• 한국결정성장학회지
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• 제17권2호
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• pp.69-74
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• 2007

[ $0.6Pb(Sc_{1/2}Ta_{1/2})O_3-0.4PbTiO_3$ ](이후 PSTT) 세라믹스를 KCI을 flux로 사용한 용융염 합성법을 이용하여 제조하였다. $600^{\circ}C$에서 $850^{\circ}C$까지 온도를 상승시키면서, 시차열분석기와 X-선 회절기를 이용하여 perovskite 상의 형성과정을 조사하였다. 용융염 합성법의 경우 $750^{\circ}C$에서 2시간 하소하였을 때, 92%의 perovskite 상의 생성율을 나타낸 반면, 일반하소법의 경우는 $850^{\circ}C$에서 4시간 하소하였을 때도 82%의 perovskite상의 생성율을 나타내었다. 이는 flux로 사용된 KCI 용융으로 인한 $Sc_2O_3$의 반응성의 향상에 기인한 것으로 생각된다. $1,100^{\circ}C$에서 4시간 소결한 PSTT 시편의 경우, 용융염 합성법으로 제조된 시편이 일반하소법으로 제조된 시편에 비해 큰 11,200의 유전상수와 $13.5{\mu}C/cm^2$의 잔류분극, 10.198kV/cm의 항전계 값을 나타내었으며 이를 미세구조 관점에서 고찰하였다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제5권1호
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• pp.82-86
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• 1999

For nonconducting perovskite titanates ATiO3 and A'1/2A"1/2TiO3, 5 ferroelectric members were discriminated from 17 quantum paraelectric members via average mass of A ions m(A): ferroelectric for m(A)〉110 a.u. and quantum paraelectric for m(A)<100 a.u. An intuitive explanation of the origin of the discrimination is given concenrned with the ferroelectric soft modes in perovskite ATiO3. Based on the above discrimination, trial synthesis of ferroelectric candiate substances are presented.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제23권8호
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• pp.1078-1084
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• 2002

The formation temperature for the perovskite lead zirconate titanate [Pb(Zr,Ti)O3, PZT] derived from sol-gel route was lowered by more than $100^{\circ}C$ with the addition of crystallographically suitable seed particles, such as barium titanat e (BT) or PZT. We investigated the effect of seeding on the crystallization of perovskite phase and in the microstructure of the sol-gel derived PZT powder by varying the concentration, size and chemical species of seed particles. The phase transition as a function of temperature was monitored by DTA, XRD, and Raman spectroscopy, and the interface between the seed particle and grown PZT layer was analyzed by SEM and high resolution TEM techniques. It was found that both the heterogeneous and homogeneous nucleation contributes competitively in the formation of perovskite PZT grains.

• 공업화학
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• 제35권2호
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• pp.100-106
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• 2024

NiO와 페로브스카이트 사이의 전하 이동과 계면특성을 개선하기 위해, 솔-젤로 제조된 NiO를 [2-(9H-carbazol-9-yl)ethyl] phosphonic acid (2PACz)으로 개질한다. 2PACz의 인산기(head group)는 NiO 표면의 수산화기(-OH)와 응축 반응을 통해 결합되며, 더 깊은 가전자대가 형성되면서 페로브스카이트 층의 가전자대와 에너지밴드가 더 잘 일치하게 되어 생성된 전하의 재결합이 억제되고 에너지 손실이 감소하게 된다. 더불어, 페로브스카이트의 표면 및 페로브스카이트/정공 전달층 계면에 핀홀이 없는 고질의 페로브스카이트 필름이 형성된다. 결과적으로, 13.69%의 효율을 나타내는 NiO 기반 소자와 비교했을 때, 최적의 2PACz으로 개질된 NiO 기반 소자는 17.08%의 높은 효율을 보여주며, 공기 조건에서 더 뛰어난 안정성을 보여준다.

• 공업화학
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• 제24권5호
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• pp.507-512
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• 2013

페롭스카이트형 산화물을 마이크로파 공정으로 합성하여 XRD, XPS, BET 및 $H_2-TPR$ 등에 의해 특성분석을 하였고, 벤젠의 연소반응에서의 활성을 조사하였다. 대부분의 촉매들은 페롭스카이트 결정구조를 잘 가지고 있었으며 21 nm 에서 35 nm의 크기를 나타내었다. $LaMnO_3$ 촉매가 가장 높은 활성을 보여주었고 $250^{\circ}C$에서 거의 100%의 전환율을 나타내었으며, 마이크로파 공정으로 제조한 촉매가 기존의 졸-겔법으로 제조한 촉매에 비해 높은 활성을 보여주었다. 또한 소성온도가 증가함에 따라 연소반응의 활성이 증가하였다. 모든 촉매들의 산화환원 성질을 측정한 수소 승온환원 실험 결과는 벤젠의 연소반응의 순서와 잘 일치하였다.

• 한국재료학회지
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• 제7권1호
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• pp.33-39
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• 1997

ECR PECVD법에 의해 $Pt/Ti/SiO_{2}/Si$ 다층 기판 위에 $480^{\circ}C$에서 순수한 페로브스카이트상의 PLT박막을 증착하였다. PLT 박막 증착전 ECR산소 플라즈마내에서의 $Pb(DPM)_{2}$ pre-flowing처리는 $Pb(DPM)_{2}$의 공급을 안정화시켜주며 박막증착초기에 Pb성분이 풍부한 분위기를 조성해 줌으로써 페로브스카이트 핵생성을 용이하게 하여 PLT박막 특성을 향상시켰다. Ti-source 유입량을 변화시킬 때 PLT박막의 증착특성, 조성, 결정상 그리고 전기적 특성을 관찰하였다. PLT박막은(100)으로 우선 배향되었으며 화학양론비가 잘 맞는 경우 높은 페로브스카이트 X-선 회절강도와 높은 유전율을 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제30권7호
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• pp.333-337
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• 2020

Orthorhombic DyMnO₃ films are fabricated epitaxially on Nb-1.0 wt%-doped SrTiO₃ single crystal substrates using pulsed laser deposition technique. The structure of the deposited DyMnO₃ films is studied by X-ray diffraction, and the epitaxial relationship between the film and the substrate is determined. The electrical transport properties reveal the diodelike rectifying behaviors in the all-perovskite oxide junctions over a wide temperature range (100 ~ 340 K). The forward current is exponentially related to the forward bias voltage, and the extracted ideality factors show distinct transport mechanisms in high and low positive regions. The leakage current increases with increasing reverse bias voltage, and the breakdown voltage decreases with decrease temperature, a consequence of tunneling effects because the leakage current at low temperature is larger than that at high temperature. The determined built-in potentials are 0.37 V in the low bias region, and 0.11 V in the high bias region, respectively. The results show the importance of temperature and applied bias in determining the electrical transport characteristics of all-perovskite oxide heterostructures.

• 한국재료학회지
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• 제7권6호
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• pp.522-528
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• 1997

RF-magnetron Sputtering Process를 이용하여 Pt/Ti/Si(100)기판위에 lanthanum-modified lead titanate 박막을 제작하였다. 기판온도와 증착시간이 증가함에 따라 증착율은 감소하였다. 기판온도가 증가함에 따라 fine grain들은 large grain으로 변화하였다. Perovskite구조는 기판온도 54$0^{\circ}C$, gas pressure 30mtorr에서 나타나기 시작하였다. 본 실험에서 perovskite 박막제작에 대한 조건은 기판온도 58$0^{\circ}C$, gas pressure 30mtorr였다. Pt/Ti/Si(100) 우선 배향된 박막을 얻었다. La양이 증가함에 따라 유전율, 항전계, 잔류분극량은 증가하였다. 중심주파수가 44.7MHz, 전파속도는 2680m/sec를 가지는 SAW filter 특성을 얻었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제49권2호
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• pp.168-174
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• 2011

La을 기반으로 하는 다양한 페롭스카이트 촉매를 페치니(Pechini)법에 따라 제조하고, 이 촉매를 음식물 처리 과정에서 발생하는 악취 성분의 저온 산화 반응에 적용하여 효과적인 탈취가 이루어지도록 하였다. 배출 가스의 정량 및 정성 분석을 통하여 음식물 처리 시간에 따른 주요 악취 성분의 양을 조사하였다. 그리고 주요 악취 성분들로 구성된 표준 악취 시료는 산화 반응기의 반응물로 도입하였다. 먼저, 다양한 전이 금속 M이 치환된 La 기반 페롭스카이트 촉매($LaMO_{3}$: M=Cr, Mn, Fe, Co 및 Ni)를 제조하고 전이 금속 M의 영향을 알아보기 위해 악취 성분의 산화 반응에 적용한 결과, 테스트한 촉매 중에서 $LaNiO_3$ 촉매가 가장 우수한 촉매 활성을 보였다. 또한 촉매 활성을 증진시키기 위하여 Pt가 치환된 페롭스카이트 촉매($LaNi_{1-x}Pt_{x}O_{3}$: x=0, 0.03, 0.1 및 0.3)를 제조하였고, 이로부터 $LaNi_{0.9}Pt_{0.1}O_{3}$ 촉매가 가장 효율적인 촉매인 것을 알 수 있었다. 끝으로 저온 산화 반응에서의 페롭스카이트 촉매의 활성을 극대화하기 위하여 담지된 페롭스카이트 촉매($XLaNi_{0.9}Pt_{0.1}O_{3}/Al_{2}O_{3}$: X=페롭스카이트 함량(wt%), 0, 10, 20, 30, 40, 50 및 100)를 적용하였다. $XLaNi_{0.9}Pt_{0.1}O_{3}/Al_{2}O_{3}$ 촉매의 활성은 페롭스카이트 함량에 따라 화산형(Volcano-shaped) 곡선을 나타내었으며, 이 때 $20LaNi_{0.9}Pt_{0.1}O_{3}/Al_{2}O_{3}$ 촉매가 $180^{\circ}C$의 반응 온도에서 88.7%의 가장 높은 전환율을 보였다.

• 통합자연과학논문집
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• 제8권4호
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• pp.244-249
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• 2015

The PZT thin films were deposited on Si(100) substrate using RF magnetron sputtering method. And the PZT thin films were post annealed at various temperatures to form perovskite phase. To analyze PZT thin films, surface profiler, XRD, XPS, CA, and SFE were used. The thickness increased from 536.5 to 833.2 nm as post annealing temperature increased. The perovskite PZT was observed from PZT-823 and pyrochlore PZT, $ZrO_2$, $TiO_2$, and perovskite $PbZrO_3$ were observed. From the XPS, the atomic percentages of Pb, Zr, Ti, and O were calculated and the portion of Pb increased to PZT-823 and decreased to PZT-923 and then increased to PZT-1023. Also, the CA and SFE was effected on post annealing temperature and as a function of atomic percentage of Pb, the CA and SFE was transformed.