실리콘 기판에 GaN 에피성장을 확인하기 위해, P형 Si(100), Si(111) 기판 전면에 버퍼층으로 40 nm 두께의 코발트실리사이드를 형성시켰다. 형성된 코발트실리사이드 층에 연속으로 HVPE(hydride vapor phase epitaxy)로 하나는 $850^{\circ}C$-12분 + $1080^{\circ}C$-30분(공정I)과, 또 하나 조건은 $557^{\circ}C$-5분 + $900^{\circ}C$-5분(공정II) 조건으로 각각 나누어 진행하여 보았다. GaN의 에피성장을 광학현미경, 주사전자현미경, 주사탐침현미경, 그리고 HR-XRD로 확인하였다. 공정I로는 GaN의 에피성장이 진행되지 않았으며, 공정II에서는 에피성장이 진행되었다. 특히 공정 II는 열팽창에 의해 실리콘 기판과의 자가정렬적인 기판분리 현상을 보였으며, XRD로 GaN의 0002 방향의 결정성 (crystallinity)을 ${\omega}$-scan으로 확인한 결과(100)면 방향의\ 실리콘과 코발트실리사이드를 버퍼층으로 활용하고 저온에서 HVPE를 진행한 조합이 GaN의 에피성장에 유리하였다.
일반적으로 고속의 디지털부와 아날로그부의 귀환 전류 평면(Return Current Plane: RCP)은 분할된다. 이것은 PCBs(Printed Circuit Boards)에서 각 서브 시스템 사이의 노이즈가 서로 간섭을 일으키지 않도록 하기 위해 이루어지지만, 각 서브 시스템 사이에 연결된 신호선이 존재하는 경우, 이러한 분할은 원치 않는 효과를 발생시킨다. RCP의 분할은 회로적인 측면에서 신호 무결성(Signal Integrity)에 악영향을 미치고, EMI(Electromagnetic Interference) 측면에서 전자파의 복사 방출을 증가시키는 주된 요인이 된다. 이러한 신호 무결성을 유지하기 위한 방법으로 component bridge(저항 브릿지, 커패시터 브릿지, 페라이트 브릿지 등: CB)가 사용되고 있지만 아직 정확한 CB의 사용 지침이 부족한 실정이다. 본 논문에서는 신호 무결성 측면에서 다중-CB 사용 방법에 대한 설계 원리를 측정과 시뮬레이션을 통해 분석하고 노이즈 저감 방법에 대한 설계 방법을 제시하고자 한다. 일반적으로 CB, 사이의 간격은 ${\lambda}/20$로 페라이트 비드(ferrite bead)를 사용하도록 권장하고 있다. 본 논문은 CB의 다중 연결시 페라이트 비드와 칩 저항에 대한 설계 방법을 측정과 시뮬레이션을 통하여 증명하였고, 다중 연결된 칩 저항$(0{\Omega})$이 신호 무결성 측면에서 더욱 더 효과적인 설계 방법임을 증명하였다.
환경 오염원으로서 폭약 hexahydro-1,3,5-trinitro-1,3,5-triazine(RDX)에 대한 RDX 분해세균 Pseudomonas sp. HK-6의 세포반응과 형태변화에 대하여 조사하였다. 아치사조건의 RDX농도와 노출시간에 따른 균주 HK-6의 생존율을 분석한 결과, 이 세균의 생존율은 스트레스 충격 단백질의 생성과 비례하였다. 총세포 지방산 조성분석에서 균주 HK-6는 trypticase soy agar(TSA)에서 자랄 때 보다 RDX배지에서 자랄 때 여러 가지 종류의 지방산이 생성되거나 사라지는 것이 밝혀졌다. Anti-DnaK와 anti-GroEL을 이용하여 SDS-PAGE와 Western blot을 통한 분석으로 균주 HK-6는 70 kDa DanK와 60 kDa GroEL을 포함하는 몇가지 스트레스 충격단백질을 생성하는 것으로 밝혀졌다. RDX에 노출된 HK-6배양에서 수용성 단백질 분획에 대하여 2-D PAGE를 실시하였으며, pH 3에서 pH 10 범위에서 약 300 spots가 silver로 염색된 gel상에서 관찰되었다. 그 결과, RDX에 대한 반응으로 10여개의 spots가 현저히 유도 발현되었다. RDX(0.135mM, 12시간)에 노출된 세포는 구멍이 나타나고 표면의 불규칙적인 형태 변화가 일어나 죽게되는 것이 주사 전자현미경을 통하여 관찰되었다.
기본조성 $(Ni_{0.2}Cu_{0.2}Zn_{0.6})_{1+x}(Fe_2O_3)_{1-x}$에서 $Fe_2O_3$가 약간 부족한 비화학양론적인 조성비를 택하여 Ni-Zn-Cu 페라이트의 입계에 높은 저항층을 형성하고 소결을 촉진시켜 낮은 손실, 높은 투자율 및 자기유도 와 주성분을 치환해서 스피넬 격자를 고용시킬 목적으로 $TiO_2$ 및 $Li_2CO_3$를 소량 첨가하였다. 이들 원료들을 혼합한 후 가소 후 소결온도 $875^{\circ}C,\;900^{\circ}C,\;925^{\circ}C$ 및 $950^{\circ}C$에서 소결하였다. 각 시편들에 대한 소결밀도는 $4.85\sim5.32g/cm^3$으로 나타났고, 각 시편들의 고유저항은 $10^8\sim10^{12}\Omega-cm$으로 측정되었다. 시편들의 자기유도 특성 값은 대략 $800\sim1300G$ 부근이었으며, $TiO_2$를 첨가한 경우보다 $Li_2CO_3$를 첨가한 경우가 약간 높게 측정되었다. 각각 시편들의 보자력은 $2.5\sim4.5$ Oe로 연자성 재료의 범위로 나타났다. 초투자율 및 품질계수는 각각 $125\sim275$ 및 $65\sim83$으로 나타나 Ni-Zn-Cu 페라미트에서 측정되는 값들과 대동소이했다. 물리적인 특성값(고유저항, 자기유도, 초투자율, 품질계수 등)으로 미루어 보마 각종 고주파영역(microwave영역까지 포함) 통신기기 코어 및 편향 요크 코어 등으로 응용이 가능하다.
RF magnetron sputtering법으로 초미세결정 Fe-Sm-O계의 박막을 상온에서 제작하여 산소분압에 따른 포화자화, 보자력, 고주파에서의 투자율(100MHz)을 조사하였다. 최적조건인 5%의 산소분압에서 제조한 초미세결정 Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2박막은 포화자속밀도 18kG, 보자력 0.82 Oe, 실효투자율 (0.5~100MHz) 2,600 이상의 우수한 연자성을 나타내었다. 산소분압이 증가함에 따라 $\alpha$-Fe 결정립의 크기가 감소하여 10%이상의 산소분압에서는 FeO가 생성되어 연자기적 성질이 열화되었다. Fe-Sm-O계 박막의 전기비저항은 산소분압이 증가함에 따라 증가하는 경향을 나타내었으며 우수한 연자기적 성질을 가지는 Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2박막의 경우, 전기비저항은 130 $\mu$$\Omega$cm이었다. 따라서 미세하게 형성된 $\alpha$-Fe 결정립과 높은 전기비저항 때문에 초미세결정 Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2박막이 고주파에서 우수한 연자기적 성질을 가지는 것으로 판단된다.
본 연구는 생물학적 탄산가스 고정화에 사용되는 Euglena를 단세포 단백 사료 자원으로 이용하고, DHA를 강화시킨 변종을 육계의 사료에 첨가하였을 때 그 이용성과 도체지방산에 미치는 영향에 대해 알아보고자 실시하였다. 시험 1에서는 갓 부화한 육계병아리(Ross) 210수를 반복당 10수씩 3반복으로 배치하였다. 처리구는 에너지 함량과 조단백 질함량이 전기에는 3,150 kcaHg, $22\%$, 후기에는 3,200 kcal/kg, $19\%$가 되도록 한 대조구사료에 EG(Euglena gracilis Z.)를 0.25, 0.50, $1.0\%$ 첨가한 구와 EGBD(Euglen gracilis Z. bleached and DHA enriched)를 0.5, 1.0, $2.0\%$ 첨가한 구의 7처리구로 하였다. 시험 2에서는 육계병아리(Ross) 250수를 반복당 10수씩 5반복으로 배치하였다. 처리구는 대조구 사료에 EGD(Euglena gracilis Z. DHA enriched)를 0.5, $1.0\%$ 첨가한 구와 EGBD를 0.5, $1.0\%$ 첨가한 구의 5처리구로 하였다. 사양시험은 5주간 실시하였고 매주 사료섭취량과 증체량, 사료요구율 및 폐사율을 측정하였다. 사양시험종료 후 대사시험을 실시하고, 가슴살을 채취하여 지방산을 분석하였다. 시험 1의 결과를 보면, 증체량은 시험 전 기간 동안 유의한 차이를 보이지 않았다. 사료요구율은 대조구에 비해 Euglena 첨가구들이 좋은 경향이 있었다. 단백질의 이용율은 EG를 첨가한 구들이 EGBD를 첨가한 구들보다 높은 경향이 있었다. 가슴살 내 지방산은 linoleic acid와 arachidonic acid가 $1.0\%$의 EG를 첨가한 처리구에서 유의하게 높았다. EPA는 유의한 차이는 없었지만, EGBD를 첨가한 구들에서 증가하는 경향을 보였다. DHA는 $2.0\%$의 EGBB를 첨가한 구에서 유의적으로 가장 높았고, 대조구를 포함한 다른 처리구들에 비해 EGBD를 첨가한 구들이 유의적으로 높았다. 실험 2에서도 증체량은 유의한 차이를 보이지 않았고, 사료요구율은 시험 전 기간동안 EGBD를 첨가한 구가 유의적으로 좋았다. 가슴살의 지방산 조성의 결과를 보면 linoleic acid는 대조구가 유의하게 높았다. EP4 DHA와 lignoceric acid는 모두 $1.0\%$의 EGBD를 첨가한 구가 유의적으로 가장 높았고, Euglena를 첨가한 구들 모두가 대조구보다 높았으며, 그중 EGBD를 첨가한 구들이 유의적으로 더 높게 나타났다. 결론적으로, Euglena의 첨가가 육계의 생산성에는 크게 영향을 미치지 못했지만, 시험 2에선 EGBD의 첨가가 사료효율을 개선시키는 경향.이 있었다. DHA를 강화시킨 Euglena인 EGD나 EGBD의 첨가는 계육 내의 DHA를 비롯한 $\omega$-3 계열의 지방산의 수준을 높이는데, 특히 EGBD는 DHA 강화 효과가 높았다.
본 연구에서는 생물학적 탄산가스 고정화에 사용되는 Euglena를 사료자원으로 이용하고, Euglena의 DHA를 강화시켜 산란계의 사료에 첨가하여 그 이용성과 난황내 지방산 조성에 미치는 영향에 대해 알아보고자 실시하였다. 시험 1에서는 32주령의 산란계(ISA-Brown) 280수를 7처리로 나누어 처리당 4반복으로 반복당 10수씩 배치하였다. 처리구는 에너지함량과 조단백질함량이 2,750 kcal/kg과$17\%$인 대조구 사료에 EG(Euglena gracilis Z.)를 0.25, 0.50, $1.0\%$ 첨가한구와 EGBD(Euglena gracilis B bleached and DHA enriched)를 0.5, 1.0, $2.0\%$ 첨가한 구의 7처리구로 하였다. 시험 2에서는 84주령의 산란계 300수를 5처리로 나누어 처리당 5반복으로 반복당 12수씩 배치하였다. 처리구는 대조구사료에 EGBD를 $0.5\%$ 첨가한 구와 EGD(Euglena gracilis Z. DHA enriched)를 0.5, 1.0, $2.0\%$ 첨가한 구의 5처리구로 하였다. 두시험 모두 사양시험은 4주간 실시하였고, 시험기간동안 물과 사료는 자유로이 섭취케 하고 정상적인 점등관리를 실시하였다. 시험 1의 결과를 보면,c일계산란율과 산란지수 모두 유의한 차이를 보이지 않았고, 난중은 시험사료 급여결과 $1.0\%$의 EG 첨가구가 가장 무거웠으며, 대조구가 가장 가벼웠다. 난황색은 모든 처리구가 대조구보다 유의하게 높았으며, EG를 첨가한 구들의 난황색이 높은 경향을 나타냈다. 지방산 조성을 보면 $2.0\%$ EGBD 첨가구의 DHA와 EPA의 수준이 유의적으로 가장 높았으며, arachidonic acid의 수준은 가장 낮았다. 시험 2에서도 일계 산란율과 산란지수 모두 유의한 차이를 보이지 않았고, 난중은 $0.5\%$의 EGD를 첨가한 구가 유의적으로 가장 높았으며, 대조구를 포함한 다른 처리구들에 비해 EGD를 첨가한 구들이 높은 경향이 있었다. 지방산 조성의 결과를 보면 $2.0\%$ EGD 첨가구의 myristic acid, myristoleic acid와 pentadecanoic acid가 모두 유의적으로 가장 높았다. DHA는 $0.5\%$%의 EGBD 첨가구가 유의적으로 가장 높았으며, EGD를 첨가한 구들이 대조구에 비해 유의하게 높았다. 결론적으로, Euglena의 첨가는 산란계의 생산성에는 크게 영향을 미치지 못했지만, EG의 첨가가 난황색의 개선에 효과가 있었고, EG, EGD 그리고 ECBD 모두가 난중을 높여주는 경향이 있었다. 또한, Euglena의 DHA를 강화시킨, EGD나 특히 EGBD의 첨가는 난황내의 DHA를 비롯한 $\omega%-3 계열의 지방산의 수준을 높이는데 효과적이라고 사료되어진다.
Kim, Young-Il;Hwang, Seong-Ju;Yoo, Han-Ill;Choy, Jin-Ho
The Korean Journal of Ceramics
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제4권2호
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pp.95-98
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1998
We have developed new type of superconducting-superionic conducting nanohybrids, $Ag_xI_wBi_2Sr_2Ca_{n-1}Cu_nO_y$ (n=1 and 2) by applying the chimie douce reaction to the superconducting Bi-based cuprates. These nanohybrids can be achieved by the stepwise intercalation whereby the $Ag^+$ ion is thermally diffused into the pre-intercalated iodine sublattice of $IBi_2Sr_2Ca_{n-1}Cu_nO_y$. According to the X-ray diffraction analysis, the Ag-I intercalates are found to have an unique heterostructure in which the superionic conducting Ag-I layer and the superconducting $IBi_2Sr_2Ca_{n-1}Cu_nO_y$ layer are regularly interstratified with a remarkable basal increment of ~7.3$\AA$. The systematic XAS studies demonstrate that the intercalation of Ag-I accompanies the charge transfer between host and guest, giving rise to a change in hole concentration of $CuO_2$ layer and to a slight $T_c$ change. The Ag K-edge EXAFS result reveals that the intercalated Ag-I has a $\beta$-AgI-like local structure with distorted tetrahedral symmetry, suggesting a mobile environment for the intercalated $Ag^+$ ion. In fact, from ac impedance analyses, we have found that the Ag-I intercalates possess a fast ionic conductivity ($\sigma_i=10^{-1.4}\sim 10^{-2.6}\Omega^{-1}\textrm{cm}^{-1}\;at\;270^{\circ}C$ with an uniform activation energy ($\DeltaE_a=0.22\pm 0.02$ eV). More interesting finding is that these intercalates exhibit high electronic conducting as well as ionic ones ($t_i$=0.02~0.60) due to their interstratified structure consisting of superionic conducting and superconducting layers. In this respect, these new intercalates are expected to be useful as an electrode material in various electrochemical devices.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin films was prepared in a horizontal electric furnace. These $ZnAl_2Se_4$ polycrystals had a defect chalcopyrite structure, and its lattice constants were $a_0=5.5563{\AA}$ and $c_0=10.8897{\AA}$.To obtain a single-crystal thin film, mixed $ZnAl_2Se_4$ crystal was deposited on the thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by a hot wall epitaxy (HWE) system. The source and the substrate temperatures were $620^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single-crystal thin film was investigated by using a double crystal X-ray rocking curve and X-ray diffraction ${\omega}-2{\theta}$ scans. The carrier density and mobility of the $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin film were $8.23{\times}10^{16}cm^{-3}$ and $287m^2/vs$ at 293 K, respectively. To identify the band gap energy, the optical absorption spectra of the $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin film was investigated in the temperature region of 10-293 K. The temperature dependence of the direct optical energy gap is well presented by Varshni's relation: $E_g(T)=E_g(0)-({\alpha}T^2/T+{\beta})$. The constants of Varshni's equation had the values of $E_g(0)=3.5269eV$, ${\alpha}=2.03{\times}10^{-3}eV/K$ and ${\beta}=501.9K$ for the $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin film. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $ZnAl_2Se_4$ were estimated to be 109.5 meV and 124.6 meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $ZnAl_2Se_4/GaAs$ epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_1$-, $B_1$-exciton for n = 1 and $C_{21}$-exciton peaks for n = 21.
0.935Ba$TiO_3$-0.065($Bi_{0.5}Na_{0.5}$)$TiO_3+xmol%MnO_2$ (BBNTM-x) ceramics with $0{\leq}x{\leq}0.05$ were fabricated with muffled sintering by a modified synthesis process. Their microstructure and enhanced positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) characteristics were systematically investigated in order to obtain lead-free high TC PTCR thermistors. All specimens showed a perovskite structure with a tetragonal symmetry and no secondary phase was observed. Grain growth was achieved when the doped MnO2 was increased above 0.02 mol%. This is due to the effect of positive Mn ion doping as an acceptor compensating a Ba vacancy occurred by the higher donor dopant concentration of $Bi^{3+}$ ion. Especially, enhanced PTCR characteristics of the extremely low ${\rho}_{RT}$ of $9\;{\Omega}{\cdot}cm$, PTCR jump of $5.1{\times}10^3$, ${\alpha}$ of 15.5%/$^{\circ}C$ and high $T_C$ of $167^{\circ}C$ were achieved for the BBNTM-0.04 ceramics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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