• 한국세라믹학회지
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• 제36권11호
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• pp.1252-1260
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• 1999

The defect chemistry and electrical characteristics of the grain boundaries of semiconducting SrTiO3 ceramics synthesized with wet-chemically surface-coated powders were investigated. The starting powders were separated into groups of 1-10${\mu}{\textrm}{m}$ 10-20${\mu}{\textrm}{m}$ etc by sedimentation and sieving methods. Na+ ions were absorbed on the powder surfaces by wet chemical-treatment method. The width of the grain boundary ranged up to several nm and the intergranular materials was amorphous. The additives coated on the surface of the powders were observed to be present at the grain boundaries of the ceramics. The diffusion depth of the additives into grains was about 30nm for the SrTiO3 ceramics synthesized with 5w/o coated materials, The threshold voltage grain boundary resistance and boundary potential barrier of the ceramics increased from 0.67V/cm 2.27k$\Omega$ and 0.05eV to 80.9V/cm 13.0k$\Omega$ 1.44eV with increasing the amount of the additives from 0 to 5 w/o respectively .

• 한국결정성장학회지
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• 제11권5호
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• pp.231-237
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• 2001

Etch rates up to 120 nm/min for $Ta_{2}O_{5}$ were achieved in both $SF_{6}/Ar$ and $Cl_{2}/Ar$ discharges. The effect of ultraviolet (UV) light illumination during ICP etching on $Ta_{2}O_{5}$ etch rate in those plasma chemistries was examined and UV illumination was found to produce significant enhancements in $Ta_{2}O_{5}$ etch rates most likely due to photoassisted desorption of the etch products. The effects of ion flux, ion energy, and plasma composition on (Ba, Sr)$TiO_3$ etch rate were examined and maximum etch rate ~90 nm/min was achieved in $Cl_{2}/Ar$ ICP discharges while $CH_{4}/H_{2}/Ar$ chemistry produced extremely low etch rates (${\leq}10\;nm/min$) under all conditions.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.221-226
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• 1998

$RuO_2$ 하부전극 상에 형성된 $(Ba, Sr)TiO_3$[BST] 박막의 물성을 향상시키기 위하여 비정질 BST층(30, 70nm)을 $RuO_2$와 BST사이에 증착하여 2중 BST구조를 형성시켰다. 비정질 BST층의 도입을 통해, BST박막의 평균 입도가 증가하고, 표면 거칠기가 감소하여 전체 BST 박막의 미세구조와 표면 mophology가 단일 BST박막에 비해 상당한 변화가 발생함을 확인하였다. 30nm의 비정질측이 적용된 BST박막의 경우, 하부기판의 영향으로부터 비교적 자유로운 미세구조를 갖는 BST 박막이 형성되었다. 2중 BST 박막의 경우 유전상수는 340, 누설전류는 $6.85{\times}10^{-7}A/{\textrm}{cm}^2$로서 비정질층을 갖지 않는 단일 BST 박막에 비하여(유전상수: 152, 누설전류: $1.25{\times}10^{-5}A/{\textrm}{cm}^2$)놀라운 전기적 특성의 향상이 이루어짐을 확인하였다.

• 한국진공학회지
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• 제11권1호
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• pp.1-7
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• 2002

RF Magnetron Sputtering 방법으로 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ 박막을 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판위에 증착하였다. $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ 박막 증착시 기판온도는 실온으로 고정시켜주었고, 작업 가스 유량(Ar:$O_2$)과 RF Power는 각각 90:10에서 60:40까지 그리고 50 W와 75 W로 하였다. 또한 박막 증착 후 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용하여 산소분위기에서 $600^{\circ}C$로 고온 순간 열처리를 하였다. 커패시터 제작을 위해 UHV System의 E-beam evaporator를 이용하여 Pt를 증착하였다. XRD 측정을 통한 구조적 특성에서는 작업 가스 유량과 RF Power에 비해 고온 순간 열처리가 결정화에 기여도가 큼을 확인할 수 있었다. 전기적 특성에서는 RF Power가 50 W이고 열처리를 한 샘플에서 비교적 우수한 특성을 보여주었다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제23권3호
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• pp.243-251
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• 2006

Field emission display(FED) is actively investigated in view of the development of full color flat-panel display, which can replace some cathode-ray tube(CRT). Thus, the development of new phosphors appropriate for FED is urgently needed and has been actively investigated. In this work, $SrTiO_3:Pr^{3+}$ phosphor was prepared by sol-gel method and the coating was applied by sol-gel method combined with sonication on these phosphor's surface into diluted precursor solution. It was found that very fine particles of coating material were formed on phosphor's surface. The luminescent intensity of $SrTiO_3:Pr^{3+}$ phosphor coated with $SiO_2$ and $Al_2O_3$ was considerably increased without any noticeable change in color chromaticity. The optimum concentration of coating material was found to be 1wt% and the optimum pH value of the solution was 10.

• 한국진공학회지
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• 제11권3호
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• pp.166-170
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• 2002

$BaTiO_3$(BTO)/$SrTiO_3$(STO) 산화물 인공 초격자가 MgO(100) 단결정 기판위에 Pulsed laser deposition(PLD)법으로 증착되었다. 다층구조에서 BTO/STO 층의 적층 주기는 $BTO_{1\;unit\; cell}/STO_{1\;unit\; cell}$에서 $BTO_{125\;unit\; cell}/STO_{125 \;unit \;cell}$ 두께로 변화시켰고 초격자 전체 두께는 100 m으로 고정시켰다. X-ray 회절 결과는 다양한 주기의 BTO/STO 산화물 박막에서 초격자의 특성을 보였고 투과형 전자 현미경을 통해서 BTO와 STO의 두 층간의 계면에서 상호확산이 일어나지 않고 초격자가 잘 성장된 것을 확인하였다. 초격자의 유전율은 임계 두께 내에서 적층주기가 감소함에 따라 증가하였다. 이러한 초격자의 유전율은 낮은 주기 즉 $BTO_{2\;unit\; cell}/STO_{2\;unit\; cell}$ 주기에서 1230으로 높게 나왔으며 이러한 원인은 격자 변형(c/a ratio)에 기여된 것으로 분석되었다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 추계총회,초청강연,특별강연,연구발표회
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• pp.83.2-83
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• 2000

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.41.2-41
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• 2002

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.170.2-170
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• 2002

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.72.2-72
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• 2002