Titanium and its alloys are finding increasing use in medical devices and dental implants. The strong selling point of titanium is its resistance to the highly corrosive body fluids in which an implant must survive. This corrosion resistance is due to a tenacious passive oxide or film which exists on the metal's surface and renders it passive. Potentiodynamic polarization measurement is one of the most commonly used electro-chemical methods that have been applied to measure corrosion rates. And the potentiodynamic polarization test supplies detailed information such as open circuit, rupture, and passivation potential. Furthermore, it indicates the passive range and sensitivity to pitting corrosion. This study was designed to compare the corrosion resistance of the commonly used dental implant materials such as CP Ti, Ti-6A1-4V, Co-Cr-Mo alloy, and 316L stainless steel. And the effects of galvanic couples between titanium and the dental alloys were assessed for their useful-ness-as. materials for superstructure. The working electrode is the specimen , the reference electrode is a saturated calomel electrode (SCE), and the counter electrode is made of carbon. In $N_2-saturated$ 0.9% NaCl solutions, the potential scanning was performed starting from -800mV (SCE) and the scan rate was 1 mV/sec. At least three different polarization measurements were carried out for each material on separate specimen. The galvanic corrosion measurements were conducted in the zero-shunt ammeter with an implant supraconstruction surface ratio of 1:1. The contact current density was recorded over a 24-hour period. The results were as follows : 1. In potential-time curve, all specimens became increasingly more noble after immersion in the test solution and reached between -70mV and 50mV (SCE) respectively after 12 hours. 2. The Ti and Ti alloy in the saline solution were most resistant to corrosion. They showed the typical passive behavior which was exhibited over the entire experimental range. Therefore no breakdown potentials were observed. 3. Comparing the rupture potentials, Ti and Ti alloy had the high(:st value (because their break-down potentials were not observed in this study potential range ) followed by Co-Cr-Mo alloy and stainless steel (316L). So , the corrosion resistance of titanium was cecellent, Co-Cr-Mo alloy slightly inferior and stainless steel (316L) much less. 4. The contact current density sinks faster than any other galvanic couple in the case of Ti/gold alloy. 5. Ag-Pd alloy coupled with Ti yielded high current density in the early stage. Furthermore, Ti became anodic. 6. Ti/Ni-Cr alloy showed a relatively high galvanic current and a tendency to increase.
$Li_{1+x}Al_xTi_{2-x}(PO_4)_3$(LATP) is a promising solid electrolyte for all-solid-state Li ion batteries. In this study, LATP is prepared through a sol-gel method using relatively the inexpensive reagents $TiCl_4$. The thermal behavior, structural characteristics, fractured surface morphology, ion conductivity, and activation energy of the LATP sintered bodies are investigated by TG-DTA, X-ray diffraction, FE-SEM, and by an impedance method. A gelation powder was calcined at $500^{\circ}C$. A single crystalline phase of the $LiTi_2(PO_4)_3$(LTP) system was obtained at a calcination temperature above $650^{\circ}C$. The obtained powder was pelletized and sintered at $900^{\circ}C$ and $1000^{\circ}C$. The LTP sintered at $900{\sim}1000^{\circ}C$ for 6 h had a relatively low apparent density of 75~80%. The LATP(x = 0.3) pellet sintered at $900^{\circ}C$ for 6 h was denser than those sintered under other conditions and showed the highest ion conductivity of $4.50{\times}10^{-5}$ S/cm at room temperature. However, the ion conductivity of LATP (x = 0.3) sintered at $1000^{\circ}C$ decreased to $1.81{\times}10^{-5}$ S/cm, leading to Li volatilization and abnormal grain growth. For LATP sintered at $900^{\circ}C$ for 6 h, x = 0.3 shows the lowest activation energy of 0.42 eV in the temperature range of room temperature to $300^{\circ}C$.
A series of $TiO_2-SiO_2$catalysts were prepared by coprecipitation from the mixed solution of titanium tetrachloride and sodium silicate. Some of the samples were treated with 1N $H_2SO_4$ and used as modified catalysts. The catalytic activities of modified catalysts were higher than those of unmodified catalysts, and the effect of modification on the catalytic activity was higher for 2 - propanol dehydration than for cumene dealkylation. The catalytic activity of unmodified catalysts was correlated with their acid amount for the above two reactions. As $TiO_2-SiO_2$ catalysts had relatively large amount of weak acid sites and small amount of strong acid sites, the catalytic activity for 2 - propanol dehydration was higher than that for cumene dealkylation. The effect of modification on catalytic activity increased with increasing $TiO_2$content of the catalysts. Actually, $92-TiO_2-SiO_2/SO_4{^2}$had the highest increment in catalytic activity and $10-TiO_2-SiO_2/SO_4{^2}$had the lowest increment for the 2 - propanol dehydration.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.266-267
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2011
질화갈륨(GaN)은 높은 전자이동도 및 높은 항복전계를 가지며 낮은 온저항으로 인하여 에너지효율이 우수하기 때문에 고출력 전력소자 분야에서 많은 관심을 받고 있다. GaN을 이용한 고출력 전력소자의 경우 상용화 수준에 근접할 만한 기술적 진보가 있었으나, 페르미 레벨 고정(Fermi-level pinning) 현상, 소자의 누설전류 등 아직 해결되어야 할 문제를 갖고 있다. 본 연구에서는 실리콘 기판 위에 성장된 GaN 에피탁시를 활용한 고출력 전력소자의 누설전류를 억제시키기 위해 오믹 접합 중 Au의 상호확산을 억제하는 중간층 금속(Mo or Ni)을 변화시켰으며 오믹 열처리 온도에 따른 특성을 비교 연구하였다. $Cl_2$와 $BCl_3$를 이용하여 0.6 ${\mu}m$ 깊이의 메사 구조가 활성영역을 형성하였고, Si 도핑된 n-GaN 위에 Ti/Al/Mo/Au (20/100/25/200 nm) 와 Ti/Al/Ni/Au (20/100/25/200 nm) 오믹 접합을 각각 설계, 제작하였다. 오믹 열처리시의 GaN 표면오염을 방지하기 위해 $SiO_2$ 희생층을 증착하였다. 오믹 접합 형성을 위해 각 750$^{\circ}C$, 800$^{\circ}C$, 850$^{\circ}C$에서 30초간 열처리를 진행 하였으며, 이후 6 : 1 BOE 용액으로 $SiO_2$ 희생층을 제거하였다. 750, 800, 850$^{\circ}C$에서 Ti/Al/Mo/Au 구조의 오믹 접합 저항은 각 2.56, 2.34, 2.22 ${\Omega}$-mm 이었으며, Ti/Al/Ni/Au 구조의 오믹 접합 저항은 각 43.72, 2.64, 1.86 ${\Omega}$-mm이었다. Isolation 누설전류를 측정하기 위해서 두 개의 오믹 접합 사이에 메사 구조가 있는 테스트 구조를 제안하였다. Isolation 누설전류는 Ti/Al/Mo/Au 구조에서 두 오믹 접합 사이의 거리가 25 ${\mu}m$이고 100 V일 때 750, 800, 850 $^{\circ}C$의 열처리 온도에서 각 1.25 nA/${\mu}m$, 2.48 nA/${\mu}m$, 8.76 nA/${\mu}m$이었으며, Ti/Al/Ni/Au 구조에서는 각 1.58 nA/${\mu}m$, 2.13 nA/${\mu}m$, 96.36 nA/${\mu}m$이었다. 열처리 온도가 증가하며 오믹 접합 저항은 감소하였으나 isolation 누설전류는 증가하였다. 750$^{\circ}C$ 열처리에서 오믹 접합 저항은Ti/Al/Mo/Au 구조가 Ti/Al/Ni/Au 구조보다 약 17배 우수하였고, 850$^{\circ}C$ 고온의 열처리 경우 Ti/Al/Mo/Au 구조의 isolation 누설전류는 8.76 nA/${\mu}m$로 Ti/Al/Ni/Au의 누설전류 96.36 nA/${\mu}m$보다 약 11배 우수하였다. Ti/Al/Mo/Au가 Ti/Al/Ni/Au 보다 오믹 접합 저항과 isolation 누설전류 측면에서 전력용 GaN 소자에 적합함을 확인하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.61-61
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1999
저항이 5$\Omega$-cm인 n-type Si(100) 웨이퍼를 실리콘 식각시 마스크로 사용하기 위하여 습식 열산화법을 이용하여 100$0^{\circ}C$에서 SiO2을 2400$\AA$ 성장시킨 후, OPCVD 공정을 통해 785$^{\circ}C$서 SiH2Cl2 가스 30sccm과 NH3가스 100sccm을 이용하여 Si3N4를 3000$\AA$ 증착시켰다. 이 웨이퍼를 포토-리쏘그라피 공정을 거쳐 지름 2$\mu\textrm{m}$의 포토레지스트 패턴을 제작한 후 600W의 RF power하에서 CF4 가스 10sccm, CHF3 가스 15sccm, O2가스 8sccm 및 Ar가스 10sccm을 이용하여 MERIE 방법으로 Si3N4를 식각한 다음, 7:1 BHF 용액내에서 30초간의 습식식각을 통해 40wt.%의 KOH 용액내에 8$0^{\circ}C$에서 30초간의 이방성 식각을 통해 피라미드 모양의 Si FEA(field emitter array)를 제작하였다. 본 실험은 다음과 같이 완성된 Si FEA를 샤프닝 산화 후 산화막 식각을 통해 마스크를 제거한 다음, tip의 열화학적 내구성을 증가시키고 장시간 구동시 안정성과 전계방출 전류밀도를 높이기 위해 tip의 표면에 Ti를 sputter 방법으로 약 300$\AA$ 증착시킨 후, RTA 장비를 이용하여 2단계 열처리 (first annealing:$600^{\circ}C$/30sec, second annealing : 85$0^{\circ}C$/15sec)를 통해 Si FEA의 경우보다 낮은 turn-on 전압과 높은 전계방출 특성을 나타낼 것으로 기대된다.
Kim, Jungahn;Kim, Keon-Hyeong;Jin, Yong-Hyeon;Hyensoo Ryu;Soonjong Kwak;Kim, Kwang-Ung;Hwang, Sung-Sang;Jo, Won-Ho;Jho, Jae-Young
Macromolecular Research
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v.8
no.1
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pp.44-52
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2000
Styrenic macromonomers with/without a silyloxy-functional group were synthesizedvia chain-end functionalization using 4-vinylbenzyl chloride as a terminating agent insec-butyllithium-initiated polymerization of styrene. The yields were 92 mol% for the silyloxy group and 88 mol% for the styrenic unit. Crystalline polystyrene-g-amorphous polystyrenes were synthesized by (η$^{5}$ -indenyl)-trichlorotitanium ((Ind)TiCl$_3$)-catalyzed copolymerizations of the macromonomers with styrene in the presence of methyl-aluminoxane (MAO) in toluene at 4$0^{\circ}C$. The macromonomer having $\alpha$, $\alpha$'-bis (4-[tert-butyldimethylsilyl-oxy]phenyl) group was also utilized for the preparation of a precursor of hydroxyl-functionalized syndio-tactic polystyrene. The obtained polymers were characterized by a combination of$^1$H, $^{13}$ C NMR spectroscopic, size exclusion chromatographic, and differential scanning calorimetric analysis. The (Ind)TiCl$_3$-catalyzed copolymerization of styrene with the macromonomer carrying the silyloxy functional group was found to be an efficient method to modify syndiotactic polystyrene without a great loss of physica] property by controlling the feud ratio of the macromonomer.
2-Aminothiazole ring as a bioisoster of catechol in dopamine has provided with good oral availability and lipophilic property. Selenium was reported to have an improved antioxidant ability and to reduce the loss of dopamine. 2-Aminoindan, is a rigid form of dopamine, was evaluated as a dopamine agonist with low neurotoxocity. In order to develop a novel dopamine agonist, we tried to synthesize the selenazoloaminoindan derivative that is a hybrid structure of aminoindan and aminoselenazole instead of aminothiazole. 2-Indanone-2-oxime was reduced with $TiCl_4$ and $NaBH_4$ to form 2-aminoindan, which was reacted with propionyl chloride to give 2-N-n-propionylaminoindan (2). Compound 2 was reduced with $TiCl_4$ and $NaBH_4$ to afford 2-N-n-propylaminoindan (3) and it was nitrated and reduced to form 5-amino-2-N-n-propylaminoindan (5), which was reacted with KSeCN, $Br_2$, and glacial acetic acid to give 4,6-dibromo-5- amino-2-N-n-propylaminoindan (7) instead of selenazole ring formation. Otherwise, compound 2 was nitrated and hydrogenated to form 5-amino-2-N-n-propionylaminoindan (9), which was treated with KSeCN, $Br_2$, and glacial acetic acid to give 4,6-dibromo-5-amino-2-N-n-propionylaminoindan (10). Compound 9 was cyc1ized with KSeCN and glacial acetic acid in the absence of $Br_2$ to give 6-amino-2-N-(n-propionylamino)selenazolo[4,5-f]indan (11).
Park, Jaeyoung;Kim, Seongsim;Lee, Beomgi;Cheong, Hyeonsook;Lee, Ki Bok;Woo, Hee-Gweon
Journal of Integrative Natural Science
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v.6
no.1
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pp.34-38
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2013
Tributyltin hydride ($n-Bu_3SnH$), an endocrine disruptor, was slowly polymerized by the group 4 ${Cp^{\prime}}_2TiCl_2/N$-selectride (Cp' = $C_5H_5$, Cp; $Me-C_5H_4$, Me-Cp; $Me_5C_5$, $Cp^*$) catalyst combination to give two phases of products: one is an insoluble cross-linked solid, polystannane in 3-25% yield as minor product via disproportionation/dehydrocoupling combination process, and the other is an oil, hexabutyldistannane in 65-90% yield as major product via simple dehydrocoupling process. Disproportionation/dehydrocoupling process first produced a low-molecular-weight oligostannane possessing partial backbone Sn-H bonds which then underwent an extensive cross-linking reaction of backbone Sn-H bonds, resulting in the formation of an insoluble polystannane. The disproportionation/dehydrocoupling of a tertiary hydrostannane mediated by early transition metallocene/inorganic hydride is quite unusual and applicable.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.25
no.3
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pp.31-36
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2018
This research scrutinizes the reason of failure after pressure cooker test (PCT) for DRAM device. We use the physical inspecting tools, such as microscope, SEM and TEM, and finally find the discolor phenomenon, corrosion of Al and delamination of inter-metal dielectric (IMD) in the failed devices after PCT. Furthermore, we discover the abnormal $Al_XO_Y$ layer on Al through the careful additional measurements. To find the reason, we evaluate the effect of package ball size and pinhole in passivation layer. Unfortunately, those aren't related to the problems. We also estimate halide effect of Al. The halogens such like Cl are contained within EMC material. Those result in the slight improving of PCT characteristics but do not perfectly solve the problems. We make a hypothesis of Galvanic corrosion. We can find the residue of Ti at the edge of pad open area. We can see the improving the PCT characteristics by the time split of repair etch. The possible mechanism of the PCT failure can be deduced as such following sequence of reactions. The remained Ti reacts on the pad Al by Galvanic corrosion. The ionized Al is easily react with the $H_2O$ supplied under PCT environment, and finally transfers to the abnormal $Al_XO_Y$ layer.
The purpose of this study is to degradation of Rhodamine B (RhB, dye) and N, N-Dimethyl-4-nitrosoaniline (RNO, indicator of the electro-generation of OH radical) in solution using boron doped diamond (BDD) electrode. The effects of applied current (0.2~1.0 A), electrolyte type (NaCl, KCl, and $Na_2SO_4$) and electrolyte concentration (0.5~3.0 g/L), solution pH (3~11) and air flow rate (0~4 L/min) were evaluated. Experimental results showed that RhB and RNO removal tendencies appeared with the almost similar thing, except of current. Optimum current for RhB degradation was 0.6 A, however, RNO degradations was increased with increase of applied current. The RhB and RNO degradation of Cl type electrolyte were higher than that of the sulfate type. The RhB and RNO degradation were increased with increase of NaCl concentration and optimum NaCl dosage was 2.5 g/L. The RhB and RNO concentrations were not influenced by pH under pH 7. Optimum air flow rate for the oxidants generation and RhB and RNO degradation were 2 L/min. Initial removal rate of electrolysis process was expressed Langmuir - Hinshelwood equation, which is used to express the initial removal rate of UV/$TiO_$2 process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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