• Information and Communications Magazine
• /
• v.30 no.6
• /
• pp.33-39
• /
• 2013

최근 무선LAN의 폭발적인 수요 및 공급 증가에 따라 무선LAN의 간섭현상이 큰 문제로 대두되고 있으며, 이에 따라 무선LAN의 간섭현상을 줄이기 위해 연구가 활발히 진행되고 있다. 본고에서는 무선LAN의 간섭현상을 줄이기 위한 최근의 연구동향을 분석하고, 시뮬레이션을 통하여 무선LAN 간섭현상이 네트워크 성능에 어떠한 영향을 미치는지를 평가한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.08a
• /
• pp.194-194
• /
• 2010

Charge trap flash (CTF) 구조를 가진 플래시 메모리 소자는 기존의 플래시 메모리 소자에 비해 쓰고 지우는 속도가 빠르고, 데이터의 저장 기간이 길며, 쓰고 지우는 동작에 의한 전계 스트레스에 잘 견디는 장점을 가지고 있다. 이러한 장점에도 불구하고 CTF 플래시 메모리에서도 수십 나노 이하로 소자의 셀 사이즈가 감소함에 따라 단 채널 효과, 펀치스루 현상 및 셀 사이의 간섭현상이 발생함에 따라 이러한 문제들을 해결해야 한다. 인접한 셀 사이에 발생하는 간섭 현상에 대해선 플로팅 게이트를 사용한 플래시 메모리 소자에 대하여 많은 연구가 진행되었으나, CTF 플래시 메모리 소자에서 나타나는 셀 사이의 간섭현상에 대한 연구는 만히 진행되어 있지 않다. 본 연구에서는 CTF 플래시 메모리 소자의 셀 사이의 간격이 작아짐에 따라 발생하는 인접한 셀 간의 간섭 현상에 대해 관찰하였다. CTF 플래시 메모리 소자의 셀 사이의 간격에 따른 비교를 위하여 각 소자의 셀을 구성하는 터널링 산화막, 질화막 및 블로킹 산화막의 두께를 동일하게 하였다. 각 셀 사이의 간격이 감소함에 따라 발생하는 소자의 전기적 특성을 TCAD 시뮬레이션 툴인 Sentaurus를 사용하여 계산하였다. 인접한 셀의 상태에 따라 발생하는 간섭 효과를 확인하기 위해 word line (WL)과 bit line (BL) 방향에 있는 주변 셀의 프로그램 상태에 따른 선택한 셀의 문턱전압이 변화 정도를 관찰하였다. 시뮬레이션 결과는 셀 사이의 간섭효과가 WL 방향에 의한 간섭 현상보다 BL 방향에 의한 간섭 현상보다 크다. 시뮬레이션한 전류-전압 특성 결과는 CTF 플래시 메모리 소자가 비례 축소할 때 인접하는 셀 사이에 간격이 15 nm 이하로 줄어들 경우에 간섭 현상이 급격히 증가하였다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
• /
• v.1 no.2
• /
• pp.10-14
• /
• 1984

연삭가공은 숫돌을 구성하는 하나 하나의 입자가 공작물을 절삭하는 과정이므로 연삭현상을 이해하기 위해서는 먼저 개개 절돈의 절삭현상을 알지 않으면 안된다. 연삭입자의 절삭현상을 해명함에 있어서 기초가 되는 것은 입자와 공작물과의 간섭형상이다. 종래의 연삭 이론은 이와같은 기하학적 간섭형상이 모두 chip이 되어 제거된다(연소입자와 공작물과의 간섭 과정에서는 절삭현상만이 존재한다.)는 가정하에 연삭기구를 해석하려 하였으나 최근에 이르러 상호간섭 조건을 경계조건으로 하여 많은 사람들에 의해 연소입자의 절삭현상을 연구한 결과 연삭입자의 절삭과정은 과도적 절삭임이 밝혀졌다. 이와같은 연삭현상은 새로운 연삭이론에 기초가 될 뿐만아니라 Chip 과 표면생성기구의 관점에서도 극히 중요한 것이 된다.

• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
• /
• 2000.11a
• /
• pp.36-36
• /
• 2000

천음속 또는 초음속 유동이 유동장의 하류에서 부여되는 압력조건에 의하여 감속되는 경우나, 유동방향의 갑작스런 변화를 요구하는 물체 혹은 벽면이 존재하는 경우에 발생한 충격파는 벽면을 따라 발생하는 층류 혹은 난류 경계층과 복잡한 상호간섭 (interaction)을 일으켜 충격파에 의한 박리 발생, 충격파 하류에 새로운 충격파 발생, 충격파가 큰 진폭으로 진동하게 되는 현상 등을 발생시킨다. 이러한 간섭현상은 고속유동이 통과하는 유체요소나 유체기기의 성능을 좌우하는 매우 중요한 유동현상으로, 유체기계의 설계 시 사전에 고려되어야 할 중요한 공학적 문제이다.(중략)

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.2 no.4
• /
• pp.433-438
• /
• 1993

전자의 파동성에 기인하는 여러 가지 양자간섭 현상을 연구하기 위하여, 금속의 미세고리구조을 제작하였다. 전자의 양자간섭과 가간섭 역충돌 효과에 의한 자기저항의 진동형상이 관측되었으며, 자기저항의 비주기 섭동 현상과 비국재현상도 관찰되어 중시적 전기 전도도의 일반식에 의하여 설명되었다. 또한 AlGaAs/GaAs 의 이차원 전자가스총을 이용한 고리구조도 제작되어, 양자 효과와 탄동적 수송의 영역에서 자기저항이 측정되었다.

• Phonetics and Speech Sciences
• /
• v.13 no.4
• /
• pp.35-46
• /
• 2021

In this study, we examined the interactive aspects between pitch reduction phenomena considered a universal language phenomenon and native language interference in the production of L2 intonation performed by Chinese learners of Korean. To investigate their interaction, we conducted an acoustic analysis using acoustic measures such as pitch span, pitch level, pitch dynamic quotient, skewness, and kurtosis. In addition, the correlation between text comprehension and pitch was examined. The analyzed material consisted of four Korean discourses containing five and seven sentences of varying difficulty. Seven Korean native speakers and thirty Chinese learners who differed in their Korean proficiency participated in the production test. The results, for differences by language, showed that Chinese had a more expanded pitch span, and a higher pitch level than Korean. The analysis between groups showed that at the beginner and intermediate levels, pitch reduction was prominent, i.e., their Korean was characterized by a compressed pitch span, low pitch level, and less sentence internal pitch variation. Contrariwise, the pitch use of advanced speakers was most similar to Korean native speakers. There was no significant correlation between text difficulty and pitch use. Through this study, we observed that pitch reduction was more pronounced than native language interference in the phonetic layer.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.253-253
• /
• 2010

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) 구조를 가지는 플래쉬 메모리 소자는 기존의 플래쉬 메모리 소자에 비해 쓰고 지우는 속도가 빠르고, 데이터의 저장 기간이 길며, 쓰고 지우는 동작에 의한 전계 스트레스에 잘 견뎌내는 장점을 가지고 있다. 그러나 SONOS 형태의 플래쉬 메모리 소자에 대한 전기적 특성에 대한 연구는 많이 진행되었으나, SONOS 형태의 플래쉬 메모리에서 소자의 셀 사이즈가 감소함에 따라 발생하는 인접한 셀 간의 간섭 현상에 대한 연구는 상당히 미흡하다. 본 연구에서는 SONOS 형태의 플래쉬 메모리에서 소자의 셀 사이즈가 작아짐에 따라 발생하는 인접한 셀 간의 간섭 현상에 대해 조사하였다. SONOS 형태의 플래쉬 메모리소자의 터널링 산화막, 질화막과 블로킹 산화막의 두께를 결정하였고, 각 셀의 크기가 감소함에 따라 발생하는 소자의 전기적 특성을 3차원 시뮬레이션 툴인 Sentaurus를 사용하여 계산하였다. 병렬 캐패시턴스에 의해 셀들 사이에 발생하는 커플링 효과를 확인하기 위해 선택한 셀의 문턱 전압이 주변 셀들의 프로그램 상태에 의해 받게되는 영향을 관찰하였다. 본 연구에서는 셀 사이에 간섭 방지층을 삽입함으로 인접 셀 간 발생하는 간섭현상의 크기를 크게 줄일 수 있음을 시뮬레이션 결과를 통하여 확인하였다. 이때 간섭 방지층의 깊이에 따라 감소하는 문턱전압의 변화량을 계산하였고, 방지층을 충분히 깊게 제작함으로 셀 간 간섭 현상을 막을 수 있음을 확인 하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2012.05a
• /
• pp.553-556
• /
• 2012

The interference among the rain radars and interference in the adjacent wireless station due to the spurious signals from the rain radar were analyzed in this paper. The rain radar measures the rain intensity using S-band signal. The measured data are utilized in forecasting the rainfall. The interference among the rain radars or in the adjacent wireless stations may be caused by the high output power of rain radar. Based on the propagation analysis of S band signal and the deduced interference protection ratio of rain radar, the interference due to the rain radar are analyzed. Also, the radiation spectrum characteristics of a rain radar are deduced from the caused interference effects by the spurious signals of the rain radar.

• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
• /
• 2003.05a
• /
• pp.45-48
• /
• 2003

The plume interference is a complex phenomenon, consisting of plume-induced boundary layer separation, separated shear layer, multiple shock waves, and their interactions. The base knowledge of plume interference effect on powered missiles and flight vehicles is not yet adequate to get an overall insight of the flow physics in plume-freestream flow field. Computational studies are performed to better understand the flow physics of the plume-induced shock and separation for Simple, Rounded, Porous-extension test model configurations. The present study simulates highly underexpanded exhaust plume effect on missile body at the transoni $c^ersonic speeds. In order to investigate the plume-induced separation phenomenon, Simple, Rounded and Porous-extension plate are attacked to the missile afterbody. The computational result shows that the rounded afterbody and the porous-extension wall attached at the missile base can alleviate the plume-induced shock wave and separation phenomenon and improve the control of the missile body.dy.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2015.08a
• /
• pp.200.1-200.1
• /
• 2015

Charge trap flash (CTF) 메모리 소자는 기존의 플로팅 게이트를 사용한 플래시 메모리 소자에 비해 쓰고 지우는 속도가 빠르고, 소비 전력이 적으며, 쓰고 지우는 동작에 의한 전계 스트레스에 잘 견뎌내는 장점을 가지고 있다. 그러나 CTF 메모리 소자에서도 메모리 셀의 크기가 작아짐에 따라 셀 사이의 간섭 효과를 무시할 수 없다. 인접 셀 간의 간섭현상은 측정 셀의 문턱전압을 예측할 수 없게 변화시켜 소자 동작의 신뢰성을 낮추고 성능을 저하시킨다. 본 논문에서는 셀 사이의 간섭을 줄이고 소자의 성능을 향상시키기 위해 charge trap 층에 금속 공간층을 삽입한 CTF메모리 소자의 전기적인 특성에 대해 연구하였다. 금속 공간층을 갖는 CTF 메모리 소자는 기존 CTF 메모리 소자의 트랩층 양 측면에 절연막과 금속 공간층을 증착시켜 게이트가 트랩층을 감싸는 구조를 갖는다. 인접 셀 사이에 발생하는 간섭 현상과 전계 분포를 분석하였다. 프로그램 동작 시CTF 메모리 소자 내에 형성되는 전계의 분포와 크기를 계산함으로 금속 공간층이 인접한 셀에서 형성된 전계를 차폐시켜 셀 간 간섭 현상을 최소화하는 것을 확인하였다. 이러한 결과는 인접 셀 간의 간섭현상을 최소화하면서 소자 동작의 신뢰성이 향상된 대용량 메모리 소자를 제작하는데 도움을 줄 수 있다.