• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제9권7호
• /
• pp.652-659
• /
• 1996

Sintering characteristics and electrical properties of xPb(Mg$_{1}$8/Te$_{1}$8/Mn$_{1}$4/Nb$_{1}$2/) $O_{3}$-(1-x) Pb (Zr$_{1}$2/ $Ti_{1}$2/) $O_{3}$ (x=0.075, 0.1, 0.125) ceramics are investigated. A sintering temperature of ceramics could be reduced to 950.deg. C by a reaction between PbO and B site compound material. The physical properties of 0.1Pb(Mg, Te, Mn, Nb) $O_{3}$ - 0.9Pb(Zr, Ti) $O_{3}$ bulk ceramic with 3wt% glass frit(0.857PbO-0.143W $O_{3}$) were following : den = 7.95 g/cm$^{3}$, T$_{c}$=340.deg. C, .epsilon.$_{33}$= 754, k$_{31}$=0.3 and Q.=1780. The 3-layer piezoelectric transformer by using a tape casting method showed a good monolithic structure, and its voltage setup ratio was 2.5 times higher than that of a single device by using bulk ceramics.s.s.

• 한국광물학회지
• /
• 제16권3호
• /
• pp.223-232
• /
• 2003

리튬2차전지용 양극소재 개발을 위해 Li[L $i_{x}$M $n_{1-x-y}$C $r_{y}$ ] $O_2$를 공침법(co-p.ecipitation method)을 적용하여 각각 $650^{\circ}C$(CR650)와 8$50^{\circ}C$(CR850)에서 합성하였다. 리트벨트 구조분석 결과 계산의 정밀도를 나타내는 R 지수값을 보면 $R_{exp}$에 대한 $R_{wp}$값( $R_{wp}$/ $R_{exp}$)은 CR650과 CR850의 각각에 대해 19.2%/10.1%과 15.9%/9.76%를 보여주며, $R_{b}$값은 각각 10.9%와 8.54%, 그리고 S(GofF)값은 각각 1.9와 1.6으로 계산되었다. 합성된 양극소재는 공간군 R3m의 층상구조(LiMn $O_2$)가 존재하였으며, 전이금속 층 내의 Mn이 Li로 치환되면서(Li[L $i_{1}$3/M $n_{2}$3/] $O_2$) 단사구조(C2/c)의 거대격자(Superlattice) 구조현상도 관찰되었다. 계산된 단위포는 공간군 R3m, CR650이 a=2.8520(2)$\AA$, c=14.248(2)$\AA$, V=100.40(1)$\AA^3$이며, CR850은 a=2.8504(1)$\AA$, c=14.2371(7)$\AA$, V=100.179(8)$\AA^3$으로 각각 계산되었다. 또한 최종 결정된 화학식은 CR650은 Li[L $i_{0.35}$M $n_{0.56}$C $r_{0.09}$] $O_2$, CR850은 Li[L $i_{0.27}$M $n_{0.61}$C $r_{0.13}$] $O_2$으로 각각 구해졌다.다...다..구해졌다.다...다..

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제24권9호
• /
• pp.755-759
• /
• 2011

$Cu(In_{1-x},Ga_x)Se_2$ thin films have been considered as an effective absorber material for high efficient solar cells. In this paper, the CIGS thin films with varied Ga content were prepared using a co-evaporation process of three stage. We carry out structure and electrical optical property on the thin film in varied Ga content. CIGS thin films have been characterized by X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM), energy-dispersive spectroscopy(EDS), four-point probe measurement, and the Hall measurement. To optimize Ga contents, Ga/(In+Ga) ratio were changed from 0.13 to 0.72. At this time the carrier concentrations were varied from $1.22{\times}10^{11}\;cm^{-3}$ to $5.07{\times}10^{16}\;cm^{-3}$, and electrical resistivity were varied from $1.11{\times}10^0\;{\Omega}-cm$ to $1.08{\times}10^2\;{\Omega}-cm$. A strong <220/204> orientation and a lager grain size were obtained at a Ga/(In+Ga) of 0.3. We were able to achieve conversion efficiency as high as 15.95% with a Ga/(In+Ga) of 0.3.

• 대한수학회보
• /
• 제26권1호
• /
• pp.1-9
• /
• 1989

In 1980 and 1983, it was proved that P $D^{2}$-groups are surface groups ([2], [3]). Since then, topologists have been positively studying about P $D^{n}$ -groups (or $D^{n}$ -groups). For example, let a topological space X have a right .pi.-action, where .pi. is a multiplicative group. If each x.memX has an open neighborhood U such that for each u.mem..pi., u.neq.1, U.cap. $U_{u}$ =.phi., this right .pi.-action is said to be proper. In this case, if X/.pi. is compact then (1) .pi.$_{1}$(X/.pi).iden..pi.(X:connected, .pi.$_{1}$: fundamental group) ([4]), (2) if X is a differentiable orientable manifold with demension n and .rho.X (the boundary of X)=.phi. then $H^{k}$ (X;Z).iden. $H_{n-k}$(X;Z), ([6]), where Z is the set of all integers.s.

• 한국재료학회지
• /
• 제10권9호
• /
• pp.607-611
• /
• 2000

고밀도 DRAM에서 박막 커패시터로의 적용을 위해 Zr이 첨가된 (Ba(sub)1-x, Sr(sub)x)TiO$_3$<원문차조> 박막이 r.f. magnetron sputter-ing 법에 의해 제조되었다. 증착된 박막들은 다결정질 구조를 보였으며 증착압력이 감소함에따라 Zr/Ti의 비가 현저히 증가하였으며 본 연구에서는 얻어진 박막들은 100kHz에서 380∼525의 유전상수값을 나타냈다. 전압에 따른 커패시턴스와 분극량의 변화는 이력특성을 크게 보이지 않아 상유전상으로 형성되었음을 보였다. 누설전류밀도는 증착압력이 감소함에 따라 작아지는 경향을 보였고 10mTorr이상에서 증착된 박막의 경우 200kV/cm의 전계에서 10(sup)-7∼10(sup)-8A/$\textrm{cm}^2$의 차수를 갖는 누설전류밀도를 보여 본 연구에서 제조된 (Ba(sub)1-x, Sr(sub)x)(Ti(sub)1-x, Zr(sub)x)O$_3$<원문참조>박막은 고밀도 DRAm을 위한 커패시터에의 적용가능성을 보였다.

• 자연과학논문집
• /
• 제14권2호
• /
• pp.41-54
• /
• 2004

$LaMnO_3$(a=$5.51\AA$, c=$13.33\AA$) 페로브스카이트형 복합산화물에서 A site인 La자리에 Sr을 치환시킨 $La_{0.9}Sr_{0.1}MnO_3$(a=$5.33\AA$, c=$13.27\AA$)와 B site인 Mn을 Cu로 치환시킨 $LaMn_{0.9}Cu_{0.1}O_3$(a=$5.52\AA$, c=$13.31\AA$) 복합산화물을 Citrate sol-gel법을 이용하여 합성하였으며 분말 X-ray회절 분석기(XRD)을 이용하여 Rhombohedral의 페로브스카이트 구조임을 확인하였다. 수소 환원분위기에서의 TRR결과에 의하면 이들 산화물의 산소 화학양론은 $LaMnO_{3.16}$, $La_{0.9}Sr_{0.1}MnO_{3.10}$, $LaMn_{0.9}Cu_{0.1}O_{3.14}$의 조성을 갖는다. $LaMnO_3$는 2단계 환원반응을 일으키지만 각 자리를 치환시킨 $LaMnO_3$ 복합산화물은 3단계 환원반응을 일으켰다.

• 한국지반환경공학회 논문집
• /
• 제14권5호
• /
• pp.57-63
• /
• 2013

본 연구에서는 전자빔공정에서 반응표면법의 하나인 Box-Behnken법을 이용하여 주요 인자로서 diazinon 농도($X_1$), 조사강도($X_2$)와 pH($X_3$)를 토대로 3개 수준으로 구성된 실험설계에 따라 diazinon의 제거와 무기화 특성에 대해 연구하였다. 우선 pH와 diazinon 농도의 영향이 반응표면법(RSM)에 적용될 적정 범위를 결정하기 위해 수행되었다. 통계적 접근은 회귀분석과 분산분석(ANOVA)를 각 인자별 정량적 비교를 도출하기 위해 적용하였으며, 인자별 영향은 조사강도>diazinon 농도>pH의 순으로 나타났다. 회귀모델은 최적화도구를 이용하여 운영조건의 영향을 고려한 최적점을 예측하였으며, 그에 따른 모델식은 $Y_1=81.73-5.58X_1+23.69X_2-14.23X{_2}^2+4.22X{_3}^2(R^2=99.7%)$, $Y_2=35.23-3.01X_1+10.79X_2-7.58X_2{^2}(R^2=97.9%)$로 도출하였다. 그에 따른 결과는 diazinon 농도 12.75mg/L와 조사강도 4.26kGy에서 diazinon 제거율 95.7%, TOC 저감율은 41.8%로 나타났다. pH 조건은 기존의 다른 고도산화공정(AOPs)에 비해 전자빔 공정에서는 유의한 영향이 없는 것으로 나타났다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
• /
• 제16권7호
• /
• pp.25-34
• /
• 2011

본 논문에서는 골프 퍼팅 훈련 시스템인 X-Putt를 제안한다. X-Putt는 3차원 공간상의 퍼터의 위치와 각도를 실시간으로 추적함으로써 퍼팅 스트로크를 분석한다. 이를 위하여, X-Putt는 기존의 측위 시스템이 가지는 측정오차를 개선하여 보다 정밀한 초음파 기반의 실시간 위치 측정 시스템을 적용한다. 성능 평가 결과에 의하면,X-Putt는 3차원 공간상에서 퍼터의 위치를 ${\pm}0.9cm$ 측정 오차 범위 내에서 정밀하게 측정하였다. 또한 페이스 각도는 ${\pm}1.5^{\circ}$의 오차 범위를 보여준다. 추가적으로, 사용자가X-Putt를 이용하여 손쉽게 퍼팅훈련을 하고, 피드백결과를 확인할 수 있도록 직관적인 인터페이스의 사용자 응용 프로그램을 구현하였다.

• Current Photovoltaic Research
• /
• 제4권3호
• /
• pp.114-118
• /
• 2016

$Cu_{1.8}Zn_{1.2}(Sn_{1-x}Ge_x)S_4$ (CZTGeS) nanocrystals were mechanochemically synthesized from elemental precursor powders without using any organic solvents and any additives. The composition of CZTGeS nanocrystals were systematically varied with different Ge mole fraction (x) from 0.1 to 0.9. The XRD, Raman spectroscopy, high-resolution TEM, and diffuse reflectance studies show that the as-synthesized CZTGeS nanocrystals exhibited consistent changes in various structural and optical properties as a function of x, such as lattice parameters, wave numbers for $A_1$ Raman vibration mode, interplanar distances (d-spacing), and optical bandgap energies. The bandgap energy of the synthesized CZTGeS nanocrystals gradually increases from 1.40 to 1.61 eV with increasing x from 0.1 to 0.9, demonstrating that Ge-doping is useful means to tune the bandgap of mechanochemically synthesized nanocrystals-based kesterite thin-film solar cells. The preliminary solar cell performance is presented with an efficiency of 3.66%.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제1권1호
• /
• pp.22-25
• /
• 2000

Polycrystalline SBTN layered ferroelectric thin film with various Nb mole ratios were prepared by sol-gel method Pt/ $SiO_2$/Si (100) substrates. The films were annealed at different temperature and characterized in terms of phase and microstructure. The films were crystallized with a high (105) diffraction intensity and had rodike structure, SBTN films fired at 800$^{circ}C$ revealed standard hysteresis loops with no fatigue for up to 10$^{10}$ cycles. At an applied voltage of 5V the dielectric constant($varepsilon$) , dissipation factor (tan $delta$), remanent polarization(ZPr) and coercive field(Ec) of typical S $r_{0.8}$B $i_{2.3}$(T $a_{1-x}$ N $b_{x}$) $O_{9+}$$alpha$/ thin film(x=0.1) prepared on Pt/ $SiO_2$/Si (100) were about 277.7, 0.042, 3.74$mu$C/$textrm{cm}^2$, and 24.8kv/cm respectively.ly.y. respectively.ly.y.y..