• Proceedings of the Costume Culture Conference
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• 2003.09a
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• pp.109-110
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• 2003

위편성물을 제편할 때, 편직기에서 동일한 편사를 사용한다고 하더라도 편성 조직(knit, tuck, miss의 구성비율)이나 편성밀도에 따라 짜여진 편성포의 구조 및 외관특성은 매우 다르게 나타난다. 편성포의 편성조직, 폭, 길이, 두께, 무게, 밀도 등은 기본적인 구조적 특성이지만 그 용도에 따라 편성포의 성능을 결정짓는 중요한 평가요인이 된다. 또한 니트웨어의 맞음새를 위한 원형설계나 치수체계를 설정하는데 있어서 매우 영향을 미치는 요인이 되므로, 니트웨어의 디자인을 할 때 고려되어야 할 매우 중요한 인자이다. (중략)

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2013.05a
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• pp.78-78
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• 2013

• 한국지구물리탐사학회:학술대회논문집
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• 2011.10a
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• pp.41-44
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• 2011

• 한국지구물리탐사학회:학술대회논문집
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• 2011.10a
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• pp.37-40
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• 2011

• Review of KIISC
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• v.11 no.3
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• pp.57-64
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• 2001

최근 공개키 암호 시스템의 사용이 급증하면서 공개키의 무결성과 신뢰성 문제를 해결하고자 등장한 인증서기반의 공개키 기반 구조(PKI)와 관련된 다양한 응용프로토콜에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 고에서는 PKI 응용프로토콜 중에서 PKI 개체들간의 인증서관련 메시지 교환 표준인 인증서 관리 프로토콜(Certificate Management Protocols) 을 분석하였다. CMP에 관련된 문서는 IETF에서 표준화한 RFC2510과 2001년 2월에 제안된 드래프트가 있는데, 본 고에 서는 RFC2510을 중점적으로 분석한 후, 드래프트에서 새로 제안된 부분을 추가하여 두 문서를 비교 분석하였다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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• v.15 no.3
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• pp.898-906
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• 1991

본 연구에서는 입경부식법에 의한 재질열화 평가법의 표준화에 연구목적을 두 고, 고온부재의 열화에 따른 조직의 특성변화를 관찰하였다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.136-137
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• 2002

크롬-몰리브덴 강종들은 고온에서 우수한 기계적 성질을 나타내기 때문에 에너지 변환설비 및 압력용기 등에 폭넓게 사용되고 있다. 그러나 고온에서 장시간 사용됨에 따라 입계에 탄화물의 형성 및 조대화, 용질원자의 결핍, 불순물의 편석 등 미세조직의 변화에 의해 초기의 우수한 기계적 성질이 저하되는 경년열화 현상이 나타나고 있다. 따라서, 이들 대형기기 및 구조물의 보다 신뢰성 있는 품질보증과 정기적인 가동 중 검사가 요구되어지고 있다. (중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.291-292
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• 2012

플렉시블 (F-PCB, Flexible Printed Circuit Board)은 얇고 유연하며 모바일, 광학, 노트북, 프린터, LCD 등 IT산업전반에 걸쳐 사용되고 있다. 통신기기가 이동용으로 전환되면서 대용량, 고속의 정보 전달이 필요하다. 인접 회로간의 전자파 차폐, 구리성분의 편석방지와 고성능의 회로소재 확보가 요구된다. 본고에서는 최근의 플렉시블 인쇄회로기판의 주석도금의 위스커방지 품질향상을 중심으로 기술하였다.

• 한국지구물리탐사학회:학술대회논문집
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• 2010.10a
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• pp.185-188
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• 2010

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.5 no.4
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• pp.306-317
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• 1995

Abstract Gallium arsenide crystal is usually grown from the melt by the horizontal Bridgman method. We constructed pseudo - steady - state model for crystal growth of GaAs which inclue melt, crystal and the free interface. Mathematical equations of the model were solved for flow, temperature, and concentration field in the melt and temperature field in the crystal. The location and shape of the interface were also solved simultaneously. In 2 - dimensional model, the shape of the interface is flat with adiabatic thermal boundary condition, but it becomes curved with completely conducting thermal boundary condition. In 3 - dimensional model, the interface is less curved than 2 - dimensional case and the flow intensity is similar to that of 2 - dimensional case. With the increase of flow intensity vertical segregation shows maximum value in both 2 - and 3 - D model. However, the maximum value occurs in lower flow intensity in 2 - D model because the interface is more curved for the same flow intensity.