• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.20 no.3
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• pp.135-140
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• 2020

Since the process gas that is essential in the semiconductor process is a harmful gas, it is an essential task to solve it in an environmentally friendly manner. Currently, the cleaning technology used in the semiconductor process is mostly a wet cleaning based on hydrogen peroxide developed in the 1970s, and the SC-1 cleaning liquid for removing particles on the surface uses a mixture of ammonia and hydrogen peroxide. Therefore, environmental problems are caused, and economic problems caused by excessive water use are also serious. For this reason, the products developed through this study are used to decompose the process harmful gas from the chamber outlet into a harmless gas before entering the vacuum pump, or by incineration and the gaseous components are deposited on the pump. I want to solve the problem. In this paper, CPS (Confined Plasma Source) is proposed to save environment and improve productivity by replacing harmful gases (N2, CF4, SF6⋯., Etc) which are indispensable in semi-contamination process with innocuous gases or incineration with plasma, to study.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2003.07a
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• pp.1038-1041
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• 2003

In the paper, we investigated silicon surface microstructures formed by reactive ion etching in hollow cathode system. Wet anisotropic chemical etching technique use to form random pyramidal structure on <100> silicon wafers usually is not effective in texturing of low-cost multicrystalline silicon wafers because of random orientation nature, but High density hollow cathode plasma system illustrates high deposition rate, better film crystal structure, improved etching characteristics. The etched silicon surface is covered by columnar microstructures with diameters form 50 to 100nm and depth of about 500nm. We used $SF_{6}$ and $O_{2}$ gases in HCP dry etch process. This paper demonstrates very high plasma density of $2{\times}10^{12}$ $cm^{-3}$ at a discharge current of 20 mA. Silicon etch rate of 1.3 ${\mu}s/min$. was achieved with $SF_{6}/O_{2}$ plasma conditions of total gas pressure=50 mTorr, gas flow rate=40 sccm, and rf power=200 W. Our experimental results can be used in various display systems such as thin film growth and etching for TFT-LCDs, emitter tip formations for FEDs, and bright plasma discharge for PDP applications. In this paper we directed our study to the silicon etching properties such as high etching rate, large area uniformity, low power with the high density plasma.

• Nutrition Research and Practice
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• v.14 no.6
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• pp.580-592
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• 2020

BACKGROUND/OBJECTIVES: The present study aimed to further investigate the potential health beneficial effects of long-term seaweed supplementation on lipid metabolism and hepatic functions in DIO mice. MATERIALS/METHODS: Four brown seaweeds (Undaria pinnatifida [UP], Laminaria japonica [LJ], Sargassum fulvellum [SF], or Hizikia fusiforme [HF]) were added to a high fat diet (HFD) at a 5% ratio and supplemented to C57BL/6N mice for 16 weeks. Triglycerides (TGs) and total cholesterol (TC) in the liver, feces, and plasma were measured. Fecal bile acid (BA) levels in feces were monitored. Hepatic insulin signaling- and lipogenesis-related proteins were evaluated by Western blot analysis. RESULTS: Fasting blood glucose levels were significantly reduced in the LJ, SF, and HF groups compared to the HFD group by the end of 16-week feeding period. Plasma TG levels and hepatic lipid accumulation were significantly reduced in all 4 seaweed supplemented groups, whereas plasma TC levels were only suppressed in the UP and HF groups compared to the HFD group. Fecal BA levels were significantly elevated by UP, LJ, and SF supplementation compared to HFD feeding only. Lastly, regarding hepatic insulin signaling-related proteins, phosphorylation of 5'-AMP-activated protein kinase was significantly up-regulated by all 4 types of seaweed, whereas phosphorylation of protein kinase B was up-regulated only in the SF and HF groups. Lipogenesis-related proteins in the liver were effectively down-regulated by HF supplementation in DIO mice. CONCLUSIONS: Brown seaweed consumption showed hypotriglyceridemic effects in the prolonged DIO mouse model. Specifically, combinatory regulation of BA excretion and lipogenesis-related proteins in the liver by seaweed supplementation contributed to the reduction of plasma and hepatic TG levels, which inhibited hyperglycemia in DIO mice. Thus, the discrepant and species-specific functions of brown seaweeds provide novel insights for the selection of future targets for therapeutic agents.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.464-464
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• 2012

본 연구에서는 DBD (Dielectric Barrier Discharge)방식을 통해 발생된 대기압 plasma를 이용한 Photoresist (PR) Ashing에 관한 연구를 하였다. 사용된 DBD 반응기는 기존의 blank planar plate 형태의 Power가 인가되는 anode 부분과 Dielectric Barrier 사이 공간을 액상의 도전체로 채워 넣은 형태의 전극이 사용 하였으며, 인가 Power는 40 kHz AC 최대 인가 전압 15 kV를 사용 하였고(본 연구에서 인가 power는 30 KHz,전압 14 KV를 고정시킴) 플라즈마를 발생시 라디칼의 활성화를 유지하기 위해 전극 온도가 $180^{\circ}C$ 정하였다. Feeding 가스는 N2, 반응가스로는 CDA(Clean Dry Air), SF6와 CF4가스를 사용 하였으며 모든 공정은 In-line type으로 시편을 처리 하였다. CDA ratio의 경우에 질소대비 0.2%때 이송속도 30 mm/sec 1회 처리 기존 PR ashing은 최대 $320{\AA}$의 ashing 두께를 얻을 수 있었다. SF6와 CDA가스를 같이 반응하는 경우 ratio는 CDA : SF6 = 0.6% : 0.6%에서 PR ashing rate이 $841{\AA}/pass$의 값을 얻을 수 있었고, CDA가스만 첨가하는 경우보다 약2.6배 증가함을 관찰할 수 있었다. CF4 가스를 사용하는 경우 ratio는 CDA : CF4 = 0.2% : 0.2%에서 PR ashing rate이 $687{\AA}/pass$의 값을 얻을 수 있으며 CDA가스만 첨가하는 경우보다 약 2.1배 증가함을 관찰할 수 있었다. 그리고 PR ashing rate가 가스첨가종류와 비율에 따라서 변화함을 관찰하였고 최적조건을 찾기 위해 연구를 진행하였다. 추후 PR ashing rate가 향상을 하기 위해 가스혼합비율 및 stage 온도등 조건을 조절하여 공정최적조건을 얻기 위해 연구를 진행하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.82-83
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• 2007

DBD type을 이용한 remote plasma에서 발생된 대기압 플라즈마를 이용하여, PR에 대한 식각 실험을 진행하였다. 과거 습식 화학적 공정에서 오던 기술적 제한의 극복과 진공 플라즈마 가지는 단점을 극복하기 위해 대기압 플라즈마를 이용한 건식 세정에 관한 연구를 진행하였고, 이 때 Gas는 $N_2/O_2$+$SF_6$ 의 조합으로 사용하였으며, 각 gas의 유량에 다른 remote 플라즈마의 전기적, 광학적 특성에 대해 관찰하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.69-69
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• 2003

최근 trench capacitor, isolation trench, micro-electromechanical system(MEMS), micro-opto-electromechanical system(MOEMS)등의 다양한 기술에 적용될 고종횡비(HAR) 실리콘 식각기술연구가 진행되어 지고 있다. 이는 기존의 습식식각시 발생하는 결정방향에 따른 식각률의 차이에 관한 문제와 standard reactive ion etching(RIE) 에서의 낮은 종횡비와 식각률에 기인한 문제점들을 개선하기 위해 고밀도 플라즈마를 이용한 건식식각 장비를 사용하여 고종횡비(depth/width), 높은 식각률을 가지는 이방성 트랜치 구조를 얻는 것이다. 초기에는 주로 HBr chemistry를 이용한 연구가 진행되었는데 이는 식각률이 낮고 많은양의 식각부산물이 챔버와 시편에 재증착되는 문제가 발생하였다. 또한 SF6 chemistry의 사용을 통해 식각률의 향상은 가져왔지만 화학적 식각에 기인한 local bowing과 같은 이방성 식각의 문제점들로 인해 최근까지 CHF3, C2F6, C4F8, CF4등의 첨가가스를 이용하여 측벽에 Polymer layer의 식각보호막을 형성시켜 이방성 구조를 얻는 multi_step 공정이 일반화 되었다. 이에 본 연구에서는 SF6 chemistry와 소량의 02/HBr의 첨가가스를 이용한 single_step 공정을 통해 공정의 간소화 및 식각 프로파일을 개선하여 최적의 HAR 실리콘 식각공정 조건을 확보하고자 하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2008.11a
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• pp.29.1-29.1
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• 2008

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 2004.10a
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• pp.1273-1274
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• 2004

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 2005.05a
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• pp.253-254
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• 2005

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.07c
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• pp.2153-2155
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• 2005

SF6 &NF3 chemistry를 사용하여 W bitline process 조건에서 plasma confinement 및 gas & radical의 flow에 영향을 미치는 focus ring 재질과 두께변경을 하여 Rnit non uniformity 평가한다.