공학회지
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• 제14권1호
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• pp.25-29
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• 2011

Micromachining of photosensitive glass by UV exposure, heat treatment, and etching processes is reported. Like photoresist, the photosensitive glass is also classified into positive and negative types by development characteristics. For the positive type, the exposed area is crystallized and etched away during the etching process in HF solution, whereas the unexposed area is crystallized and etched away for the negative type. The crystallized area of the photosensitive glass has an etch rate approximately 30~100 times faster than that of the amorphous area so that it becomes possible to fabricate microstructures in the glass. Based on the unique properties of glass such as high optical transparency, electrical insulation, and chemical/thermal stability, the glass micromachining technique introduced in this work could be widely applied to various devices in the fields of electronics, bio engineering, nanoelectonics and so on.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.891-894
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• 2005

SU-8은 부드러운 벽면을 가지는 두꺼운 패턴을 제작하는 데 사용되는 음성 감광제(negative photoresist)이다 .이것은 처리 후에 강성이 높고 화학적으로 강인한 장점을 가지고 있으며 최근 MEMS 디바이스의 구조체로 쓰이고 있다. 그러나 SU-8은 공정 처리요소들에 대하여 매우 민감하고 사용하기 어려운 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 공정 처리요소로 exposure energy, post exposure bake (PEB) temperature, PEB time을 조절하여 실험을 하였다. Response Surface Methodology (RSM)를 이용해 각 인자가 delamination에 미치는 영향에 대해 분석하였고 이를 바탕으로 SU-8의 delamination을 최소화하기 위한 처리요소들의 최적화 방안을 제시하였다.

• 한국식품과학회지
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• 제42권6호
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• pp.699-704
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• 2010

유채유에 감광제나 금속이온을 첨가하거나 UV처리를 하였을 때 어떠한 차이가 있는지 알아보기 위하여 MS-전자코를 이용하여 분석하였다. 유채유를 저장하였을 때 저장기간이 증가함에 따라 지방의 품질이 변화되면서 휘발성분이 증감하였는데 판별함수분석(DFA) 결과 DF1값의 영향을 받았으며 품질 변화가 많이 일어날수록 DF1값이 음의 방향으로 이동하였다. 암소에 비하여 UV를 처리하였을 때가 오히려 DF1값의 변화 폭이 크게 나타났다(DF1 $r^2$=0.9481 F=307.07). 실온(17, $26^{\circ}C$)보다는 냉장온도($4^{\circ}C$)에 보관할 때 휘발성분의 변화가 적게 일어났다. 또한 자외선 처리 유무와 온도를 달리 저장할 경우 온도에 의한 영향에 비해 자외선에 의한 영향이 크게 나타났다. ${\gamma}$DF1 값이 암실에서는 각각 $4^{\circ}C$의 경우 0.099, $17^{\circ}C$에서 0.187, $26^{\circ}C$에서 0.278값을 나타냈고 UV 처리 구에서는 각각 $4^{\circ}C$에서 0.554, $17^{\circ}C$는 0.558, $26^{\circ}C$에서는 0.542값을 나타냈다. 감광제인 cytochrome C을 0.1, 0.3, 0.5 mg/%첨가 하였을 때 첨가량이 증가함에 따라 휘발성분의 패턴 변화가 크게 나타났으며 금속이온인 $Cu^{2+}$를 10, 15, 20 mg% 첨가할 경우에도 첨가량이 증가함에 따라 변화가 크게 일어났다. 또한 유채유의 산패 조건에 따른 전자코의 mass spectrum의 감응도 변화는 이미 보고된 GC/MS의 분석 결과와 유사한 pentane, pentanal, 1-pentanol, hexanal, n-octane, 2-hexenal, heptanal, 2-heptenal, decane, 2-octenal, undecane, dodecane과 같은 성분들로 나타났다.