• 한국결정학회지
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• 제11권4호
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• pp.207-211
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• 2000

In a Czochralski silicon single crystal, the relation between the growth twin and the crystal morphology was investigated. The growth twin is nucleated on the {111} facet planes near the growth ridges. When a {111} growth twin is formed in the <100> silicon crystal, the growth ridge where twin is nucleated will continuous through the twin plane. Other two ridges at the 90。 apart will be displaced about 33° and be deformed to facets. The ridge on the opposite side of twin nucleation will disappear by forming a slight hill. Because the growth ridges of silicon is due to the {111} planes, the variation in the growth ridge formation can be predicted clearly by considering the change of the {111} plane traces in the stereographic projection after twining.

• 한국세라믹학회지
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• 제33권2호
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• pp.228-234
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• 1996

강유전성 BaTiO3의 분역 구조를 이해하는 것은 폴링과정에 있어서 대단히 중요하면 대부분의 BaTiO3 세라믹스에서 흔히 발견되는 구조 쌍정 계면에서의 배향관계는 아직까지 보고된 바 없다. 본 연구에서는 {111} 쌍정을 이루고 있는 길정시편을 이용하여 편광현미경하에서 분역구조를 관찰하고, 열처리에 의하여 상전이되는 동안 {111} 쌍정과 강유전성 분역의 거동을 현미경하에서 직접적으로 관찰하였다. {111} 쌍정면 암측으로 대칭적 분역구조가 발될되며, 그 배열 형태는 'V'자 모양과 수직하게 관통하는 것처럼 직선 모양의 두가지 형으로 분류된다. 열처리에 의하여 새로운 분역구조가 형성될때 {111} 쌍정면 주위에서는 대칭적 관계를 유지하면서 분역이 발달되며, 분역형성에 기인하는 표면변형도 {111} 쌍정에 대하여 항상 대칭적으로 발달된다. 이는 {111} 계면에서도 분극반향이 바뀌어지며 "머리-꼬리"의 전지적 안정성의 배향관계를 유지하는 것으로 설명할 수 있다.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권12호
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• pp.1310-1315
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• 1999

• 한국세라믹학회지
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• 제42권9호
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• pp.599-601
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• 2005

The coarsening process of two different $BaTiO_3$ single crystal seeds, one with a (111) double twin and the other without it, was investigated. Due to the presence of Twin Plane Reentrant Edge (TPRE), the coarsening rate of the twinned seed crystal was significantly higher than that without a twin. For the coarsening by the 2-dimensional nucleation and lateral growth, the energy barrier for nucleation at the TPRE was analyzed to be about a half compared with that at the terrace planes.

• 한국주조공학회지
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• 제7권3호
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• pp.192-198
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• 1987

Commercial semicontinuous cast ingots of aluminum alloys often exhibit large grains composed of parallel arrays of continuous lamellae. Each lamella consists of a central {111} coherent twin boundary and wavy solidification boundary. This microstructure is referred to as a twin columnar growth(TCG) structure. The factors influencing the formation of a TCG structure include a unidirectional thermal gradient and the critical range of the alloying element content. The higher the thermal gradient is, the shorter the twin plane spacings are. The composition profile for an untwinned dendrite shows maximums at the positions of the interdendritic channels and the minimum appears at the center of the dendrite. While for twinned dendrite, it has wavy apperance. This profile has two local minimums instead of one shown in the untwinned.

• Steel and Composite Structures
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• 제3권2호
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• pp.111-122
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• 2003

The paper presents a model for analysing the shear-lag effect on the slab of twin-girder composite decks subjected to static actions, support settlements and concrete shrinkage, which are the main actions of interest in composite bridge design. The proposed model includes concrete creep behaviour and shear connection flexibility. The shear-lag in the slab is accounted for by means of a new warping function. The considered actions are then applied to a realistic bridge deck and their effects are discussed. The proposed method is utilised to determine the slab effective widths for three different width-length ratios of the deck. Finally, a comparison between the results obtained with the Eurocode EC4-2 and those obtained with the proposed model is performed.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제4권3호
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• pp.713-719
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• 2000

고체상 켜쌓기법(solid phase epitaxy)으로$Ge_xSi_{1-x}/Si$(111) 이종접합을 형성하기 위해 Si(111) 기판위에 먼저 Au를 1000A 증착하고 그 위에 Ge을 1000A 증착시켜 a-Ge/Au/Si(111)구조를 형성하고 이를 고진공 조건에서 이단계 열처리 하였다. 열처리 후 Auger 전자분광분석(AES), X-ray 회절(XRD), 고분해 투과전자현미경(HRTEM) 등을 통해 Au와 Ge의 거동과 형성된 $Ge_xSi_{1-x}$막의 특성을 열처리 조건에 따라 분석하였다. a-Ge/Au/Si(111)구조는 열처리에 의해 Au/GeSi/Si(111)의 구조로 변했으며 형성된$Ge_xSi_{1-x}/$((111)층은 Si(111) 기판의 면 방향과 잘 일치하였다. 그러나 $Ge_xSi_{1-x}/Si$((111)층 내부에 적층결함, 전이, 쌍정, planar defect 등이 주로 (111)면 방향으로 형성되어 있음을 알 수 있었다.

• 한국결정학회지
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• 제2권1호
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• pp.1-11
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• 1991

GaAs 단결정을 LEC법으로 성장시킬 때 종단쌍정이 자주 발생하여 문제가 된다. 종단쌍정이 발생 하면 (100) 방향의 성장축이 (221)로 바뀐다. 본 실 험에서는 (100) 방향의 성장축으로 직경 3 inch의 CaAs 단결정을 LEC법에 의해 성장시키고, SPW photo-etching법에 의해 GaAs 단결정성장에서 생성 된 striation과 edge facet를 관찰하여 상호관계를 연 구하였다. 이들의 불안정한 생성이 종단방정 발생의 원 인 이었다. Striation의 형태는 결정직경, 융액량등의 성장조건에 따라 변화하였다. 결정주변부에서는 미시적인 striation 형태의 변화가 있었는데, 이는 용액대류의 불안정에 기인한 것이었다. {lll} 면으로 구성된 edge facet은 결정주변부에서 striation의 형태가 볼록 해질 때 잘 생성되었다. 이것은 striation과 {lll} edgp facet이 이루는 각도가 작아지기 때문이었다. 종단방정은 결정축에 수직한 (110) 방향의 결정 표면에서 발생하였다. 이들은 불안정한 융액대류에 의해 생성되어 결정이 성장함에 따라 결정속으로 전파되었다. 종단방정은 {lll} edge facet의 재용융 후 재성장의 성장속도가 매우 빠를 때 발생하였다. 따라서 이러한 종단쌍정의 발생을 억제하기 위해서 는 고액계면에서의 급격한 융액대류의 변화가 생기 지 않도록 하여야 한다.

• 한국세라믹학회지
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• 제29권12호
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• pp.926-934
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• 1992

Uniform diamond films in a few $\textrm{mm}^2$ size and locally isolated diamond single crystals in size of 60 $\mu\textrm{m}$ were synthesized on Si-wafer and Al2O3 substrate by the method of acetylene flame. The effects of substrate temperature and flow ratio of oxygen to acetylene on the morphology of deposited diamond were investigated. According to the observations of growth behavior of diamond on Si substrate with respect to substrate surface pretreatment and flow ratio, it was shown that well faceted diamonds could grow uniformly when flow ratio was above 0.9 and substrates were densely scratched. With increasing substrates temperature, the crystal morphology changes from octahedron bounded by only {111} plane below 850$^{\circ}C$ to cubo-octahedron with almost equal development of {111} and {100} plane in the temperature range of 850∼950$^{\circ}C$. Between 950∼1050$^{\circ}C$, the {111} faces become rough and concave. Above 1050$^{\circ}C$, new crystallites begin to grow on concave {111} surface and overall morphology looks like cubo-octahedron with degenerated {111} faces. These changes of morphology can be understood in terms of the different growth mode of each crystallographic plane with respect to the substrate temperature and supersaturation. And the observed phenomena on {111} planes can be related to the face instability and twin generation.

• Applied Microscopy
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• 제49권
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• pp.1.1-1.10
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• 2019

Joints of three-dimensional (3D) rutile-type (r) tin dioxide ($SnO_2$) nanowire networks, produced by the flame transport synthesis (FTS), are formed by coherent twin boundaries at $(101)^r$ serving for the interpenetration of the nanowires. Transmission electron microscopy (TEM) methods, i.e. high resolution and (precession) electron diffraction (PED), were utilized to collect information of the atomic interface structure along the edge-on zone axes $[010]^r$, $[111]^r$ and superposition directions $[001]^r$, $[101]^r$. A model of the twin boundary is generated by a supercell approach, serving as base for simulations of all given real and reciprocal space data as for the elaboration of three-dimensional, i.e. relrod and higher order Laue zones (HOLZ), contributions to the intensity distribution of PED patterns. Confirmed by the comparison of simulated and experimental findings, details of the structural distortion at the twin boundary can be demonstrated.