• 제목/요약/키워드: $N_2O/O_2$

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$HfO_2$ dielectrics를 이용한 reactive sputtering TaN gate electrode 의 특성분석 (Characterization of reactive sputtering TaN fate electrode on $HfO_2$ dielectrics)

  • 김영순;이태호;안진호
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 기술심포지움 논문집
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    • pp.185-190
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    • 2003
  • 고유전물질인 $HfO_2$ 극박막에 사용될 TaN metal 전극에 대한 특성에 대한 연구를 하였다. 고유전물질인 $HfO_2$는 4" p-type wafer를 SCI cleaning후 ALD(atomic layer deposition)을 통해 $50\AA$를 증착하였다. Ff source는 TEMAH를 이용하였으며 Oxygen source는 $H_2O$를 이용하였다. 이렇게 증착한 $HfO_2$ 극박막에 Ta target을 이용하여 질소 가스를 Ar가스에 첨가하여 reactive sputtering을 통해서 TaN 전극을 증착하였다. TaN 박막의 증착두께는 a--step과 TEM을 통해서 확인하였으며 면저항은 four point probe를 이용하여 측정하였다. 이렇게 증착된 $HfO_2/TaN$구조에 대한 전기적 특성을 측정하였다.

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$MgAl_{2}O_{4}$ 기판위에 GaN의 HVPE 성장조건에 따른 광루미네센스 특성 (Photoluminescence Properties of GaN on $MgAl_{2}O_{4}$ Substrate with HVPE Growth Conditions)

  • 김선태;이영주
    • 한국재료학회지
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    • 제8권8호
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    • pp.667-671
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    • 1998
  • 이 연구에서는 HVPE법으로 $MgAl_{2}O_{4}$ 기판 위에 GaN를 서로 다른 조건에서 성장시키고, 성장된 GaN의 PL특성을 조사하였다. $MgAl_{2}O_{4}$ 기판위에 성장된 GaN는 $MgAl_{2}O_{4}$ 기판으로부터 Mg의 out-diffusion에 의한 auto-doping 효과에 의하여 불순물이 첨가된 GaN의 PL 성질을 나타내었다. Mg과 관련된 발광 강도는 GaN의 성장온도가 증가함에 따라 GaN의 표면에서 Mg의 재증발에 의하여 감소하였으며, GaN의 두께에 대하여 지수 함수적으로 감소하였다. 두 개의 무한 고체 사이에서 농도 차에 의한 확산현상을 고려하여 구한 GaN 내에서 Mg 원자의 확산계수는 D= 2$\times$$lO^{-10}\textrm{cm}^2/sec. 이었다.

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$Cl_2/Ar$ 유도 결합 플라즈마에서 Pt 박막 식각시 $N_2$ 가스 첨가 효과 (The Effect Of Additive $N_2$ Gas In Pt Film Etching Using Inductively Coupled $Cl_2/Ar$ Plasmas)

  • 류재흥;김남훈;장의구;김창일
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제37권7호
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    • pp.1-6
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    • 2000
  • 본 연구에서는 Pt 박막을 식각하기 이하여 기존에 최적화된 가스 혼합비인 $Cl_2$(10)Ar (90)에 $N_2$ 가스를 첨가하기 실험하였다. $Cl_2$(10)/Ar(90)의 가스 혼합비에 20% $N_2$가스 첨가시, $SiO_2$ 마스크에 대한 Pt 박막의 선택비 향상으로 70$^{\circ}$ 이상의 식각 프로파일을 얻을 수 있었다. 이는 $SiO_2$ 마스크 위에 Si-N, Si-O-N과 같은 차단막 생성을 통한 결과로 확인 되어졌다. $SiO_2$ 마스크에 대한 Pt 박막의 최대 선택비와 식각률은 각각 1.71과 4125 ${\AA}$/min 이다. 이는 Pt-N, Pt-N-Cl과 같은 휘발성 화합물의 생성을 통한 결과로 판단된다.

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AN EFFICIENT PRAM ALGORITHM FOR MAXIMUM-WEIGHT INDEPENDENT SET ON PERMUTATION GRAPHS

  • SAHA ANITA;PAL MADHUMANGAL;PAL TAPAN K.
    • Journal of applied mathematics & informatics
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    • 제19권1_2호
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    • pp.77-92
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    • 2005
  • An efficient parallel algorithm is presented to find a maximum weight independent set of a permutation graph which takes O(log n) time using O($n^2$/ log n) processors on an EREW PRAM, provided the graph has at most O(n) maximal independent sets. The best known parallel algorithm takes O($log^2n$) time and O($n^3/log\;n$) processors on a CREW PRAM.

자발가압 성질을 가진 아산화질소의 2상유체 모델링을 통한 하이브리드 로켓 내탄도 해석 II (The Hybrid Rocket Internal Ballistics with Two-phase Fluid Modeling for Self-pressurizing $N_2O$ II)

  • 이선재;이정표;김학철;문근환;최원준;정식항;성홍계;문희장;김진곤
    • 한국추진공학회:학술대회논문집
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    • 한국추진공학회 2011년도 제37회 추계학술대회논문집
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    • pp.50-54
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    • 2011
  • 본 연구는 산화제 $N_2O$를 사용하는 하이브리드 로켓 내탄도 설계를 위해 Two-phase 모델을 이용해서 $N_2O$의 2상 유체를 해석하였으며 하이브리드 지상 연소시험을 수행하여 내탄도 해석 결과와 비교 분석하였다. Two-phase 모델은 $N_2O$와 같은 포화 압축성 유체를 적용한 Blow-down 산화제 방식에 적합한 유동 모델로서 Part 1에서 $N_2O$산화제의 배출을 잘 모사함을 확인하였다. 하이브리드 지상연소시험은 연료로 HDPE, 산화제로 $N_2O$를 적용하였으며 평균추력 30 kgf, 산화제 탱크 압력 50 bar로 설계한 연소기를 사용하였다. 내탄도 해석 결과는 지상 연소시험의 추력, 산화제 탱크 및 연소실 압력 결과와 유사함을 확인하였다.

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HOOO-(H2O)n (n=1~5) 클러스터의 구조와 에너지에 대한 이론적 연구 (Theoretical Study for the Structures and Binding Energies of HOOO-(H2O)n (n=1~5) Cluster)

  • 김종민;홍성윤;김승준
    • 대한화학회지
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    • 제59권5호
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    • pp.387-396
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    • 2015
  • HOOO-(H2O)n (n=1~5) 클러스터에 대해서 다양한 기저집합과 밀도 범함수 이론(DFT) 및 순 이론(ab initio) 방법을 사용하여 가능한 여러 구조를 최적화하고 결합에너지와 조화진동수를 계산하였다. HOOO 단량체의 경우에는 CCSD(T) 이론 수준에서 trans 구조가 cis 구조보다 열역학적으로 더 안정한 것으로 계산되었다. HOOO-(H2O)n 클러스터에 대해서는 B3LYP/aug-cc-pVTZ와 CAM-B3LYP/aug-cc-pVTZ 이론 수준에서 분자 구조를 최적화하고 열역학적으로 가장 안정한 분자구조를 예측하였다. HOOO-H2O 클러스터의 결합에너지는 MP2//CAM-B3LYP 한 점 에너지 계산에서 영점 진동에너지(ZPVE)와 바탕 집합 중첩에러(BSSE)까지 모두 보정한 후 6.05 kcal/mol로 계산되었으며, n=2-5의 경우에는 물 분자의 수가 증가 할수록 물분자 1개 당 평균 결합에너지는 증가하여 약 7.2 kcal/mol의 값으로 수렴하였다.

Stability Studies of Divalent and Trivalent Metal Complexes with 1,7,13-Trioxa-4,10,16-triazacyclooctadecane-N,$N^{\prime},N^{\prime}^{\prime}$-tri(methylacetic acid)

  • 홍춘표;김동원;최기영
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제18권11호
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    • pp.1158-1161
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    • 1997
  • The potentiometric methods have been used to determined the protonation constants (logKiH) for the synthesized 1,7,13-trioxa-4,10,16-triazacyclooctadecane-N,N',N''-tri(methylacetic acid) [N3O3-tri(methylacetic acid)] and the stability constants (logKML) of the complexes of divalent and trivalent metal ions with the ligand N3O3-tri(methylacetic acid). The protonation constants of N3O3-tri(methylacetic acid) were 9.70 for logK1H, 9.18 for logK2H, 7.27 for logK3H, 3.38 for logK4H, and 2.94 for logK5H. The stability constants for the complexes of divalent metal ions with N3O3-tri(methylacetic acid) were 10.39 for Co2+, 10.68 for Ni2+, 13.45 for Cu2+, and 13.00 for Zn2+. The order of the stability constants for the complexes of the divalent metal ions with N3O3-tri(methylacetic acid) was Co2+ < Ni2+ < Zn2+ < Cu2+. The stability constants for the complexes of trivalent metal ions with N3O3-tri(methylacetic acid) were 16.20 for Ce3+, 16.40 for Eu3+, 16.27 for Gd3+, and 15.80 for Yb3+. The results obtained in this study were compared to those obtained for similar ligands, 1,7-dioxa-4,10,13-triazacyclopentadecane-N,N',N"-tri(methylacetic acid) and 1,7,13-trioxa-4,10,16-triazacyclooctadecane-N,N',N"-triacetic acid, which have been previously reported.

DC(-) 전원 인가시 $N_2/O_2$의 혼합비에 관한 절연특성 (The Breakdown Characteristics of $N_2/O_2$ Applied DC(-) voltage)

  • 최은혁;이창욱;장승호;최상태;김정배;이광식
    • 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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    • 한국조명전기설비학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.49-52
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    • 2008
  • 현재 산업사회의 발달과 더불어 신뢰성 높은 양질의 전기에너지와 운전 및 보수의 간편화, 계통운용의 신뢰성의 확보가 요구되고 있다. 또한 $SF_6$을 대체할 친환경적인 절연매체의 개발이 절실히 요구되고 있다. 이에 본 연구는 모의 GIS내 친환경적인 절연재료인 질소($N_2$)와 산소($O_2$)의 혼합가스($N_2:O_2=79:21$, $N_2:O_2=60:40$, $N_2:O_2=40:60$)의 기본적인 절연특성을 구명함으로서 각종 전력응용 설비의 절연매체로 사용가능함을 구명하고저 한다.

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Device Characteristics of AlGaN/GaN MIS-HFET using $Al_2O_3$ Based High-k Dielectric

  • Park, Ki-Yeol;Cho, Hyun-Ick;Lee, Eun-Jin;Hahm, Sung-Ho;Lee, Jung-Hee
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제5권2호
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    • pp.107-112
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    • 2005
  • We present an AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor-heterostructure field effect transistor (MIS-HFET) with an $Al_2O_3-HfO_2$ laminated high-k dielectric, deposited by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). Based on capacitance-voltage measurements, the dielectric constant of the deposited $Al_2O_3-HfO_2$ laminated layer was estimated to be as high as 15. The fabricated MIS-HFET with a gate length of 102 m exhibited a maximum drain current of 500 mA/mm and maximum tr-ansconductance of 125 mS/mm. The gate leakage current was at least 4 orders of magnitude lower than that of the reference HFET. The pulsed current-voltage curve revealed that the $Al_2O_3-HfO_2$ laminated dielectric effectively passivated the surface of the device.

알콕사이드로부터 Si-Al-O-N계 분말합성 I. 알콕사이드로부터 Si3N4와 $\beta$-Sialon 초미분말 합성 (Synthesis of Powder of the System Si-Al-O-N from Alkoxides I. Synthesis of Si3N4 and $\beta$-Sialon Ultrafine Powders from Alkoxides)

  • 이홍림;유영창
    • 한국세라믹학회지
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    • 제24권1호
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    • pp.23-32
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    • 1987
  • Synthesis of high purity ultrafine Si3N4 and ${\beta}$-Sialon powders was investigated via the simultaneous reduction and nitriding of amorphous SiO2, SiO2-Al2O3 system prepaerd by hydrolysis of alkoxides, using carbonablack as a reducing agent. In Si(OC2H5)4-C2H5 OH-H2 O-NH4OH system, hydrolysis rate increased with increasing reaction temperature and pH. Pure ${\alpha}$-Si3N4 was formed at 1350$^{\circ}C$ for 5 hrs in N2 atmosphere. In Si(OC2H5)4-Al(OC3H7)3-C6H6-H2 O-NH4OH system, weight loss increased as Si/Al ratio decreased. Single phase ${\beta}$-Sialon consisted of Si/Al=2 was formed at 1350$^{\circ}C$ in N2 and minor phases of ${\alpha}$-Si3N4, AIN, and X-phase were existed besides theSialon phase at other Si/Al ratios. The Si3N4 and Sialon powders synthesized from alkoxides consisted of uniform find particles of 0.05-0.2$\mu\textrm{m}$ in diameter, respectively.

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