• 전자공학회논문지A
• /
• 제33A권12호
• /
• pp.47-52
• /
• 1996

Cl-based gas chemistry is generally used to etching for al alloy metallization. After the etching of Al alloy with Cl-based gas plasma, residual chlorine on Al alloy reacts with H$_{2}$O due to air exposure and results in Al corrosion. In this study, the corrosion phenomena of Al wer examined with XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) and SEM (scanning electorn microscopy). It was confirmed that chlorine mainly existed at the grian boundary of Al alloy after plasma etching of Al alloy with cl-based gas chemistry and Al corrosion was largely generated at the grain boundary of Al alloy. And residual chlorine was passivated by sulfur and fluorine which were generated by SF$_{6}$ plasma. These effects of passivation reduced the Al corrosion due to air exposure.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.252-255
• /
• 1996

Cl-based gas chemistry is generally used to etching for Al alloy metallization. After the etching of Al alloy with Cl-based gas plasma, residual chlorine on Al alloy reacts with $H_2O$ due to air exposure and results in Al corrosion. In this study, the corrosion Phenomena of Al were examined with XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) and SEF(Scanning electron microscopy). It was confirmed that chlorine mainly existed at the grain boundary of Al alloy after plasma etching of Al alloy with Cl-based gas chemistry and Al corrosion was largely generated at the grain boundary of Al a1loy. And residual chlorine was passivated by sulfur and fluorine which were generated by SF$_{6}$ plasma. These effects of passivation reduced the Al corrosion due to air exposure.e.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제11권5호
• /
• pp.231-237
• /
• 2001

Etch rates up to 120 nm/min for $Ta_{2}O_{5}$ were achieved in both $SF_{6}/Ar$ and $Cl_{2}/Ar$ discharges. The effect of ultraviolet (UV) light illumination during ICP etching on $Ta_{2}O_{5}$ etch rate in those plasma chemistries was examined and UV illumination was found to produce significant enhancements in $Ta_{2}O_{5}$ etch rates most likely due to photoassisted desorption of the etch products. The effects of ion flux, ion energy, and plasma composition on (Ba, Sr)$TiO_3$ etch rate were examined and maximum etch rate ~90 nm/min was achieved in $Cl_{2}/Ar$ ICP discharges while $CH_{4}/H_{2}/Ar$ chemistry produced extremely low etch rates (${\leq}10\;nm/min$) under all conditions.

• 한국진공학회지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.390-396
• /
• 1998

헬리콘(Helicon) 플라즈마로부터 중성입자 흐름을 생성하여 높은 에너지의 이온에 의한 기판의 물리적, 전기적 손상을 방지할 수 있는 실리콘 식각공정이 연구되었다. 기판의 하부에 영구자석을 설치하여 cusp모양의 자계를 형성하므로써 이온 및 전자를 기판으로부 터 제거되도록 하였고 이러한 방법으로 완전히 제거되지 않는 이온의 제거를 위해서 기판 하부에 양의 전압을 가하여 자계나 전계에 영향을 받지 않는 중성입자 흐름을 얻을 수 있도 록 하였다. 발생시킨 자계 및 전계의 의해 기판 상부에서의 전자밀도는 자계나 전계가 가해 지지 않은 경우에 비해 약1/1,000정도로 낮아졌으며, 이온밀도 또한 약1/10정도로 감소하였 다. 이러한 공정을 통해 얻어진 실리콘의 식각속도는 $Cl_2$와 10%의 SF6를 혼합하여 사용할 때 $8.5{\times}10^{-4}$Torr의 압력에서 약100$\AA$/min이하로 매우 낮았으며 실리콘의 식각이 비등방성 을 가지며 진행될 수 있음이 보여졌다.

• 한국진공학회지
• /
• 제20권6호
• /
• pp.422-429
• /
• 2011

식각공정에 주로 사용되는 $Cl_2$/Ar, $CF_4$, $CF_4/O_2$, $CF_4/H_2$, $C_2F_6$, $C_4F_8$, 그리고 $SF_6$ 가스 방전에서 이온, 중성종 및 활성종 밀도의 전자밀도와 온도에 대한 의존성을 수치해석적으로 분석하였다. 이온, 중성종 및 활성종 밀도에 대한 공간평균 유체방정식을 정상상태로 가정하여 상대적으로 측정이 용이한 전자밀도와 온도에 대한 식으로 표현하였고, 이 식을 수치해석적인 방법으로 풀었다. 계산에 사용된 반응계수들은 여러 문헌에서 수집되거나 산란단면적으로부터 계산되었고, 같은 반응에 대해 다른 값을 보일 경우, 계산 결과를 실험 결과와 비교하여 높은 일치도를 보이는 값이 선택되었다.

• 한국미생물·생명공학회지
• /
• 제23권2호
• /
• pp.236-242
• /
• 1995

Biological control of soilborne plant pathogens by the addition of antagonistic microorganisms to the soil may offer a practical supplement or alternative to existing disease management strategies that depend heavily on chemical pesticides. Soil amendment with antagonistic microbes was non-effective because of high cost, low efficacy, and inconvenient usage on the treatment course. Therefore, seed coating formulation for the application of biological seed treatments has been being to apply successful disease suppression for many important crops. The objectives of this study were to investigate the optimal condition for the spore production of biocontrol agent Bacillus subtilis YBL-7 and the liquid coating formulation that contained a suspension of a proper aqueous binder, as well as a ground fine solid particulate material. The maximum yield has been obtained from 60 hrs-old culture at 30$\circ$C in spore forming (SF) medium containing 0.8% nutrient broth, 0.05% yeast extract, 10$^{-1}$ M MgCl$^{2}$, 10$^{-4}$ M MnCl$^{2}$, 10$^{-5}$ M dipicolinic acid, and pH 6.5. The optimal condition of dried spore preparation was achieved when cells of B. subtilis YBL-7 was heat-dried with 50$\circ$C for 2 hrs.

• 한국진공학회지
• /
• 제19권2호
• /
• pp.114-120
• /
• 2010

일반적으로 결정질 실리콘 태양전지에서 표면에 텍스쳐링(texturing)하는 것은 알칼리 또는 산성 같은 화학용액을 사용하고 있다. 그러나 실리콘 부족으로 실리콘의 양의 감소로 인하여 웨이퍼 두께가 감소하고 있는 추세에 일반적으로 사용하고 있는 습식 텍스쳐링 방법에서 화학용액에 의한 많은 양의 실리콘이 소모되고 있어 웨이퍼의 파손이 심각한 문제에 직면하고 있다. 그리하여 습식 텍스쳐링 방법보다는 플라즈마로 텍스쳐링할 수 있는 건식 텍스쳐링 방법인 RIE (reactive ion etching) 기법이 대두되고 있다. 그리고 습식 텍스쳐링으로는 결정질 실리콘 태양전지의 반사율을 10% 이하로는 낮출 수가 없다. 다결정 실리콘 웨이퍼 표면에 텍스쳐링을 하기 위하여 125 mm 웨이퍼 144개를 수용할 수 있는 대규모 플라즈마 RIE 장비를 개발하였다. 반사율을 4% 이하로 낮추기 위하여 공정가스는 $Cl_2$, $SF_6$, $O_2$를 기반으로 RIE 텍스쳐링을 하였고 텍스쳐링의 모양은 공정가스, 공정시간, RF 주파수 등에 의해 조절이 가능하였다. 본 연구에서 RIE 공정을 통하여 16.1%의 변환효율을 얻었으며, RF 주파수가 텍스쳐링의 모양에 미치는 영향을 살펴보았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
• /
• pp.169-169
• /
• 2008

To keep pace with scaling trends of CMOS technologies, high-k metal oxides are to be introduced. Due to their high permittivity, high-k materials can achieve the required capacitance with stacks of higher physical thickness to reduce the leakage current through the scaled gate oxide, which make it become much more promising materials to instead of $SiO_2$. As further studying on high-k, an understanding of the relation between the etch characteristics of high-k dielectric materials and plasma properties is required for the low damaged removal process to match standard processing procedure. There are some reports on the dry etching of different high-k materials in ICP and ECR plasma with various plasma parameters, such as different gas combinations ($Cl_2$, $Cl_2/BCl_3$, $Cl_2$/Ar, $SF_6$/Ar, and $CH_4/H_2$/Ar etc). Understanding of the complex behavior of particles at surfaces requires detailed knowledge of both macroscopic and microscopic processes that take place; also certain processes depend critically on temperature and gas pressure. The choice of $BCl_3$ as the chemically active gas results from the fact that it is widely used for the etching o the materials covered by the native oxides due to the effective extraction of oxygen in the form of $BCl_xO_y$ compounds. In this study, the surface reactions and the etch rate of $Al_2O_3$ films in $BCl_3/Cl_2$/Ar plasma were investigated in an inductively coupled plasma(ICP) reactor in terms of the gas mixing ratio, RF power, DC bias and chamber pressure. The variations of relative volume densities for the particles were measured with optical emission spectroscopy (OES). The surface imagination was measured by AFM and SEM. The chemical states of film was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), which confirmed the existence of nonvolatile etch byproducts.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
• /
• pp.1111-1113
• /
• 2004

n+ etching process is investigated in the fabrication of TFF-LCD using low resistance data line of Mo/Al/Mo. Problems of consumption of upper Mo layer and contamination of channel area are resolved. Either of HCl or $Cl_2$ can be selected as a main etchant gas, and either of $SF_6$ or $CF_4$ can be selected as an additive. Plasma treatment after n+ etching process can reduce the off-current high problem.

• Radiation Oncology Journal
• /
• 제22권3호
• /
• pp.217-224
• /
• 2004

목적: 저산소증은 방사선 감수성을 현저히 감소시키며, 이에 대한 적응 반응에서 hypoxia-inducible factor 1 $\alpha$(HIF-1 u$\alpha$가 중요한 역할을 하고 있다. HIF-1 $\alpha$의 발현과 방사선 감수성과의 상관 관계를 알아보고자 하였다. 대상 및 방법: 쥐의 간암 세포주인 hepalclc7 세포와 HIF-1 $\beta$가 결손되어 HIF-1 $\alpha$의 기능이 억제된 hepaIC4 세포를 사용했다 저산소 유사 물질인 desferrioxamine (DFX)을 전처치하고 6시간 뒤에 방사선조사를 하여 western blot으로 HIF-1 $\alpha$ 발현을 조사하였다. Apoptosis는 DNA 분절화, propidium iodide 핵염색, 그리고 apoptotic cell death detection ELISA kit를 이용하였다. MTT assay법으로 방사선 감수성을 측정하고 SF2$_{2}$ SF$_{8}$, 그리고 mean inactivation dose (MID)를 산출하여 통계적 분석을 하였다. 결과: Hepalclc7 세포에서는 DFX 전처치를 한 경우 방사선에 의해 HIF-1 $\alpha$의 발현이 증가했으나, hepalC4 세포 주에서는 변화가 없었다 Hepa1C4 세포의 방사선 감수성은 DFX처리에 따른 영향이 없었으나 hepalclc7 세포의 방사선 감수성은 DFX를 전처치했을 때 유의하게 감소하였다. 결론: 저산소 유사 물질인 DFX에 의해 유도된 HIF-1 $\alpha$가 쥐의 간암 세포주에서 apoptosis와 방사선 감수성을 감소시켰다 이러한 결과는 종괴내의 저산소 세포에서 방사선에 의해 HIF-1 $\alpha$가 유도되고 이로 인해 저산소 세포에서 방사선 감수성을 저하시키는 것으로 생각되었다.