• 한국결정성장학회지
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• 제4권1호
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• pp.83-91
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• 1994

직경 2인치 갈륨비소 단결정을 위한 수직온도구배냉각 결정성장치를 제작하여 크롬과 인듐이 함께 도핑된 반절연 갈륨비소 단결정을 성장하였다. 함께 도핑된 결정에 대해서,불순물의 편석계수는 크롬 또는 인듐만을 도핑한 결정에서 편석계수와 비교할 때 변하지 않고 같은 값을 갖는다. 크롬과 인듐의 농도는 결정의 종자부분 부터 꼬리부분까지 각각 $2{\Times}10^{16}~3{\Times}10^{17} cm^{-3}$과 $2{\Times}10^{19}~3{\Times}10^{20} cm^{-3}$의 범위내에서 분포되었다. 평균 전위밀도는 결정의 전 영역에 걸쳐 약 $8000cm^{-2}$ 미만으로 관측되었다. 또한 인듐농도가 증가함에 따라 전위 밀도가 $1000m^{-2}$ 미만으로 감소하는 격자강화의 효과도 관찰할 수 있었다. 갈륨비소의 결정성장 방향에 따라 캐리어의 농도는 $10^{16}$에서 $10^8cm^{-3}$로 감소한 반면 비저항 값은 $10^{-2}$에서 $10^8$ Ohm-cm로 급격하게 증가하였다. 반절연의 특성은 크롬농도 약 $6{\Times}10^{16}cm^{-3}$의 농도이상에서 얻을 수 있었다. 성장된 단결정 내의 깊은 준위는 두 개의 전자덫인 $E_C-0.81eV, E_C-0.35eV$와 두 개의 정공덫인$E_V+0.89eV, E_V+0.65eV$이다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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• pp.202-202
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• 2004

화합물 반도체는 초고속, 초고주파 디바이스에 적합한 재료인 갈큠비소(GaAs), 인듐-인산듐(InP) 등 2 개 이상의 원소로 구성되어 있고, 실리콘에 비해 결정내의 빠른 전자이동속도와 발광성, 고속동작, 고주파특성, 내열특성을 지니고 있어 발광 소자 (LED)와 이동통신(RE)소자의 개발 등에 다양하게 이용되고 있다. 이와 같이 화합물 반도체는 고부가가치의 첨단산업 부품들로 적용되는 만큼 생산제조 공정에 해당하는 연마, 본딩, 디본딩에 관한 방법과 기술에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있다.(중략)

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권8호
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• pp.843-851
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• 1997

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2006년도 하계학술발표회 논문집
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• pp.531-532
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• 2006

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2007년도 제33회 하계학술대회 초록집
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• pp.363-363
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• 2007

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2011년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.589-590
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• 2011

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.295-295
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• 2012

염소와 불소 혼합가스와 펄스 직류 전원 플라즈마를 이용하여 GaAs/$Al_{0.2}Ga_{0.8}As$의 선택적 식각을 연구하였다. 식각 주요 공정 변수는 혼합 플라즈마에서 불소 가스의 유량(0~50%) 이었다. 다른 공정 조건은 공정 압력, 펄스 파워, 펄스 주파수, 리버스 시간이 이 있다. 저진공(~100 mTorr) 플라즈마에 대한 연구로 한정하여 기계적 펌프만을 사용하여 공정을 진행하였다. 오실로스코프(Oscilloscope) 데이터에 의하면 가스의 조성 변화에도 척에 걸리는 입력 전압과 전류가 거의 변화가 없었다. $BCl_3/SF_6$플라즈마에서 $SF_6$가스가 10%의 조성에서 GaAs와 $Al_{0.2}Ga_{0.8}As$의 식각 선택비가 약 50:1로 우수한 결과를 나타내었다. 혼합 플라즈마에서 $SF_6$가스의 증가는 GaAs의 식각율과 선택도를 감소시켰다. 그리고 불소 성분 가스의 조성비가 일정량 이상일 경우에는 GaAs와 $Al_{0.2}Ga_{0.8}As$가 거의 식각되지 않았다. 위의 결과들을 종합적으로 보면 펄스 직류 전원 $BCl_3/SF_6$플라즈마에서 불소의 조성비는 GaAs의 선택적 식각에서 중요한 역할을 함을 알 수 있었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제17권8호
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• pp.867-880
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• 1992

본 논문에서는 갈륨비소 연산 증폭기의 입력단 설계에 있어서 기초가 되는 차동 증폭기에 사용될 이득 증가 기법을 적용한 단일 증폭기와 새로운 구성의 전류 미러를 설계하였다.차동 전압 이득을 높이기 위하여 단일 증폭기의 bootstrap 이득 증가 기법을 이용하여 차증 증폭기를 구성하였다. 차동 증폭기에 사용되는 정전류원으로서 주파수 특성이 우수한 선형 역상 전류 미러를 사용하여 회로의 안정화를 꾀하였다. 또한, 동상 전압 이득을 감소시키기 위하여 common mode feedback을 사용함으로써 차동 증폭기의 성능 평가에 있어서중요한 CMRR을 높였다.PSPICE를 통한 시뮬레이션 결과, 기본 단일 증폭기의 이득은 29.dB인데 비하여 새로 설계된 new bootstrapped 이득 증가 기법을 사용한 경우에는 57.67db로써 이득이 28.26dB 개선되었음을 알 수 있었다. 또한, 본 논문에서 설계한 차동 증폭기는 차동 이득이 57.66dB, CMRR이 83.98dB로써 기존의 논문보다 향상되었고 주파수 특성면에서도 차단 주파수가 23.26GHz로써 우수함을 입증하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제14권2호
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• pp.28-32
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• 2005

화합물반도체 제조 공정에서 발생하는 GaAs scrap으로부터 열분해법을 이용하여 갈륨을 회수하기 위한 기초 실험으로 200 g/batch 규모의 진공 열분해 실험을 수행하였고, 이 결과를 이용하여 30 kg/batch 용량의 Packed Tower가 부착된 열분해 장치를 제작하였다. 기초실험 결과 GaAs의 열분해속도는 온도가 높아짐에 따라 커지지만, 특히 1000$^{\circ}C 이상에서는 갈륨의 증기압 또는 증가하므로 갈륨의 회수율이 낮아지는 것을 알 수 있었다. 노 내 압력이 2~2.5${\times}10^{-2} mmHg일 때 1000~1050$^{\circ}C에서 가장 좋은 결과를 보였고, 이때 89% 정도의 갈륨 회수율을 나타내었다. GaAs의 열분해 시 비소의 분압은 온도가 높아짐에 따라 증가하고 융점인 1237$^{\circ}C를 전환점으로 온도는 낮아져도 증기압은 높은 이력현상(Hysteresis)을 보이는데, 이와 같은 특성을 이용하여 산업 생산에 적용한 열분해장치 제작에서는 반응기 위에 충진탑을 설치하였다. 그 결과, 열분해 반응기 내의 온도가 융점 이상의 고온에서도 99% 정도의 높은 회수율을 얻을 수 있었다.

• 생명과학회지
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• 제26권11호
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• pp.1308-1312
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• 2016

갈륨은 갈륨비소와 같은 고속 반도체 제작에 사용되는 금속간 화합물 중 하나이다. 본 연구의 목적은 금붕어(Carassius auratus)에 갈륨을 적용 시 일어나는 혈청의 생화학 변수, 급성독성 및 적혈구 형태의 변화에 대해 알아보고자 한다. $LC_{50}$은 96시간 째 갈륨 농도 9.15 mg/ml로 나타났다. 갈륨을 농도별(2.0, 4.0, 8.0 mg/ml)로 금붕어에 노출시켜 28일 동안 독성실험을 하였다. 독성실험 결과 혈청의 생화학(글루코즈, 혈액요소질소, 크레아티닌, 콜레스테롤 및 중성지질)반응에서 갈륨 미처리 그룹과 다른 결과가 나타났다. 갈륨의 노출에 따른 적혈구의 변형으로 인한 호흡장애를 유발하는 것으로 사료된다. 실험에 사용된 금붕어와의 동일한 크기에 갈륨을 적용할 때 생물학적으로 안전한 농도는 2.0 mg/ml로 사료된다.