• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 2005년도 추계학술발표회
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• pp.386-387
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• 2005

• 한국세라믹학회지
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• 제51권5호
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• pp.435-441
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• 2014

Silicon carbide-based ceramics and their composites have been studied for application to fusion and advanced fission energy systems. For fission reactors, $SiC_f$/SiC composites can be applied to core structural materials. Multilayered SiC composite fuel cladding, owing to its superior high temperature strength and low hydrogen generation under severe accident conditions, is a candidate for the replacement of zirconium alloy cladding. The SiC composite cladding has to retain its mechanical properties and original structure under the inner pressure caused by fission products; as such it can be applied as a cladding in fission reactor. A hoop strength test using an expandable polyurethane plug was designed in order to evaluate the mechanical properties of the fuel cladding. In this paper, a hoop strength test of the multilayered SiC composite tube for nuclear fuel cladding was simulated using FEA. The stress caused by the plug was distributed nonuniformly because of the friction coefficient difference between the inner surface of the tube and the plug. Hoop stress and shear stress at the tube was evaluated and the relationship between the concentrated stress at the inner layer of the tube and the fracture behavior of the tube was investigated.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.465-468
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• 1999

Electrical properties of metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistor(MFSFET) using $BaMgF_4$ thin films grown on p-Si(100) substrates have been investigated. $BaMgF_4$ thin films have been directly deposited on the p-Si(100) wafers at a low temperature of $300^{\circ}C$ in an ultra high vacuum(UHV) system. First an in-situ post-deposition annealing was conducted for 20s at $650^{\circ}C$ and second an in-situ post-annealing was conducted for 10s at $950^{\circ}C$. The electrical properties of MFSFET compared with using A1 and Pt electrodes.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제18권9호
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• pp.981-985
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• 1997

13C, 15N, and 29Si NMR chemical shifts have been computed for selected X-substituted silatranes (X=Cl, F, H, CH3) using Gauge-Including Atomic Orbitals (GIAO) at the Hartree-Fock level of theory. The isotropic 13C chemical shifts are largely insensitive to substituent-induced structural changes. In this study, the isotropic 13C chemical shifts between 1-methyl- and 1-hydrogensilatranes by GIAO-SCF calculation at the HF/6-31G level are very similar. But the results of 1-chloro- and 1-fluorosilatranes are about 4 ppm different from the experimental values. In contrast, the isotropic 15N and 29Si chemical shifts and the chemical shielding tensors are quite sensitive to substituent-induced structural changes. These trends are consistent with those of the experiment. The isotropic 15N chemical shift demonstrates a very clear correlation with Si-N distance. But in case of 29Si the correlations are not as clean as for the 15N chemical shift; the calculated variation in the 29Si chemical shift is much larger.

• 전기화학회지
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• 제4권1호
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• pp.6-9
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• 2001

유리섬유(glass fiber cloth, GFC)가 보강제로 사용된 고분자 겔 전해질(polymeric gel electrolytes, PGEs)에 $SiO_2$를 첨가하여 전해질의 전기 화학적 특성을 조사하였다. 가소제로는 Ethylene carbonate(EC) , propylene carbonate(PC), diethyl carbonate(DEC)를, 리튬염으로는 $LiClO_4$를 고분자로는 polyacrylronitrile(PAN)과 poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoro propylene)(P(VdF-co-HFP))을 사용하여 $80\~90{\mu}m$의 두께로 전해질을 제조하였다. 제조된 전해질은 모두 상온체서 $10^{-3}S/cm$의 이온 전도도를 나타내었고, 4.8V까지 안정하였다. 리튬금속을 사용하여 제조된 셀의 임피던스 결과에서는 시간이 지남에 따라 모든 전해질이 부동태 피막의 성장으로 계면저항이 증가했으나, $SiO_2$첨가비율에 따라 뚜렷한 차이는 보이지 않았다. $LiClO_2$와 mesophase pitch-based carbon fiber(MCF)를 각각 양극과 음극으로 사용하여 제조된 겔의 임피던스에서는 $SiO_2$가 첨가되지 않은 셀의 옴 저항이 충전, 방전이 진행되는 동안 많은 변화를 보였으며, $SiO_2$가 첨가된 셀의 저항은 거의 변화되지 않았고, 계면의 변화도 적었다. 또한 방전용량에서도 $SiO_2$가 $20\%$가 첨가된 전해질이 0.2C의 방전속도에132mAh/g의 비 용량을 나타내었고, 2C의 방전속도에서$85\%$의 방전용량을 유지하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제52권6호
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• pp.473-478
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• 2015

Green bodies of earthenware tile were prepared from a mixture of earthenware tile powder and SiC as forming agents by applying a conventional process. Granule powder for tile samples was prepared using the spray drying method with commercial earthenware raw material with a quantity of SiC of 0.3 wt%. The applied pressure was $250kg{\cdot}f/m^2$ and the firing temperature was $1050-1200^{\circ}C$. The effects of the SiC particle size and sintering temperature on the open porosity and total porosity were investigated and the correlative mechanism was also discussed. While total porosity was not significantly changed by decreasing the SiC particle size, the open porosity showed a gradual decrease, which represents an increase of the closed porosity. As the sintering temperature increased, coarsening was made among the pores due to excessive oxidation. The volume shrinkage and bending strength were demonstrated for the sintered tile samples. The sintered bulk density was also measured to determine the weight reduction value.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.65-66
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• 2000

Various fluoride films on a glass substrate were prepared and characterized to provide a seed layer for crystalline Si film growth. The XRD analysis on $CaF_2/glass$ illustrated (220) preferential orientation and showed lattice mismatch less than 5 % with Si. We achieved a fluoride film with breakdown electric field of 1.27 MV/cm, leakage current density about $10^{-6}$ $A/cm^2$, and relative dielectric constant less than 5.6. This paper demonstrates microcrystalline silicon $({\mu}c-Si)$ film growth by using a $CaF_2/glass$ substrate. The ${\mu}c-Si$ films exhibited crystallization in (111) and (220) planes, grain size of $700\;{\AA}$, crystalline volume fraction over 65 %, dark- and photo-conductivity ratio of 124, activation energy of 0.49 eV, and dark conductivity less than $4{\times}10^{-7}$ S/cm.

• 한국재료학회지
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• 제5권8호
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• pp.953-959
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• 1995

분말야금법으로 제조된 A6061기 입자분산강화 복합재의 열간압술가공에 있어서 압출특성에 미치는 강화입자의 종류, 빌렛특성 및 암술조건의 영향에 대하여 조사하였다. A6061기 복합재료의 열간 압술 전단 변형저항에 미치는 강화입자종류의 영향은 Si $C_{w}$ > A1$_2$ $O_{3f}$ > A1$_2$ $O_{3f}$ > Si $C_{p}$의 순으로 되었으며, 모든 강화입자에서 부피분율이 증가함에 따라서 Kw값도 증가하였다. 압출조건, 강화입자의 첨가량 및 첨가입자의 평균입도에 관계없이 A1$_2$ $O_{3p}$가 첨가된 복합재의 열간압출가공에 필요한 소요압력은 Si $C_{p}$의 경우보다 컸다. 압출압력은 압출 다이스 반각이 커질수록 감소하는 경향은 나타났다. 이것은 다이스 반각에 의해 생성되는 빌렛과의 접촉면적이 증가하여 전단마찰응력(m $k_3$)이 상승하기 때문이다. 압출시 압출온도 상승은 저온에서 ~$50^{\circ}C$ 정도 증가하였으며, 압출온도가 50$0^{\circ}C$ 이상이 되면 압출재 표면에 극심한 tearing이 발생하였다. 강화입자의 첨가량이 증가할수록 이 현상은 더 심하게 되었다.게 되었다.

• 한국진공학회지
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• 제7권3호
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• pp.167-272
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• 1998

ECR plasma CVD를 이용한 SiOF박막은 낮은 유전상수를 가지고 있으며, 기존의 공정과의 정합성이 우수해 다층배선 공정에 채용이 유망한 재료이지만 수분의 흡수로 인한 유전율의 상승과 후속공정의 안정성이 문제점으로 부각되고 있다. 따라서 본 연구에서는 SiOF박막의 내흡습성과 후속공정에서의 안정성을 향상시키기 위하여 SiOF박막을 증착한 후 후속 산소 플라즈마 처리를 행하였다. SiOF박막은 산소 플라즈마 처리를 수행함으로써 SiOF박막의 밀도가 증가하고, 수분과의 친화력이 강한 Si-F 결합이 감소하는 것이 주요한 원인으로 사료된다. 하지만 플라즈마 처리 시간이 5분 이상으로 증가하면 유전율의 증가가 일어난다. 따라서 본 실험에서는 산소 플라즈마 처리조건이 마이크로파 전력이 700W, 공정 압력이 3mTorr, 기판온도가 $300^{\circ}C$일 경우 플라즈마 처리시간은 3분이 적당한 것으로 생각 된다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.33-36
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• 2002

MESFET was fabricated using 4H-SiC substrates and epitaxy The DC characteristics of 0.5 urn gate length, 400 urn gate width MESFET had $I_{dss}$=200 ㎃/mm, maximum transconductance of 12 ㎳/mm at Vrs=-4 V, V, Is=27 V. Thc device had an fT of 2.5 GHz and $f_{mdx}$ of 13.3 GHz at $V_{ds}$ =27 V and $V_{g}$=-4 V. The fabrication and characterization of this device are discussed.d.d.d.