• 제목/요약/키워드: $ZrF_x$

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Enhanced Electrochemical Property of Surface Modified Li[Co1/3Ni1/3Mn1/3]O2 by ZrFx Coating

  • Yun, Su-Hyun;Park, Yong-Joon
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제31권2호
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    • pp.355-359
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    • 2010
  • A $Li[Co_{1/3}Ni_{1/3}Mn_{1/3}]O_2$ cathode was modified by applying a $ZrF_x$ coating. The surface-modified cathodes were characterized by XRD, SEM, EDS, TEM techniques. XRD patterns of $ZrF_x$-coated $Li[Co_{1/3}Ni_{1/3}Mn_{1/3}]O_2$ revealed that the coating did not affect the crystal structure of the parent powder. SEM and TEM images showed that $ZrF_x$ nano-particles were formed as a coating layer, and EDS data confirmed that $ZrF_x$ distributed uniformly on the surface the powder. Capacity retention of coated samples at high C rates was superior to that of pristine sample. However, as the coating concentration increases beyond the optimum concentration, the rate capability was deteriorated. Whereas, as the increase of coating concentration to 2.0 wt %, the cyclic performances of the electrodes under the severe conditions (high cut-off voltage, 4.8 V, and high measurement temperature, $55^{\circ}C$) were improved considerably.

BZN-SZN계 세라믹스의 마이크로파 유전 특성에 미치는 $ZrO_2$의 영향 (Effect of $ZrO_2$Addition on the Microwave Dielectric Properties of BZN-SZN System Ceramics)

  • 윤석규;박우정;양우석;윤대호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권11호
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    • pp.1042-1045
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    • 2001
  • Ba(Zn$_{1}$3/Nb$_{2}$3/) $O_3$-Sr(Zn$_{1}$3/Nb$_{2}$3/) $O_3$계에 대하여 소결 온도 변화와 Zr $O_2$첨가량에 따른 마이크로파 유전특성을 조사하였다. 동일 조성에서 소결 온도가 증가함에 따라 밀도가 향상되고 공진 주파수의 온도계수($ au$$_{f}$)는 감소하는 경향을 보였으나, 유전상수(K)와 품질계수(Q$\times$f)는 커다란 변화가 없었다. 또한 Zr $O_2$첨가량이 증가함에 따라 소결 시편의 밀도가 향상되었고 더불어 유전상수, 품질계수가 증가하는 경향을 보였으며, 공진 주파수의 온도계수가 감소하는 우수한 특성이 나타났다. 특히, 소결온도 1575$^{\circ}C$, 0.6 wt% Zr $O_2$를 첨가했을 때 유전상수가 최대($\varepsilon$$_{r}$=41)로 나타났으며, 공진 주파수의 온도계수는 1.0wt% Zr $O_2$를 첨가했을 때 최소($\tau$$_{f}$=+0.8ppm/$^{\circ}C$)로서 양호한 값을 얻을 수 있었다.었다.

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Physicochyemical Properties of $ZrF_4-Based$ Fluoride Glasses Containing Rare-Earth Ions

  • Ishioka, Noriyuki;Ogawa, Kouji;Arakawa, Tsuyoshi
    • The Korean Journal of Ceramics
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    • 제5권4호
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    • pp.375-378
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    • 1999
  • In tho XRD study of $56ZrF_4 \cdot34BaF_2 \cdot4AIF_3 \cdot(6-x)LaF_3 \cdotxLnF_3$ glassdLn=Ce, Nd, Gd, Th), halo pattern charactarktic fo an amorphous sample appeared. When the halo peak angle ($\theta_p$) was converted into a wavenumber with $Qp=4\pi sinG\pi/\lambda(\lambda$ is the wavolongth of the radialion used), it was found that the Qp values varied almost liuearly with the concentration 01 $LnF_3$. The emissiou spect1.a of $Ce^{3-}$-containing fluoride glasses nnder 273 nm excitation had a peak maximum at ea. 300 nm $(Ce^{3+}$ 5d-4f- transition). The maximal intensity of the fluorescence was observed when the $CeF_3$, content was extremely low (ca. 1 mol%j. DTA measurement revealed tbat these fluoride glasses had two crystallization temperatures. In $56ZrF_4. 34BaF_2. 4NF_3. (6-x)LaF_3 .xNdF_3$ glasses, the actmation energies of crystallization obtained from a Kssinger plot were 1.7 and 5.0 eV for the glass with x=2, and 1.9 and 5.6 eV for the glass with x=4.

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Zr이 첨가된 $({Ba_{1-x}},{Sr_x})TiO_3$ 박막의 미세구조와 전기적 성질 (Microstructures and Electrical Properties of Zr Modified $({Ba_{1-x}},{Sr_x})TiO_3$ Thin Films)

  • 박상식
    • 한국재료학회지
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    • 제10권9호
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    • pp.607-611
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    • 2000
  • 고밀도 DRAM에서 박막 커패시터로의 적용을 위해 Zr이 첨가된 (Ba(sub)1-x, Sr(sub)x)TiO$_3$<원문차조> 박막이 r.f. magnetron sputter-ing 법에 의해 제조되었다. 증착된 박막들은 다결정질 구조를 보였으며 증착압력이 감소함에따라 Zr/Ti의 비가 현저히 증가하였으며 본 연구에서는 얻어진 박막들은 100kHz에서 380∼525의 유전상수값을 나타냈다. 전압에 따른 커패시턴스와 분극량의 변화는 이력특성을 크게 보이지 않아 상유전상으로 형성되었음을 보였다. 누설전류밀도는 증착압력이 감소함에 따라 작아지는 경향을 보였고 10mTorr이상에서 증착된 박막의 경우 200kV/cm의 전계에서 10(sup)-7∼10(sup)-8A/$\textrm{cm}^2$의 차수를 갖는 누설전류밀도를 보여 본 연구에서 제조된 (Ba(sub)1-x, Sr(sub)x)(Ti(sub)1-x, Zr(sub)x)O$_3$<원문참조>박막은 고밀도 DRAm을 위한 커패시터에의 적용가능성을 보였다.

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급냉응고법으로 제조한 Zr-Ni-Cu-Al-Ti 합금의 열적, 기계적 성질 (Thermal and Mechanical Properties of Rapidly Solidified Zr-Ni-Cu-Al-Ti Alloy)

  • 최익석;한태교;지용권;임병문;김영환;김인배
    • 한국재료학회지
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    • 제11권3호
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    • pp.171-177
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    • 2001
  • 급냉응고방식으로 제조한 비정질 Z $r_{62-x}$N $i_{10}$C $u_{20}$A $l_{8}$ $Ti_{x}$ (x=3, 6, 9at%) 합금을 사용하여 열적, 기계적 성질을 조사하였다. 시효온도에 따른 결정화 거동은 Ti 3at%에서는 비정질$\longrightarrow$비정질+Z $r_2$A $l_3$+Zr+(Ni,Ti)$\longrightarrow$Z $r_2$Cu+Al+(Ni,Ti)의 결정화 거동을 나타내었으며, Ti 6at%에서는 비정질$\longrightarrow$비정질+Al$\longrightarrow$A $l_2$Ti+NiZr+CuTi, Ti 9at%에서는 비정질$\longrightarrow$비정질+Zr+Al$\longrightarrow$Zr+A $l_2$Zr+Al $Ti_3$+CuTi의 결정화 거동을 보였다. 시효온도가 증가할수록 비정질 모상에 석출상의 체적율( $V_{f}$ )이 증가하고 그에 따라 비커스 경도 ( $H_{v}$ )간이 증가하였다. 파괴인장강도($\sigma_{f}$ )는 $V_{f}$ 의 증가에 따라 증가하다가 Z $r_{59}$A $l_{10}$N $i_{20}$C $u_{8}$ $Ti_3$$V_{f}$ =38%에서 1219MPa의 최대값을 보이고, Z $r_{56}$A $l_{10}$N $i_{20}$C $u_{8}$ $Ti_{6}$$V_{f}$ =2%에서 1203MPa의 최대값을 보이고, Z $r_{53}$A $l_{10}$N $i_{20}$C $u_{8}$ $Ti_{9}$ $V_{f}$ =5%에서 1350MPa의 최대값을 나타낸 후 그 이상의 $V_{f}$ 에서는 급격히 감소하였다. $\sigma_{f}$ 가 급격히 감소하는 $V_{f}$ 와 연성 파면에서 취성파면으로 천이되는 $V_{f}$ 가 일치하였다.f/가 일치하였다.

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PSN-PMN-PZT 세라믹스의 Zr/Ti 비에 따른 전기적 특성과 공진주파수의 온도안정성 (Electrical Properties and Temperature Stability of resonant Frequency with Zr/Ti ratio in PSN-PMN-PZT Ceramics)

  • 류주현;윤광희;민석규;이명수;서성재
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제13권8호
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    • pp.675-680
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    • 2000
  • In this study the temperature coefficient of resonant frequency(TC $F_{r}$) dielectric and piezoelectric properties of Pb[(S $b_{1}$2//N $b_{1}$2/)$_{0.065}$)-(Z $r_{x}$, $Ti_{1-x}$ )$_{0.90}$] $O_3$ceramics were investigated with Zr/Ti ratio. The compositions near the morphotropic phase boundary (MPB) appeared when Zr/Ti ratio was 49.5/50.5 The dielectric constant and electromechanical coupling factor( $k_{p}$) also showed the highest values of 1,257, 0.653 respectively when the Zr/Ti ratio was 49.5/50.5 Moreover the mechanical quality factor( $Q_{m}$) showed th lowest value of 713 when the Zr/Ti ratio. The temperature coefficient of resonant frequency(TC $F_{r}$) abruptly change at the morphotropic phase boundary(MPB) which existed between the rhombohedral phase with highly negative TC $F_{r}$ of -106ppm/$^{\circ}C$ and the tetragonal phase with highly positive TC $F_{r}$ of +64pp $m^{\circ}C$ as Zr/Ti ratio varied from 50/50 to 49.5/50.5.50.5..50.5.

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수산염법에 의한 $(Ba_{1-X}Sr_X)ZrO_3$의 합성 및 그의 유전특성에 관한 연구 (A study on the preparation of $(Ba_{1-X}Sr_X)ZrO_3$ using oxalate method and its dielectric properties)

  • Oh Seong Kweon;Nam Seok Baik;Byung Ha Lee
    • 한국결정성장학회지
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    • 제4권3호
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    • pp.252-261
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    • 1994
  • 본 연구는 수산염법에 의해 화학적으로 균일하며 고순도인 미립의 $(Ba_{1-X}Sr_X)ZrO_3$ 분말을 합성하고 합성된 분말의 미세구조와 유전특성을 조사하여 공진주파수의 온도계수$({gamma}_f)$가 안정한 $(Ba_{1-x}Sr_x)Zr0_3$의 최적 합성조건을 규명하고자 하였다. 6가지 조성의 $(Ba{_1-X}Sr_x)ZrO_3$ (X=0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1) 화합물을 수산염법으로 얻은 후 이를 $1000^{\circ}C$에서 하소하여 결정질 $(Ba_{1-X}Sr_X)ZrO_3$ 분말을 합성하였다. 합성한$(Ba_{1-x}Sr_x)Zr0_3$ 분말은 구형으로 $0.2 {mu}m$이하의 평균 입경을 가졌으며, ${\tau}_c$는 Ba에 대해 Sr이 0.5 정도 치환된 조성에서 0이 되는 조성을 유추할 수 있었다.

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Dielectric Properties in the Pb1-3x/2Lax[(Mg1/3Ta2/3)0.66Zr0.34]O3 Systems

  • Kim, Yeon Jung
    • Applied Science and Convergence Technology
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    • 제26권4호
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    • pp.70-73
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    • 2017
  • The dielectric constant and loss of poling/non-poling was measured in the $Pb_{1-3x/2}La_x[(Mg_{1/3}Ta_{2/3})_{0.66}Zr_{0.34}]O_3$ samples. The addition of $La^{3+}$ to the $Pb_{1-3x/2}La_x[(Mg_{1/3}Ta_{2/3})_{0.66}Zr_{0.34}]O_3$ did not cause a large change in grain size. But the addition of $La^{3+}$ did show transition temperature, which shifted toward low temperature in the $Pb[(Mg_{1/3}Ta_{2/3})Zr]O_3$ systems. In addition, the dielectric and pyroelectric properties (${\varepsilon}{\sim}20000$, $p{\sim}0.03C/m^2K$) of this system using $La^{3+}$ have been greatly improved. Pyroelectrics $Pb_{0.97}La_{0.02}(Mg_{1/3}Ta_{2/3})_{0.66}Zr_{0.34}]O_3$ system was found to have a relatively high ferroelectric FOMs ($F_V{\sim}0.035m^2/C$, $F_D{\sim}0.52{\times}10^{-4}Pa^{-1/2}$) at room temperature. Spontaneous polarization showed a value of $0.27{\sim}0.35C/m^2$ in the composition added to $La^{3+}$. The piezoelectric constant ($d_{33}=350{\sim}490pC/N$) and electromechanical coupling factor ($k_P=0.25{\sim}0.35$) are obtained in $Pb_{1-3x/2}La_x[(Mg_{1/3}Ta_{2/3})_{0.66}Zr_{0.34}]O_3$ compositions with $La^{3+}$ dopant.