• Current Photovoltaic Research
• /
• 제4권3호
• /
• pp.93-97
• /
• 2016

Light-emitting chromophores have been separated from silica spheres modified the surface with 3-(trimethoxysilyl)propylmethacrylate (TMSPM). The photoluminescence characteristics of the chromophores were investigated with various excitation wavelengths. The TMSPM was attached to the surface of silica spheres at $75^{\circ}C$. Large number of round shaped particles of the TMSPM was on the surface of silica spheres after 3 h reaction. The TMPSM was completely covered on the surface of the spheres after 6 h reaction. The surface modified silica spheres were soaked into acetone and stored for 20 days at ambient condition. The solution color slowly changed from light yellow to deep yellow with the increase of the storing time. The FTIR absorption peaks at 3348, 2869, 2927, 1715, 1453/1377, 1296, and $1120cm^{-1}$ represent C-OH, $R-CH_3$, $R_2-CH_2$, -C=O, C-H, C=C-H, and Si-O-Si absorption, respectively. The FTIR absorption peak at $1715cm^{-1}$ representing the ester -C=O stretching vibration for silica spheres stored for 20 days was increased compared with the spheres without aging. The UV-visible absorption peaks were at 4.51 eV (275 nm) and 3.91 eV (317 nm). There were two luminescence peaks at 2.51 eV (495 nm) and 2.25 eV (550 nm). The emission at 2.51 eV was dominant peak when the excitation energy was higher than 2.58 eV, and emission at 2.25 eV became dominant peak when the excitation energy was lower than 2.58 eV.

• 한국산업보건학회지
• /
• 제3권2호
• /
• pp.152-165
• /
• 1993

This study was performed at eleven small-sized plating factories located in Seoul, Incheon, Ansan, and Taejeon from July 21 to October 6, 1992. The major objectives of this study were to evaluate worker exposure to hexavalent chromium and local exhaust ventilation (L.E.V.) systems at the chromium plating operations. The most suitable L.E.V. systems for chromium plating tanks were designed as examples for recommendation to the industry. The results are summarized as follows. The range of chromium plating operations investigated included decorative, hard, and black chromium plating on several kinds of parts. Most of plating tanks were not equipped with proper control methods against emission of hexavalent chromium mists and workers were not wearing appropriate personal protectives. The ariborne hexavalent chromium concentrations showed an approximate lognormal distribution. The geometric means of both personal and area samples were within the Korean and ACGIH standards, $50{\mu}g/m^3$. However, in comparison with the NIOSH criterion, $1{\mu}g/m^3$, the geometric means of personal samples at two factories and the geometric means of area samples at two factories exceeded it. The geometric means of personal and area samples of high exposure groups (above the NIOSH criterion) were 7 and 27 times higher than those of low exposure groups (below the NIOSH criterion), respectively. The L.E.V. systems of high exposure groups were improperly designed, and the factory with the highest exposure level had no L.E.V. systems at all on chemical etching process. Whereas at factories of low exposure groups, mist control methods such as mist suppressants, tank cover, and/or auxillary L.E.V. systems were added to L.E.V systems. The evaluation of L.E.V. systems showed that there was no chromium plating operation satisfying the ACGIH criteria for capture velocity, slot velocity, and exhaust rate simultaneously. To increase performance of L.E.V. systems, it must be designed to minimize the impact of boundary layer separation. Push-pull ventilation hood and downward plenum ventilation hood were suggested for the Korean industry.

• Korean Chemical Engineering Research
• /
• 제58권2호
• /
• pp.257-265
• /
• 2020

Densities (ρ) for binary mixtures of ethanol (1) + diisopropyl ether (DIPE) or cyclohexane or alkane (C₆-C₉) (2) were measured at 298.15 K, 308.15 K and 318.15 K. The excess molar volume (V^E_m) of binary mixtures was calculated using ρ data and correlated with Redlich-Kister polynomial equation. The V^E_m values for binary mixtures of ethanol (1) + cyclohexane or n-alkane (C₆-C₉) (2) were positive, whereas for ethanol (1) + DIPE (2) these were negative. The magnitude of V^E_m values follows the order: cyclohexane > n-nonane > n-octane > n-heptane > n-hexane > DIPE. The V^E_m values have been interpreted qualitatively and also quantitatively in terms of Flory-Treszczanowicz-Benson (FTB) model and Prigogine-Flory-Patterson (PFP) theory. The values V^E_m predicted using FTB model agree well with experimental V^E_m values at all mole fractions. But the PFP theory describes well V^E_m data in ethanol-rich region (x₁ > 0.5) for all binary mixtures and is able to predict the sign of V^E_m vs x₁ curve for ethanol-lean region (x₁ < 0.5) except for ethanol (1) + nonane (2) mixtures.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제5권1호
• /
• pp.78-86
• /
• 1995

유리기판 위에 electron beam으로 증착(EBE)된 CdTe film의 결정구조 및 전기 전도도와 광 전도도를 조사하였다. 그 구조는 거의 hexagonal phase 이었으며 Cubic phas가 약간 포함된 다결정이었다. 암 전기 전도도(dark electric conductivity)는 $1-^{-8} {\Omega}^{-1} cm^{-1}$정도이고 $300^{\circ}C$에서 1시간 동안 열처리하여 약간 증가되었다. 온도가 증가됨에 따른 전기 전도도로부터 계산된 활성화 에너지는 실온에서 증착된 film의 경우1.446 eV이었다. 흡수계수로부터 구한 광학적 band gap은 직접 천이(direct transition)인 경우 1.52 eV이었고 간접 천이(indirect transition)인 경우 1.44eV이었다. Film의 광전도도는 약$1-^{-8} {\Omega}^{-1} cm^{-1}$정도이고, 실온에서 대략 600 nm일때 가장 크다. 광전기 전도도는 850 nm에서 증가하기 시작하며 이는 CdTe 다결정의 활성화 에너지 (activation energy)인 1.446 eV와 근사하다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제27권4호
• /
• pp.556-560
• /
• 2023

본 연구에서는 4H-SiC Epi Surface에 Nitrogen implantation 공정이 깊은준위결함과 lifetime에 미치는 영향을 비교분석하였다. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)와 Time Resolved Photoluminescence (TR-PL)을 사용하여 깊은준위결함과 carrier lifetime을 측정하였다. As-grown SBD에서는 0.16 eV, 0.67 eV, 1.54 eV 에너지 준위와 implantation SBD의 경우 0.15 eV 준위에서의 결함을 측정되었으며, 이는 nitrogen implantation으로 불순물이 titanium 및 carbon vacancy를 대체됨으로 lifetime killer로 알려진 Z_1/2, EH_6/7 준위 결함은 감소하였다.

• 한국응용과학기술학회지
• /
• 제37권3호
• /
• pp.516-525
• /
• 2020

폴리옥시에틸렌(POE) 계열에서 두 번째로 작은 화합물인 양친매 분자 2-(2-hexyloxyethoxy) ethanol (C₆E₂) 수용액의 밀도를 측정하였다. 밀도 측정은 진통 튜브 밀도계를 이용하여 279.15 K와 282.15 K에서 이루어졌다. 측정된 밀도로부터 2성분 계 C₆E₂ (1)/H₂O (2)의 과잉 부피와 부분 몰 부피를 결정하였다. 과잉 부피는 음의 편차를 나타내었으며, C₆E₂의 몰 분율 x ≃ 0.45에서 최소 값을 나타내었다. C₆E₂와 물 분자 사이에 끌어당기는 작용이 상대적으로 우월하지만, x ≃ 0.45에서 이 작용이 가장 크다는 사실을 말해준다. 2성분 계 C₆E₂ (1)/H₂O (2)에서 부분 몰 부피 ${\bar{V}}_1$는 몰 분율 x에 따라서 단조 증가하였으며, ${\bar{V}}_2$는 감소하였다. ${\bar{V}}_1$과 ${\bar{V}}_2$에서 C₆E₂ 분자들의 회합을 암시하는 특이점은 관찰되지 않았다.

• 접착 및 계면
• /
• 제4권2호
• /
• pp.30-36
• /
• 2003

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
• /
• pp.235-238
• /
• 2006

Interface formation between $12CaO{\cdot}7Al_2O_3(C12A7:e^-)$ and Alq3 was investigated using in-situ ultra-violet photoelectron spectroscopy (UPS) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The work function and vacuum level shift of $C12A7:e^-$ were change by different surface treatment from 2.6eV to 4.2eV. Also vacuum level shift $(\Delta)$ at the interface were from +0.3eV to -0.3eV.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.127.2-127.2
• /
• 2016

연구된 Si위의 흡착원자들의 확산 메커니즘들에 비해 Ge 표면에서의 확산 메커니즘은 잘 알려져 있지 않다. 최근 연구에 따르면, 수소가 덮인 Ge(110) 표면에서 그래핀 결정 핵생성은 비등방적이며, 낟알 둘레없이 웨이퍼 크기로 성장시킬 수 있음을 보였다. 본 연구에서는 VASP(Vienna Ab-initio Simulation Package)의 NEB(Nudged Elastic Band) 방법을 이용하여 수소가 덮인 Ge(110) 표면과 청결한 표면에서 탄소원자의 확산 과정과 확산에 따른 에너지 장벽을 계산 하였다. 계산 결과 수소가 덮인 표면에서의 탄소원자 확산은 체인 방향으로 각각 3.29 eV, 2.67 eV의 에너지 장벽을 가지고 청결한 표면에서는 탄소원자가 게르마늄 연결을 치환하며 확산한다. 이때 에너지 장벽은 0.82 eV이고 치환된 게르마늄이 확산할 때는 각각 0.64 eV, 0.59 eV의 에너지 장벽을 넘어야 한다. 결과적으로 수소가 덮인 표면에서보다 청결한 표면에서 탄소 확산 에너지 장벽이 낮으며, 청결한 표면에서는 탄소가 게르마늄을 치환하고 치환된 게르마늄이 확산할 확률이 높음을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
• /
• 제2권3호
• /
• pp.299-303
• /
• 1993

Erbium metal을 불순물로서 2mol% 첨가한 TlGaS2:Er3+ 단결정을 수평전기로에서 합성한 ingot를 사용하여 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 결정은 층상으로 이루어진 monoclinic 구조였으며, 10K에서 간접전이형 및 직접전이형 energy band gap은 각각 2.55eV, 2.57eV이었고, Er3+ 이온에 의한 두 개의 불순물 광흡수 peak가 524.9nm와 656.4nm에서 관측되었다. Themally stimulated current(TSC)를 측정하여 0.21eV와 0.38eV의 donor 준위와 0.71eV의 accptor 준위를 구하였다. 10K에서 측정된 photoluminescence(PL) spectrum에서는 632nm와 759nm에서 D-A pair에 의한 broad한 peak와 552, 559, 666, 813, 816, 827nm에서 Er3+ 이온에 의한 sharp한 peak들이 나타났다.