• 한국진공학회지
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• 제18권1호
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• pp.44-48
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• 2009

전기로에서 공급하는 열을 통해 주변 반응 기체와 기판이 열적 평형 상태를 이루고 있는 기존의 박막 성장 방식과 달리, 외부에서 주입시킨 공기를 이용하여 기판 홀더를 냉각시켜 기판과 기판 주변 반응 기체 사이에 온도 차이(temperature gradient)를 발생시키고, 그 온도 차이가 변함에 따라 사파이어 r-면 기판 위에 성장된 질화갈륨 나노 구조체의 구조적 특성이 어떻게 바뀌는지에 대한 연구를 수행하였다. 온도 차이의 크기에 따라 다족(multipod) 형태로 자란 나노 막대의 직경과 밀도, 그리고 길이가 변화함을 확인하였다. 또한, 동일한 온도 차이(temperature gradient)가 있더라도 기판 자체의 온도에 따라 나노막대 끝 단면의 모양이 변화됨을 발견하였다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제29권6호
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• pp.627-634
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• 2018

Gallium-based liquid metal, e.g., eutectic gallium-indium (EGaIn), is highly attractive as an electrode material for flexible and stretchable devices. On the liquid metal, oxide layer is spontaneously formed, which has a wide band-gap, and therefore is electrically insulating. In this paper, we fabricate a capacitor based on eutectic gallium-indium (EGaIn) liquid metal and investigate its cyclic voltammetry (CV) behavior. The EGaIn capacitor is composed of two EGaIn electrodes and electrolyte. CV curves reveal that the EGaIn capacitor shows the behavior of electric double-layer capacitors (EDLC), where the oxide layers on the EGaIn electrodes serves as the dielectric layer of EDLC. The oxide thicker than the spontaneously-formed native oxide decreases the capacitance of the EGaIn capacitor, due to increased voltage loss across the oxide layer. The EGaIn capacitor without oxide layer exhibits unstable CV curves during the repeated cycles, where self-repair characteristic of the oxide was observed. Finally, the electrolyte concentration is optimized by comparing the CV curves at various electrolyte concentrations.

• 접착 및 계면
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• 제24권2호
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• pp.41-53
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• 2023

형태가변형 전자 소자는 늘림, 굽힘 등 기계적으로 변형된 상태에서도 초기 소자 특성이 유지되는 소자를 말한다. 형태가변형 전자 소자에 적용되는 여러 전도성 소재 중 갈륨 기반 액체 금속은 상온에서 액체 상태로 존재하며 우수한 형태가변성과 전기 전도성, 낮은 인체유해성으로 인해 최근 다양한 형태가변형 전자 소자에 적용되고 있다. 본 고에서는 최근 보고된 여러 연구들을 중심으로 갈륨 기반 액체 금속을 소개하고 이를 활용한 다양한 형태가변형 전자 소자 및 제조 공정에 대해 논하고자 한다.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제44권4호
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• pp.535-539
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• 2016

제주도 넙치 양식장에서 주로 발생하는 어류질병세균인 S. parauberis, S. iniae, E. tarda에 대한 피해를 줄이고자 갈륨을 이용하여 어류질병세균을 억제하고자 한다. 본 연구진은 Sp, Si, Et의 생육도와 biofilm 형성능을 확인하였으며, 세균의 성장도와 biofilm 형성능간의 특정한 패턴은 없었으며 세균의 성장도가 높다 하더라도 biofilm을 활발히 형성하지 않음을 알 수 있었다. 어류질병세균이 형성하는 biofilm을 저해하기 위해 갈륨을 2.0, 4.0, 8.0 mg/ml로 첨가하여 저해능을 확인한 결과 72시간째 biofilm의 형성이 크게 저해되는 것을 확인하였다. 또한 biofilm을 저해하는 동시에 균주의 사멸능을 확인하기 위해 resazurin assay와 propidium iodide를 이용하여 염색한 결과 갈륨의 농도에 따라 균주의 사멸이 증가하는 것을 확인하였다. 이에 따라 in vitro 상에서 갈륨이 어류질병세균의 biofilm을 억제하는 동시에 균주를 사멸시키는 물질로서 가치가 있다고 사료된다.

• 전력전자학회지
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• 제25권2호
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• pp.60-67
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• 2020

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1996년도 제11회 학술발표회 논문개요집
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• pp.70-71
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• 1996

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1994년도 제6회 학술발표회 논문개요집
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• pp.120-121
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• 1994

• 전자공학회지
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• 제14권4호
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• pp.81-90
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• 1987

• 대한전자공학회논문지
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• 제10권3호
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• pp.42-52
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• 1973

• 전력전자학회지
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• 제20권1호
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• pp.34-38
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• 2015