In this study, the BaTiO$\sub$3/ capacitor add to MnO$\sub$2/ like depressor and shifter were investigated for temperature or voltage compensation by structural and electrical analysis. The relative density of BCTM, generating poly crystall and formation of lattice defect, has a 90[%] over as the CaTiO$\sub$3/ come out to control grain size. The current density of BCTM2 increased non-ohmic in high-electric field but that BCTM3 and BCTM4 had a few changing. The BCTM3 and BCTM4 unformated grain boundary shown temperature compensation properties, so that the dielectric constant was low value. The curie point was near 140[.deg. C] in BCTM1 and BCTM4, but BCTM3 and BCTM4 not shown the curie point. It is found that the charging energy of BCTM4 was changed 6[%] according to rising temperature from room temperature to 417[K]. The formation of BaMnO$\sub$3/ was low dielectric constant to change frequency and temperature.
Sintering characteristics and electrical properties of xPb(Mg$_{1}$8/Te$_{1}$8/Mn$_{1}$4/Nb$_{1}$2/) $O_{3}$-(1-x) Pb (Zr$_{1}$2/ $Ti_{1}$2/) $O_{3}$ (x=0.075, 0.1, 0.125) ceramics are investigated. A sintering temperature of ceramics could be reduced to 950.deg. C by a reaction between PbO and B site compound material. The physical properties of 0.1Pb(Mg, Te, Mn, Nb) $O_{3}$ - 0.9Pb(Zr, Ti) $O_{3}$ bulk ceramic with 3wt% glass frit(0.857PbO-0.143W $O_{3}$) were following : den = 7.95 g/cm$^{3}$, T$_{c}$=340.deg. C, .epsilon.$_{33}$= 754, k$_{31}$=0.3 and Q.=1780. The 3-layer piezoelectric transformer by using a tape casting method showed a good monolithic structure, and its voltage setup ratio was 2.5 times higher than that of a single device by using bulk ceramics.s.s.
In this paper, (P $b_{1-x}$ L $a_{x}$)(Z $r_{0.52}$$Ti_{0.48}$) $O_{3}$ (X=0-13[at%]) thin film were prepared by the Sol-Gel method, Multiple PLZT thin films were spin-coated on the Pt/Ti/ $SiO_{2}$Si substrate. The electrical properties of the films were investigated for varying the annealing temperature. In the PLZT(11/52/48) specimens, the dielectric ocnstant of 1236 and the polarization reversal time of 460[nm] were obtained and the breakdown of the film did not occur up to 1*10$^{10}$ cycles at the voltage of 7[V] by the bipolar acceleration. The remanent polarization and coercive field decreased with increasing the content of La in the range of 0-13[at%] and thin film of the PLZT(11/52/48) showed the value of 2.56[.mu.C/c $m^{2}$] and 21.1[kV/cm], respectively.ly.y.
Using the home made Kuhn type LB (Langmuir - Blodgett) film's deposition apparatus, We measured the displacement current of monolayer film on the water surface. The obtained displacement current had each different pattern by the kind of solution while varying pressure of the monolayer. Solution of 4 - octyl - 4' - (5 - carboxyl - pentamethyleneoxy ) - azobenzene (8A5H) and stearic acid (CH$_{3}$(CH$_{2}$)$_{16}$COOH) (C18) were spreaded at the air water interface respectively, and the current induced by the dynamic behavior of molecules were pressed by barrier. Displacement current of 8A5H measured small current than C18 at same condition and it was positive direction when increasing pressure but it was negative direction when decreasing pressure. Also, Two patterns of displacement current were symmetrical form and appeared repeatedly. The C18 has unsymmetrical form of displacement current and weak current when decreasing pressure (expansion). The C18 molecules have two distinct peak values of displacement current that show that the orientations of molecules were changed largely at this points. From these results, we obtained that the 8A5H has more elasticity than the C18.8.C18.
고급강은 소비자가 원하는 적절한 조성을 갖추고 있고 비금속 개재물의 제어를 통해 높은 청정도를 지닌 강을 의미하며, 철강 제품의 품질은 2차 정련 공정에서 제어하는 것이 지배적이다. 2차 정련에서는 시간이 흐름에 따라 용강, 슬래그, 비금속 개재물, 내화물 및 합금원소 간의 복잡한 반응이 동시에 일어나기 때문에 공정에 대한 제어가 쉽지 않다. 따라서 이전 연구자들은 2차 정련의 공정 예측을 위해 Kinetic 기반의 시뮬레이션 모델을 발표하였고, 정밀한 공정 예측을 위해 현재까지 발표된 시뮬레이션 모델들의 검토 및 분석이 필요하다. 본 연구에서는 Coupled Reaction 모델 기반의 2차 정련 모델들을 분석 및 검토하였고, 시뮬레이션 결과를 검토하였다.
The effects of zinc coating and heat treatment on the corrosion resistance of aluminum alloys including A1100 and the modified A3003, used as heat exchanger tube were investigated in this study. The grain size of the heat-treated specimen is larger than that of the specimen without heat treatment, but the grain size did not significantly affect the corrosion behavior. The concentration of zinc was noted at 11.3 ~ 31.4 at.% for the as-received Zn-coated samples and reduced to 1.2 ~ 2.4 at.% after the heat treatment, as measured by the scanning electron microscopy (SEM) with an energy dispersive spectrometer (EDS) on the surface. The concentration of oxygen is 22 ~ 46 at.% for the zinc coated specimens while noted at 7.4 ~ 12.8 at.% for the specimens after the removal of the coating. The corrosion behavior depended largely on the concentrations of zinc, aluminum, and oxygen on the specimen surface, but not on the Mo content. The corrosion potential was high and the corrosion rate was low for a specimen with a low zinc content, a high aluminum content, and a high oxygen content.
Recently nano meter size pattern (sub-micro scale) can be machined mechanically using a diamond tool. Many studies have found a 'size effect' which referred to a specific cutting energy increase with the decrease in the uncut chip thickness at micro scale machining. A new analysis method was suggested in order to observe 'size effect' in nano scale machining and to verify the cause of the 'size effect' in this study. The diamond tool was indented to a vertical depth of 1,000nm depth in order to simplify the stress state and the normal force was measured continuously. The tip rounding was measured quantitatively by AFM. Based on the measurements and theoretical analysis, it was verified that the main cause of the 'size effect' in nano scale machining is geometrically necessary dislocations, one of the intrinsic material characteristics. st before tool failure.
Epitaxial yttrium-stabilized HfO$_2$ thin films were deposited on p-type (100) Si substrates by pulsed laser deposition at a relatively lower substrate temperature of 550. Transmission electron microscopy observation revealed a fixed orientation relationship between the epitaxial film and Si; that is, (100)Si.(100)HfO$_2$ and [001]Si/[001]HfO$_2$. The film/Si interface is not atomically flat, suggesting possible interfacial reaction and diffusion, X-ray photoelectron spectrum analysis also revealed the interfacial reaction and diffusion evidenced by Hf silicate and Hf-Si bond formation at the interface. The epitaxial growth of the yttrium stabilized HfO$_2$ thin film on bare Si is via a direct growth mechanism without involoving the reaction between Hf atoms and SiO$_2$ layer. High-frequency capacitance-voltage measurement on an as-grown 40-A yttrium-stabilized HfO$_2$ epitaxial film yielded an dielectric constant of about 14 and equivalent oxide thickness to SiO$_2$ of 12 A. The leakage current density is 7.0${\times}$ 10e-2 A/$\textrm{cm}^2$ at 1V gate bias voltage.
Electrodeposition technology is widely used in industry for various kinds of coatings. Modifications in this technology led to several processes to meet various requirements. Electrolysis in ionic liquids has many advantages such as low energy consumption of energy, low pollutant emission and low operating costs. Although ionic liquids have already been used in liquid/liquid extraction processes, only recently their use in electrodeposition was exploited. Electrochemical deposition of composites is an expanding area. Coupled with the progress in the synthesis of nanometric powder, this research will open a large number of innovative materials. Pulse current plating is another electrodeposition technique which yields improved coatings. Although electrodeposition is now regarded as an environmental non-friendly process, it is economically viable and has many inherent advantages. For certain applications, alternatives to electrodeposition have not yet been fully implemented. Hence, continued research in this technology is warranted. This article reviews some recent advances in electrodeposition technology. Aspects of electrodeposition such as electrolysis in ionic liquids, electrodeposition of composites, pulse current plating techniques, metal and alloy deposition, compound deposition and effects of additives are discussed in this review.
Aspergillus flavus를 포함한 수종의 곰팡이들은 사람과 가축에 독성이 있는 저분자의 2차대사산물을 생산하며 이를 mycotoxin이라고 부른다. 우리나라 여름과 같은 적당한 온도와 습도는 유해곰팡이의 성장이 가능하여 쌀, 보리, 옥수수, 메주, 된장, 간장 및 고추장과 같은 전통식품 및 그 재료와 같은 대부분의 유기물질에서 mycotoxin이 생산될 수 있다. 지금까지 여러 사람들은 Aspergillus속, Penicillium속, Fusarium속 곰팡이를 전통식품과 그 재료로부터 분리하였으며, 그 중에서 여러 mycotoxin을 생산하는 곰팡이를 검색하였다. 또한 상기와 비슷한 시료에서 aflatoxin, ochratoxin, deoxynivalenol(DON) 및 zearalenone 등의 mycotoxin오염을 확인하기도 했다. 그러나 이러한 자료들은 실험조건과 방법에서 서로 상이하며 일관성이 결여되어있고, 특히 대부분의 실험들이 일과성으로 끝났기 때문에 곰팡이독소를 중심으로 하여 전통식품을 객관적으로 평가하기 위해서는 보다 지속적이고 합리적인 실험방법과 재료가 요구된다. 이러한 목적을 위해서는 새로운 첨단기술을 응용하여 mycotoxin을 보다 간편하고 신속히 분석할 수 있는 방법을 개발해야하며, 또한 보다 지속적인 연구비 투자와 연구시설의 확충으로 연구의 활성화와 기술축적을 위한 노력을 해야할 것이다. 이 같은 합리적인 노력으로 전통식품의 mycotoxin 오염여부를 지속적으로 조사하고, 아울러 우리 전통식품의 안전성을 확보하는 것이 가능하며 그 결과 국제화 시대에 부응하는 보다나은 전통식품의 보존과 개발이 이루어지게 될 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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