• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2005.05a
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• pp.191-191
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• 2005

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.12 no.3
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• pp.201-209
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• 2001

The change of optical transmittance of $PdH_x$ thin film due to hydrogen concentration change was measured at room temperature. Pd film($312{\AA}$ thick) was made by thermal evaporation on glass substrate. Hydrogen absorption and desorption cycling effect on optical transmittance was measured 4 times in the pressure range between 0 and 640 torr. Ratio of optical transmittance to the change of ln pressure(torr) increases with increasing number of hydrogen A-D cyclings in the ${\beta}$ phase.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.150-150
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• 2010

비휘발성 메모리의 구조는 ONO($SiO_2$, $SiN_X$, $SiN_XN_Y$), 혹은 NNO($SiN_X$, $SiN_X$, $SiN_XN_Y$)등으로 구성된 blocking layer, charge storage layer, tunneling layer 등이 일반적이다. 본 연구에서 제작된 OSO구조는charge storage layer를 a-Si을 사용한 것으로, 기존에 사용되던 charge storage layer인 $SiN_x$ 대신에 a-Si:H 를 사용하였다. 최적의 전하 저장층 조건을 알기 위하여 가스비에 따른 raman 및 bandgap 측정, 그리고 C-V 통하여 트랩된 전하 저장량 및 flatband 전압의 shift 값을 측정 및 분석하였다. 실험 결과, bandgap이 작아 band edge 저장 가능하며, SiNx 와 마찬가지로 a-Si:H 내 트랩에 저장이 가능하였다. 또한 $SiO_2$/a-Si:H와 a-Si:H/SiOxNy 계면의 결함 사이트에 전하의 저장되며, bandgap이 작아 트랩 또는 band edge에 위치한 전하들이 높은 bandgap을 가지는 blocking 또는 tunneling layer를 통하여 빠져 나오기 어려운 특성이 있었다. 본 연구에서는 최적의 전하 저장 층 조건을 알기 위하여 가스비에 raman 및 bandgap 측정, 그리고 C-V 통하여 트랩된 flatband 전압의 shift 값을 측정하여 결과를 논의하였다. 또한 OSO 구조의 두께에 있어 MIS 결과와 poly-Si 상에 실제 제작된 NVM 소자의 switching 특성을 논의하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.135-136
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• 2008

이 실험에서는 비휘발성 메모리에서의 블로킹 층으로 $SiN_x$ 박막을 사용하였다. ELA (poly-Si) 기판위에 $SiO_xN_y$ 박막을 성장하기 전에 BHF를 이용해 자연 산화막을 제거하였다. 터널 층을 위해 2.7nm두께의 $SiO_xN_y$를 ICP-CVD 장비를 이용해 유리기판위에 증착하였다. 다음으로 $SiH_4/H_2$기체를 이용， ICP-CVD장비를 이용해 전하 저장을 위한 a-Si 박막을 증착하고, 마지막으로 a-Si층 위에 $SiN_x$ 층을 형성하였다. $SiN_x$ 박막을 형성하는데 최적의 조건을 찾기 위해 가스의 구성 비율 및 증착시간을 변화시키고 온도와 RF power도 바꿔주었다. 굴절률이 1.79 고 두께가 30 nm 인 $SiN_x$는 블로킹 층으로 사용하기 위한 것이다. 제작된 NSO-NVM 소자의 전기적 메모리 특성은 on current가 약 $10^{-5}$ A 이고 off current가 약 $5\times10^{-13}$ A로 전류 점멸비$(I_{ON}/I_{OFF})$는 약 $1\times10^7$ 이고 Swing 값은 0.53V/decade 이다. 1ms 동안의 programming/erasing 결과 약 3.5 V의 넓은 메모리 윈도우 크기를 가진다는 것을 확인할 수 있다.

• Journal of the Korean Society for Industrial and Applied Mathematics
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• v.26 no.4
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• pp.185-223
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• 2022

The classical equation of Jonathan Homer Lane and Robert Emden, a nonlinear second-order ordinary differential equation, models the isothermal spherical clouded gases under the influence of the mutual attractive interaction between the gases' molecules. In this paper, the Adomian decomposition method (ADM) is presented to obtain highly accurate and reliable analytical solutions of a class of generalised Lane-Emden equations with strong nonlinearities. The nonlinear term f(y(x)) of the proposed problem is given by the integer powers of a continuous real-valued function h(y(x)), that is, f(y(x)) = h^m(y(x)), for integer m ≥ 0, real x > 0. In the end, numerical comparisons are presented between the analytical results obtained using the ADM and numerical solutions using the eighth-order nested second derivative two-step Runge-Kutta method (NSDTSRKM) to illustrate the reliability, accuracy, effectiveness and convenience of the proposed methods. The special cases h(y) = sin y(x), cos y(x); h(y) = sinh y(x), cosh y(x) are considered explicitly using both methods. Interestingly, in each of these methods, a unified result is presented for an integer power of any continuous real-valued function - compared with the case by case computations for the nonlinear functions f(y). The results presented in this paper are a generalisation of several published results. Several examples are given to illustrate the proposed methods. Tables of expansion coefficients of the series solutions of some special Lane-Emden type equations are presented. Comparisons of the two results indicate that both methods are reliably and accurately efficient in solving a class of singular strongly nonlinear ordinary differential equations.

• Kyungpook Mathematical Journal
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• v.43 no.4
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• pp.513-518
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• 2003

In this paper, we have proved a theorem on Hausdorff summability of Fourier series which generalizes various known results. We prove that if $${\int}_{o}^{t}\;{\mid}{\phi}(u){\mid}\;du=o(t)\;as\;t{\rightarrow}0\; and\;\lim_{n{\rightarrow}{\infty}}{\int}^{\eta}_{{\pi}/n}{\frac{{\mid}{\phi}(t)-{\phi}(t+{\pi}/n){\mid}}{t}}dt=o(n)$$ where 0 < ${\eta}$ < 1, then the Fourier series is (H, ${\mu}_n$) summable to s at t = x where the sequence ${\mu}_n$ is given by ${\mu}_n={\int}^1_0x^n{\chi}(x)\;dx\;n=0,1,2\;and\;K_n(t)=\limits\sum_{{\nu}=0}^n(\array {n\\{\nu}})({\Delta}^{{n}-{\nu}}{\mu}_{\nu}){\frac{sin{\nu}t}{t}}$.

• Journal of the Korean Mathematical Society
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• v.54 no.4
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• pp.1175-1187
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• 2017

The spectral problem $$-y^{{\prime}{\prime}}+q(x)y={\lambda}y,\;0 < x < 1, \atop y(0)cos{\beta}=y^{\prime}(0)sin{\beta},\;0{\leq}{\beta}<{\pi};\;{\frac{y^{\prime}(1)}{y(1)}}=h({\lambda})$$ is considered, where ${\lambda}$ is a spectral parameter, q(x) is real-valued continuous function on [0, 1] and $$h({\lambda})=a{\lambda}+b-\sum\limits_{k=1}^{N}{\frac{b_k}{{\lambda}-c_k}},$$ with the real coefficients and $a{\geq}0$, $b_k$ > 0, $c_1$ < $c_2$ < ${\cdots}$ < $c_N$, $N{\geq}0$. The sharpened asymptotic formulae for eigenvalues and eigenfunctions of above-mentioned spectral problem are obtained and the uniform convergence of the spectral expansions of the continuous functions in terms of eigenfunctions are presented.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.133-134
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• 2008

이 논문에서는 $SiN_x$의 band gap 차이를 이용하여 MIS 구조의 메모리 소자를 제작하고 이를 분석하였다. $SiN_x$ 박막은 증착 가스비에 따라 다양한 band gap을 가지게 된다. 본 실험에서는 n-type 단결정 실리콘 기판위에 $SiH_4/NH_3$ 가스를 혼합하여 $SiN_x$ 박막을 증착하고, UV-Vis Spectrophotometer 장비를 이용하여 band gap을 구하였다. 큰 band gap을 갖는$SiN_x$ 박막을 블로킹 층에, 작은 band gap을 작는 $SiN_x$ 박막을 전하 저장 층에 사용하였다. 제작된 NNO 구조일 소자는 7.6 V의 hysteresis roof 폭과 1000초 후에 88.6 %의 retention 값을 갖는 우수한 메모리 특성을 보였다.

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.3 no.2
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• pp.35-43
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• 1992

Thin Film yttrium, 500 nm thick, was prepared by electron beam evaportion on sapphire substrate. Film was hydrogenated at room temperature upto 1 bar hydorgen pressure without any activation process. Electrical resistivity was measured by four-point DC method in the temperature range between room temperature and 30 K for various hydorgen concentration x = 0 to 2.924 of $YH_x$ sample. Temperature dependent resistance of $YH_{2\;924}$ shows low temperature minmum at 105K ($36{\mu}{\Omega}cm$ deep), the metal-semiconductor transition at 260K, and a hysteresis, which are similar behavior to bulk $YH_x$(x>2) experimental results.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.05c
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• pp.204-207
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• 2001

HWE 법으로 전 영역의 ZnMnTe 단결정 박막을 성장하였다. 상온 반사 스펙트럼으로부터 상온에서의 에너지 띠 간격이 Mn 조성비 증가에 따라 선형적으로 증가함을 알았다. 외부 자기장이 없는 10 K에서의 photoluminescence 스펙트럼에서 엑시톤 관련 near edge emission과 큰 조성비에서 지배적인 inta-$Mn^{2+}$ transition($^4T_1{\rightarrow}^6A_1$)을 관측하였다. edge emission은 조성비에 따라 선형적이고, intra-ion transition은 거의 변화가 없었다.