• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 춘계총회,특별강연,심포지움,연구발표회
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• pp.126.2-126.2
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• 2000

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권2호
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• pp.73-76
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• 2014

$Pt/Al_2O_3/La_2Si_5O_x/SiO_2/Si$ charge trap memory capacitors were prepared, in which the $La_2Si_5O_x$ film was used as the charge trapping layer, and the effects of post annealing atmospheres ($NH_3$ and $N_2$) on their memory characteristics were investigated. $La_2O_3$ nanocrystallites, as the storage nodes, precipitated from the amorphous $La_2Si_5O_x$ film during rapid thermal annealing. The $NH_3$ annealed memory capacitor showed higher charge storage performances than either the capacitor without annealing or the capacitor annealed in $N_2$. The memory characteristics were enhanced because more nitrogen was incorporated at the $La_2Si_5O_x/SiO_2$ interface and interfacial reaction was suppressed after the $NH_3$ annealing treatment.

• 한국안광학회지
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• 제5권1호
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• pp.7-11
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• 2000

ITO, $TiN_xW_y$, Ag 등의 전도성 흡수층으로 무반사, 무정전 광학박막을 Essential Macleod 프로그램을 이용하여 설계했다. 그 결과 [공기 ${\mid}SiO_2{\mid}TiN_xW{\mid}$ 유리] 층은 단 두층코팅막으로 가시광선 파장영역(45~700nm)에서 넓게 무반사 코팅이 되었다. 이 때 반사률과 투과률은 각각 0.5% 미만과 약 75%이다. [공기 $SiO_2{\mid}TiO_2{\mid}SiO_2{\mid}ITO {\mid}$ 유리] 층은 약 0.5% 미만의 반사률이 있는 무반사 코팅이 되며 투과률은 97% 이상이며, 450nm 파장 영역부근에서 투과률이 비교적 낮은 것은 ITO의 흡수계수 영향 때문이다. 또한 [공기 $SiO_2{\mid}TiO_2{\mid}SiO_2{\mid}Ag{\mid}$ 유리] 층은 반사률이 1~2%인 AR코팅이며 투과률은 96% 이상이다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제13권2호
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• pp.23-27
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• 1976

p형과 n형 Si wafer의 111면위에 5x10-5mmHg의 진공내에서 SnO2-x박막을 Flash증착법으로 성장시킨 다음 산소분위기 속에서 열처리하여 Si-SnO2 heterojunction을 만들고 물성측정으로 부터 Energy bnad profile을 구하였다. 이 heterojunction은 양호한 정류성 Junction이며 400nm부터 1200nm까지 분광감도를 갖고 시정수가 -10-18sec로 고속광소자로 적합하며 Si p-n homojunction solar cell에 비하여 특성이 우수하고 제작이 간단하기 때문에 태양전지로 사용해도 손색이 없다. Si-SnO2 heterojunction was prepared by oxidzing at oxygen atmosphere SnO2-x Which made by Flith evaporation of SnO2 powder on III surface of p and n type Si single crystals. The energy band Profile of Si·SnO2 heterojunction was depicted from its physical properties. This heterojunction was very good rectifying junction, very sensitive in spectral response of Photovoltage at from 400nm to 1200nm, and -10-8sec of time contant. From above properties, this heterojunction was found ps good high speed photovoltaic device and solar cell.

• 한국세라믹학회지
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• 제53권4호
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• pp.463-467
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• 2016

$Si^{4+}-N^{3-}$ was incorporated into $Ce^{3+}-doped$ lutetium aluminum garnet ($Lu_{2.965}Ce_{0.035}Al_5O_{12}$, $LuAG:Ce^{3+}$) lattices, resulting in the formation of $Lu_{2.965}Ce_{0.035}Al_{5-x}Si_xO_{12-x}N_x$ [(Lu,Ce)AG:xSN]. For x = 0-0.25, the synthesized powders consisted of the LuAG single phase, and the lattice constant decreased owing to the smaller $Si^{4+}$ ions. However, for x > 0.25, a small amount of unknown impurity phases was observed, and the lattice constant increased. Under 450 nm excitation, the PL spectrum of $LuAG:Ce^{3+}$ exhibited the green band, peaking at 505 nm. The incorporation of $Si^{4+}-N^{3-}$ into the $Al^{3+}-O^{2-}$ sites of $LuAG:Ce^{3+}$ led to a red-shift of the emission peak wavelength from 505 to 570 nm with increasing x. Corresponding CIE chromaticity coordinates varied from the green to yellow regions. These behaviors were discussed based on the modification of the $5d^1$ split levels and crystal field surroundings of $Ce^{3+}$, which arose from the Ce-(O,N)8 bonds.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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• pp.175-177
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• 2005

본 연구에서는 fresnoite ($Ba_{2}TiSi_{2}O_{8}$) 결정화 유리를 $xK_{2}O-(33.3-x)BaO-16.7TiO_{2}-50SiO_{2}$ ($0{\le}x{\le}\;20mol\%$)으로 부터 제조하였으며, 특성평가를 하였다. $K_{2}O$의 치환량이 증가함에 따라, 유리전이 온도와 결정화 온도는 감소하였으며, 유리의 안정화를 나타내는 ${\Delta}$T는 증가하였다. $Ba_{2}TiSi_{2}O_{8}$ 결정상의 형성은 XRD와 SEM분석을 통하여 관찰하였고, LCR meter를 사용하여 열처리에 의하여 제조된 결정화 유리의 유전율은 측정하였으며, 결정화 유리는 $Ba_{2}Si_{2}TiO_{8}$ 단결정 보다 낮은 유전율은 보였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1996년도 재료학회 추계학술발표회
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• pp.140-140
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• 1996

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권2호
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• pp.161-166
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• 2005

Fresnoite($Ba_2TiSi_2O_8$)결정을 갖는 $xK_2O-(33.3-x)BaO-16.7TiO_2-50SiO_2(mole\%)$ 유리조성에서 BaO를 $K_2O$로 대체함에 따른 유리화, 열적특성 및 결정화 거풍에 관하여 관찰하였다. x(0$\le$x$\le$20)의 함량이 증가함에 따라 유리화가 용이하였으며, 유리 전이온도 및 결정화 온도가 저온부로 이동하였다. $Ba_2TiSi_2O_8$결정상의 생성을 XRD분석을 통하여 확인하였으며, x의 함량증가가 이질상의 생성과는 무관함을 보였다. 결정화 거동을 DTA를 이용한 비등온법에 의하여 조사하였으며, x의 함량증가에 따라 avrami 지수(n)가 $2.26 {\pm}0.1,\;2.03 {\pm}0.1,\;1.93{\pm}0.15$로, 활성화 에너지는 약 $279 {\pm}12kJ/mole,\;302{\pm}7kJ/ mole,\;319{\pm}1kJ/mole$ 로 변화하였으며, SEM분석결과 x의 함량 증가 시 결정의 방향성이 두드러짐이 관찰되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권3호
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• pp.233-239
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• 2000

Sr0.9Bi2+xTa2O9(x=0, 0.1, 0.2, 0.3) thin films on IrO2/SiO2/Si or Pt/Ti/SiO2/Si substrate were prepared by spin coating method using SBT stock solutions synthesized by MOD process. SBT thin films on IrO2 transformed to layered perovskite phase at $700^{\circ}C$, but showed low breakdown voltage due to their porous microstructure. The smaple of Sr0.9Bi2+xTa2O9 composition showed the best dielectric and electrical properties. When the sample of the same composition was annealed at 80$0^{\circ}C$, the dielectric and electric properties were improved due to the grian growth and dense surface. the remanent polarization values(2Pr) at $\pm$3 V for IrO2 and Pt electrodes were 10.5, 7.15$\mu$C/$\textrm{cm}^2$, respectively. The SBT thin film with IrO2 electrode showed the lower coercive field. The leakage current density and breakdown voltage of SBT thin films on IrO2 were higher than those on Pt.

• 한국재료학회지
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• 제7권2호
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• pp.102-106
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• 1997

박막형 접촉연소식을 포함한 마이크로 가스센서에서 membrane은 Si식각시 식각정지용으로서 또 센서 소자를 지지하는 층으로서 응력이 없어야 하며 이는 응력이 membrane파괴의 주 원인으로 작용하기 때문이다. 이에 따라 본 연구에서는 증착조건이 low pressure chemical vapor deposition(LPCVD)법과 sputtering법으로 제작된 $SiN_{x}$과 $SiN_{x}/SiO_{x}/(NON)$막의 응력고 굴절율 변화에 미치는 효과에 대한 실험을 행하였다. LPCVD의 경우 단일막인 $SiN_{x}$의 압축응력 및 굴절율을 나타내었다. Sputtering의 경우 $SiN_{x}$는 공정압력이 1mtorr에서 30torr까지 증가할수록 인가전력밀도가 $2.74W/cm^2$에서 $1.10W/cm^2$으로 감소할수록 응력값은 압축에서 인장으로 전환되었으며 본 실험에서 응력이 가장 낮게 나온 시편의경우 압축응력으로 $1.2{\times}10^{9}dyne/cm^2$가 공정압력 10mtorr, 인가전력밀도 $1.37W/cm^2$에서 얻어졌다. 굴절율은 공정압력이 1motorr에서 30motorr까지 증가할수혹 인가전력밀도가 $2.74W/cm^2$에서 $1.10W/cm^2$으로 감소할수록 감소하여 2.05에서 1.89의 변화를 보였다. LPCVD와 sputtering으로 증착된 막들은 모두 온도가 증가함에 따라 응력이 감소하였으며 온도감소시 소성적인 특성을 나타내었다.