Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.11a
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pp.130-130
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2003
현재, 메탈의 내부식성 코팅막 제조에 사용되고 있는 크로메이트 기반 코팅제는 유독성 물질에 대한 환경 규제에 따라 조만간 사용이 금지 될 예정이다. 본 연구에서는 이러한 유독성 금속 내부식성 코팅제를 대체할 새로운 환경 친화적인 코팅 재료로서 A1OOH 나노졸이 분산된 ZrOCl$_2$ㆍ8$H_2O$-GPS(3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane)하이브리드 졸을 제조하고 이의 내 부식성 특성에 대하여 조사하였다. AlOOH 졸이 첨가된 유/무기 하이브리드 졸은 염화 알루미늄을 염기로 침전 시킨 수산화 알루미늄 침전물에ZrOCl$_2$ㆍ8$H_2O$를 10 ~ 20 wt% 첨가하고 열처리한 후 여기에 GPS를 AlOOH에 대하여 4 ~ 6몰 배 첨가하여 제조하였다. 제조된 하이브리드 형 졸은 가시관 투광성이 우수하며 시간에 따른 범도 변화가 거의 없었다. 이 코팅 졸을 아연 도금 강판에 딥 코팅법으로 코팅한 후, 상온~20$0^{\circ}C$에서 열처리하여 염수 시험법으로 하이브리드 졸의 조성 및 열처리 조건에 따른 코팅막의 내부식성 특성을 조사하였다. 또한, 코팅막의 두께를 전자 현미경으로 관찰하였고, 코팅막 경도는 연필 경도계로 조사하였다.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.12
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pp.1106-1110
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2005
We fabricated (110) silicon hard master by using anisotropic wet etching for embossing. The etching chemical for the silicon wafer was a TMAH $25\%$ solution. The anisotropic wet etching produces a smooth sidewall surface and the surface roughness of the fabricated master is about 3 nm. After spin coating an organic-inorganic sol-gel hybrid material on a silicon substrate, we employed hot embossing technique operated at a low pressure and temperature to form patterns on the silicon substrate by using the fabricated master. We successfully fabricated the multi-mode planar optical waveguides showing low propagation loss of 0.4 dB/cm. The surface roughness of embossed patterns was uniform for more than 10 times of the embossing processes with a single hydrophobic surface treatment of the silicon hard master.
A new microporous TiO2-pillared layered titanate has been successfully prepared by hybridizing the exfoliated titanate with the anatase TiO2 nano-sol. According to the X-ray diffraction analysis and N2 adsorption-desorption isotherms, the TiO2-pillared layered titanate showed a pillar height of ~2 nm with a high surface area of ~460 m2/g and a pore size of ~0.95 nm, indicating that a microporous pillar structure is formed. Its photocatalytic activity was evaluated by measuring the photodegradation rate of 4-chlorophenol during irradiation of catalyst suspensions in an aqueous solution. An enhancement in activity of ca. 170% was obtained for TiO2-pillared layered titanate compared to that of the pristine compound such as layered cesium titanate.
Aluminum sec-butoxide was synthesized from aluminum foil and alcohol. The characteristics of the alumina powder prepared from the synthesized alkoxide by the Yoldas method were studied. As a result of measuring the synthesized aluminum sec-butoxide by GC, the purity of the synthesized alkoxide was 98.7% on the basis of commercial alkoxide and the yield was 78.5%. A127-MASNMR analysis shows that powders dried at 9$0^{\circ}C$ and $\alpha$-Al2O3 have 6-cordinated structure and ${\gamma}$-Al2O3 has 4-coordinated structure. The characteristics of alumina powder prepared from the synthisized alkoxide showed the same characteristics with the alumina powder prepared from the commercial alkoxide.
Zirconium acetate solution which was obtained from $ZrOCl_2$.$8H_2O$ was condensed polymerized and drawn to fibers by pulling method. Drawn gel fibers fired at 130$0^{\circ}C$ were short porous and mechanically weak. But addition of CaO about 13m/o caused the fibers to have the cubic structure and relatively dense microstructure. In order to clarify the condition for the synthesis of zirconia fibers viscosity measurement DTA-TG analysis X-ray diffraction infrared spectroscopy, SEM and specific surface area were studied.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.85-86
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2007
A poly(vinylidene fluoride-trifluoroethyene) (P(VDF-TrFE)) copolymer thin film having ${\beta}$ phase was prepared by sol-gel method. The electrical properties of the film were studied to evaluate the possibility for appling to a ferroelectric random access memory. In order to characterize its electrical properties, we produced a MFS (metal-ferroelectric-semiconductor) structure by evaporation of Au electrodes. The C-V (capacitance-voltage) measurement revealed that the Au/P(VDF-TrFE)/Si structure with a 4 wt% film had a memory window width of about 0.5V for a bias voltage sweep of 1V.
The purpose of this study was to assess the clinical outcomes of active periodontal therapy (APT) and supportive periodontal therapy (SPT) through loss of teeth in the Korean patients with aggressive periodontitis. The number of missing and residual teeth, probing pocket depth were examined in 33 patients diagnosed with aggressive periodontitis at the baseline and who had participated in APT and SPT for 3 years or more. A 20 and 3 teeth were lost during the APT and SPT, respectively. The mean tooth loss rate of 0.13 per patient and year. There was no significant statistical difference in clinical improvement between the smoker and non-smoker groups. Within the limitation of this study, APT combined with supportive therapy could decrease the risk of tooth loss in patients suffering from aggressive periodontitis.
In this study, site-directed mutagenesis was performed on the ${\beta}$-agarase AgaA gene from Zobellia galactanivorans to improve its catalytic activity and thermostability. The activities of three mutant enzymes, S63K, C253I, and S63K-C253I, were 126% (1,757.78 U/mg), 2.4% (33.47 U/mg), and 0.57% (8.01 U/mg), respectively, relative to the wild-type ${\beta}$-agarase AgaA (1,392.61 U/mg) at $40^{\circ}C$. The stability of the mutant S63K enzyme was 125% of the wild-type up to $45^{\circ}C$, where agar is in a sol state. The mutant S63K enzyme produced 166%, 257%, and 220% more neoagarohexaose, and 230%, 427%, and 350% more neoagarotetraose than the wild-type in sol, gel, and nonmelted powder agar, respectively, at $45^{\circ}C$ over 24 h. The mutant S63K enzyme produced 50% more neoagarooligosaccharides from agar than the wild-type ${\beta}$-agarase AgaA from agarose under the same conditions. Thus, mutant S63K ${\beta}$-agarase AgaA may be useful for the production of functional neoagarooligosaccharides.
Kim, Su-In;Kim, Seong-Jun;Gwon, Gu-Eun;Kim, Hyeon-Seok;Eom, Eun-Sang;Park, Jun-Seong;Lee, Jeong-Hyeon;Lee, Chang-U
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.216.1-216.1
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2013
PZT 박막은 강유전 특성과 압전소자 특성을 나타내는 물질로 DRAM (dynamic random acess memory)과 FRAM (ferroelectric RAM) 등의 기억소자용 capacitor와 MEMS (micro electro mechanical system) 소자의 압전 물질로 사용하기 위한 연구가 진행중에 있다. 하지만 이러한 연구에서는 PZT 박막의 전기적 특성 향상을 주목적으로 연구가 진행되어 왔다. 특히, 박막 공정중 발생하는 plasma에 의한 PZT의 전기적 특성 변화가 박막 표면의 물리적 변화에 기인할 것으로 추정하고 있지만 이에 대한 구체적인 연구는 미비하다. 이 연구에서는 plasma에 의한 PZT 박막 표면의 물리적 특성 변화를 연구하기 위하여 PZT 박막을 sol-gel을 이용하여 Si 기판위에 약 100 nm의 두께로 증착하였으며, 이후 최대 300 W의 Ar plasma로 plasma power을 증가시켜 각각 10분간 plasma처리를 실시하였다. PZT 박막 표면의 nano-mechanics 특성을 분석하기 위하여 Nano-indenter와 Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM)을 사용하여 surface hardness, surface morphology를 확인하였고 특히, surface potential 분석을 통하여 PZT 박막 표면의 plasma에 의한 박막 극 표면의 전기적 특성 변화를 연구하였다. 이 연구로 plasma에 의한 PZT 박막은 표면으로부터 최대 43 nm 깊이에서의 hardness는 최대 5.1 GPa에서 최소 4.3 GPa의 분포로 plasma power 변화에 의한 특성은 측정 불가능하였다. 이는 plasma에 의한 영향이 시료 극 표면에 국한되어 나타나기 때문으로 추정되며 이를 보완하기 위하여 surface potential을 분석하였다. 결과에 의하면 plasma power가 0 W에서 300 W로 증가함에 따라 potential이 30 mV에서 -20 mV로 감소하였으나 potential의 분산은 100 W에서 최대인 17 mV로 측정되었으며, 이때 RMS roughness역시 가장 높은 20.145 nm로 측정되었다. 특히, 100 W에서 potential에서는 물결 모양과 같은 일정한 패턴의 potential 무늬가 확인되었다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.13
no.5
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pp.254-259
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2003
In the fabrication process of transparent conducting thin films of the ATO (antimony-doped tin oxide) on a soda lime glass substrate by a sol-gel dip coating method, the effects of the $SiO_2$ buffer layer formed on the substrate and $N_2$ annealing treatment were investigated by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) analysis. Optical transmittance and electrical resistivity of the 400 nm-thick ATO thin films which were deposited on $SiO_2$ buffer layer/soda lime glass and then annealed under nitrogen atmosphere were 84 % and $5.0\times 10^{-3}\Omega \textrm{cm}$ respectively. The XPS analysis confirmed that a $SiO_2$ buffer layer inhibited Na ion diffusion from the substrate, resulting in prohibiting the formation of a secondary phase such as $Na_2SnO_3$ and SnO and increasing Sb ion concentration and ratio of $Sb^{5+}/Sb^{3+}$ in the film. And it was also found that $N_2$ annealing treatment leads to the reduction of $Sn^{4+}$as well as $Sb^{5+}$ however the reduction of $Sn^{4+}$ is more effective and therefore consequently results in decrease in the electrical resistivity to produce an excellent electrical properties of the film.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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