• 한국재료학회지
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• 제20권6호
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• pp.307-311
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• 2010

Positron annihilation lifetime spectroscopy is applied to BaSrFBr : Eu film which is used for the phosphore layer, and afterwards the reliability and self-consistency of source corrections in the positron lifetime spectroscopy is investigated using a $^{22}Na$ positron emitter covered by thin foils. The positron lifetime showed no significant change through the various proton irradiation energies. It is unusual that the measurements of the defects indicate that most of the defects were likely to have been generated by X-ray radiation. This may have resulted from the Bragg peaks of the proton characteristics. The Bragg peak does not affect the defect signals enough to distinguish the lifetimes and intensities in a material that is includes multi-grains. The lifetime ($\tau_1$) associated with positron annihilations in the Ba, Br, and Eu of the sample was about 250 ps, and due to the annihilations at F-centers or defects from the irradiated protons in sample, the lifetime ($\tau_2$) was about 500 ps.

• 한국재료학회지
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• 제18권8호
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• pp.427-431
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• 2008

The mechanical property of a phosphore layer was investigated by measuring the resolution (LP/mm) and by positron annihilation spectroscopy and SEM. Image plate samples containing the phosphore layer were irradiated by X-rays in a hospital numerous times over a course of several years. The LP/mm values of a (Ba,Sr)FBr : Eu image plate irradiated by X-rays varied between 2.2 and 2.0 over a period of four years. Coincidence Doppler Broadening (CDB) positron annihilation spectroscopy was used to analyze defect structures. The S parameters of the samples from hospital use varied from 0.6219 to 0.6232. There was a positive relationship between the time of exposure to the X-rays and the S parameters. Most of the defects were found to have been generated by X-rays.

• 한국진공학회지
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• 제18권6호
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• pp.447-452
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• 2009

동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법과 양전자 소멸 수명 측정법으로 BaSrFBr:Eu의 박막 시료에 0, 3, 5, 7.5 MeV 에너지의 양성자 조사에 의한 결함을 측정하여 박막구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511 keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 박막 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수가 박막에 조사된 양성자의 빔 에너지에 따라 변하지 않고 거의 일정한 값을 보였다. 따라서 양성자 조사에너지의 세기 변화에 따라 결함이 증가하지 않았으며, 그 이유는 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 박막 시료의 특정 깊이에 결함을 형성하여 박막전체의 결함으로 잘 나타나지 않기 때문으로 판단된다. 향후, 박막의 두께에 따른 결함의 분포를 측정하기 위해서는 양전자 선원 Na의 사용 대신 양전자 빔을 이용하여야 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.259-259
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• 2010

본 연구는 양전자 소멸 측정 분광법을 통하여 BaSrFBr:Eu 형광물질의 결함 농도 분석을 시도하였다. LABO를 이용한 동시계수 도플러 방법과 Fast - Slow - Coincidence 시스템으로 구성한 양전자 수명 분광법을 통하여 에너지의 변화에 따른 양성자 조사에 의한 시료 결함에 따른 동시 계수 도플러법과 양전자 수명의 변화를 측정 하였으며, SRIM 시뮬레이션을 통한 에너지에 따른 양성자 투과 깊이의 변화를 연구하였다.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제25권5호
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• pp.85-87
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• 2016

Coincidence Doppler broadening and positron lifetime methods in positron annihilation spectroscopy has been used to analyze defect structures in metal, semiconductor and polycrystal, respectively. The S parameter and the lifetime (${\tau}$) value show that the defects were strongly related with vacancies. A positive relationship existed between the scanning electron microscope (SEM) images and the positron annihilation spectroscopy (PAS). According to the SEM images and PAS results, measurements of the defects with PAS indicate that it was more affected by the defect than the purity.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제37회 하계학술대회 초록집
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• pp.151-151
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• 2009

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제36회 동계학술대회 초록집
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• pp.134.2-134.2
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• 2009

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
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• pp.45.1-45.1
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• 2009

본 연구에서는 BaSrFBr:Eu 형광물질의 결함 농도 분석을 시도하였다. 또한 동시 계수 방법과 Fast -Slow - Coincidence 시스템으로 구성한 양전자 수명 측정법을 통하여 에너지의 변화에 따른 양성자 조사에 의한 시료 결함에 따른 동시 계수 도플러법과 양전자 수명의 변화를 측정 하였으며, SRIM 시뮬레이션을 통한 에너지에 따른 양성자 투과 깊이의 변화를 연구하였다.