• 한국토양비료학회지
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• 제9권1호
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• pp.17-23
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• 1976

답토양(畓土壤)의 질소(室素)의 동태(動態)를 파악(把握)하기 위하여 성질(性質)이 다른 3개지역(個地域)의 토양(土壤)을 공시(供試)하여 지력질소(地力窒素)의 발현양식(發現樣式)과 토양(土壤)의 종류(種類), 온도(溫度), 토양(土壤)의 길이, 질소비료(窒素肥料)의 종류(種類), 담수일수(湛水日數)에 따른 $NH_4-N$, $NO_3-N$, 2가철(價鐵) pH의 변화(變化)와 이들 상호관계(相互關係)를 검토(檢討)하여 탈질량(脫窒量)을 추정(推定)하고 지역(地域)에 알맞는 질소시비법(窒素施肥法)을 확립(確立)하기 위한 기초적(基礎的) 지견(知見)을 얻을 목적(目的)으로 실험(實驗)하여 얻어진 결과(結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1. 온도상승효과는 화순(和順), 서창(西倉), 서산토양(瑞山土壤)의 순(順)이었으나 건토효과는 서산(瑞山), 화순(和順), 서창(西倉)의 순(順)이였고 $NH_4-N$의 생성율(生成率)은 서산(瑞山), 서창(西倉), 화순(和順)의 순(順)으로 토양(土壤)의 성질(性質)에 따라 상이(相異)했다. 2. 표면수중(表面水中) $NH_4-N$의 변화(變化)는 일반적(一般的)으로 토양중(土壤中)의 함량(含量)에 좌우(左右)되며 염안(鹽安), 유안구(硫安區)가 많고 담수(湛水) 3일(日)에 감소(減少)했다가 40일(日)에 다시 증가(增加)된 후(後) 50일(日)에 감소(減少)하였고 요소구(尿素區), SCU는 함량(含量)이 적었으며 담수기간(湛水期間) 비교적(比較的) 일정(一定)했다. 3. 토양중(土壤中) $NH_4-N$의 변화(變化)는 1층(層)은 염안(鹽安), 유안구(硫安區)가 집적(集積)이 많으며 SCU, 요소구(尿素區)는 적었다. 토양(土壤)의 종류(種類)에 따라서도 비교적(比較的) 같은 경향(傾向)을 나타냈으며 경시적(經時的)으로 함량(含量)은 감소(減少)했다. 2층(層)도 산화층(酸化層)과 같은 경향(傾向)을 나타냈다. 4. 표면수중(表面水中) $NO_3-N$의 변화(變化)는 토양(土壤)과 비료(肥料)의 종류(種類)에 따라 다르나 일반적(一般的)으로 요소(尿素), SCU구(區)가 함량(含量)이 많고 염안(鹽安), 유안구(硫安區)가 적었으며 담수(湛水) 30~40일(日)에 소실(消失)되었다. 5. 토양중(土壤中) $NO_3-N$의 변화(變化)는 1층(層)은 2층(層)에 비(比)하여 $NO_3-N$의 함량(含量)이 많고 토양(土壤)과 비료(肥料)에 따라 변화(變化)되는 양상(樣相)이 다르며 일반적(一般的)으로 담수(湛水) 30일(日)에 소실(消失)되었다가 그 후(後) 증가(增加)되었으며 요소(尿素), SCU구(區)가 질화(窒化)가 잘되는 편이며 2층(層)은 담수(湛水) 30일(日)까지는 함량(含量)이 적거나 거의 소실(消失)되었다가 40일(日) 이후(以後)는 야간증가(若干增加)했다. 6. 표면수(表面水)와 토양중(土壤中) $NH_4-N$, $NO_3-N$의 함량(含量)으로 보아 담수(湛水) 기간중(期間中) 시용(施用)한 질소(窒素)의 반량이상(半量以上)이 탈질(脫窒)되는 것으로 추정(推定)되며 요소(尿素) SCU 구(區)는 염안(鹽安) 유안구(硫安區)에 비(比)하여 탈질량(脫窒量)이 많으리라 추정(推定)되였다.

• 공업화학
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• 제10권7호
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• pp.969-973
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• 1999

본 연구에서는 카르복실산 약산성 양이온교환수지인 Fiban K-4를 이용하여 $NH_4OH$ 용액에서의 가수분해 정도와 전위차 적정곡선에 의한 암모니아 흡착 특성을 알아보았다. 여러가지 농도의 지지전해질 $(NH_4)_2SO_4$에서 $NH_4OH$의 농도에 따른 pH 값은 실험 값과 이론 값이 잘 일치되었다. 암모니아의 평행 흡착곡선으로부터 pH에 따른 이온교환수지의 $NH_3$ 흡착량을 계산할 수 있었다. 또한 지지전해질의 농도가 낮아지거나 pH가 감소함에 따라 가수분해 정도가 증가하는 것을 알 수 있으며, 전해질의 농도가 감소함에 따라 0.01 M 이하의 모노 이온형태를 갖기 위해서는 pH값을 증가시켜야 하는 것을 알 수 있었다. 그러므로 이들의 결과로부터 전해질의 농도와 pH의 값이 결정된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권1호
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• pp.40-47
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• 2014

In this paper, $Al_2O_3$ film deposited by thermal atomic layer deposition (ALD) with diluted $NH_4OH$ instead of $H_2O$ was suggested for passivation layer and anti-reflection (AR) coating of the p-type crystalline Si (c-Si) solar cell application. It was confirmed that the deposition rate and refractive index of $Al_2O_3$ film was proportional to the $NH_4OH$ concentration. $Al_2O_3$ film deposited with 5 % $NH_4OH$ has the greatest negative fixed oxide charge density ($Q_f$), which can be explained by aluminum vacancies ($V_{Al}$) or oxygen interstitials ($O_i$) under O-rich condition. $Al_2O_3$ film deposited with $NH_4OH$ 5 % condition also shows lower interface trap density ($D_{it}$) distribution than those of other conditions. At $NH_4OH$ 5 % condition, moreover, $Al_2O_3$ film shows the highest excess carrier lifetime (${\tau}_{PCD}$) and the lowest surface recombination velocity ($S_{eff}$), which are linked with its passivation properties. The proposed $Al_2O_3$ film deposited with diluted $NH_4OH$ is very promising for passivation layer and AR coating of the p-type c-Si solar cell.

• 약학회지
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• 제5권1호
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• pp.16-19
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• 1960

Quantitative determination of Arsenic acid by precipitation of Arsenic acid as ZnNH$_{4}$AsO$_{4}$ and titration of Zn in the precipitate by EDTA has been investigated. Conclusion are as follows; 1) ZnNH$_{4}$AsO$_{4}$ was Soluble in NH$_{4}$Cl-NH$_{4}$OH buffer solution of pH lo and back-titration was unnecessary as in the case of MGNH$_{4}$AsO$_{4}$. 2) The end point was clear whether AsO$_{4}$$^{-3}$ present or not. 3) More simple and rapid method than that of Gravi metric method. 4) Could be determined within 0.3% error.

• 한국자원식물학회지
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• 제8권2호
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• pp.153-157
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• 1995

초피(椒皮)나무(Zanthoxylum piperitum DC.)의 embryogenic callus로부터 부정배발생(不定胚發生)에 있어 $NH_4NO_3,\;KNO_3$와 casein hydrolysate의 첨가(添加) 효과(效果)를 알아 보기위하여 본(本) 실험(實驗)을 실시(實施)하였던 바 그 결과(結果)는 다음과 같다. 1. 2,4-D 0.1mg/1가 첨가(添加)된 MT배지(培地)에 $NH_4NO_3$를 3300mg/1 첨가(添加)시킨 배지(培地)에서 부정배발생(不定胚發生)이 가장 양호(良好)하였다. 2. $KNO_3$를 3800mg/1 첨가(添加) 시킨 경우(境遇)에는 MT 기본배지(基本培地)와 2,4-D 0.1mg/1를 첨가(添加)시킨 배지(培地)에서 비교적(比較的) 양호(良好)한 부정배(不定胚)를 발생(發生)시키었다. 3. 2,4-D 0.1mg/1가 첨가(添加)된 MT 배지(培地)에 casein hydrolysate를 700mg/1 첨가(添加)시킨 경우(境遇)에 부정배(不定培) 발생(發生)이 양호(良好)하였으며 2,4-D가 첨가(添加)되지 않는 배지(培地)에서는 부정배(不定培) 발생(發生)이 저조(低調)하였다.

• 한국표면공학회지
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• 제38권5호
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• pp.202-206
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• 2005

Nitriding treatments were conducted on tool steel (SKD 61) at a temperature of $500^{\circ}C$ for 5 hr using high vacuum direct current (DC) plasma, with ammonia and argon as source gases. The structural and compositional changes produced in the nitrided layers by applying different ratios of Ar to $NH_{3}\;(n_{Ar}/n_{NH3}) were investigated using glancing x-ray diffraction (GXRD), optical microscopy, atomic force microscopy (AFM), micro-Vickers hardness testing, and pin-on-disc type tribometer. Nitriding case depths of around of $50{\mu}m$ were produced, varying slightly with different ratios of $n_{Ar}/n_{NH3}. It was found that the specimen surface hardness was 1150 Hv with $n_{Ar}/n_{NH3}=1, increasing to a maximum value of 1500 Hv with $n_{Ar}/n_{NH3}=5. With a further increase in ratio to $n_{Ar}/n_{NH3}=10, the surface hardness of the specimen reduced slightly to a value of 1370 Hv. These phenomena were caused by changes of the crystallographic structure of the nitride layers, i.e the $\gamma'-Fe_{4}N$ phase only was observed in the sample treated with $n_{Ar}/n_{NH3}$=1, and the intensity of the $\gamma'-Fe_{4}N$ phase were reduced but new phase of $\varepsilon'-Fe_{3}N$, which was known as a high hardness, with increasing $n_{Ar}/n_{NH3}. Also, the relative weight loss of counterface of the pin-on-disc with unnitrided steel was 0.2. And that of nitrided steel at a gas mixture ($n_{Ar}/n_{NH3}) of 1, 5, 7, and 10 was 0.4, 0.7, 0.6, and 0.5 mg, respectively. This means that the wear resistance of the nitrided samples could be increased by a factor of 2 at least than that of unnitrided steel.

• 전기화학회지
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• 제16권3호
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• pp.123-128
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• 2013

유기물 첨가에 따른 CDI 모듈셀의 N, P 제거 특성을 위해 2000 ppm $NH_3$, $H_3PO_4$에 methanol, ethanol, iso-propanol, methoxy ethanol, glucose을 1, 2, 3 vol.%를 첨가해 용량 및 이온의 흡 탈착능을 관찰하였다. $NH_3$에서는 탄소수가 증가할수록 용량은 감소하는 경향을 나타내었으며, 용량은 methanol 3 vol.% 첨가 될 때 유기탄소 간섭 전보다 흡착은 16.4%, 탈착은 30.4%의 질소 제거율 증가를 나타내었다. $H_3PO_4$에서는 iso-propanol 2 vol.% 첨가 시에 유기탄소 간섭 전보다 흡착은 63%, 탈착은 54.7% 인산염의 제거율 증가를 확인하였다. 따라서 본 연구에서는 폐수 내의 유기물을 제거하지 않고 N, P 제거 효과와 운영비용을 감소할 수 있는 결과를 나타내었다.

• 한국토양비료학회지
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• 제17권4호
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• pp.389-398
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• 1984

질소(窒素)의 형태(形態) 및 칼슘의 농도(濃度)가 배추의 생리장해(生理障害)인 Tip-burn 발생(發生)에 미치는 영향(影響)을 밝히기 위하여 Ca 3수준(水準)(0, 8, $16meq/{\ell}$)을 주구(主區)로 놓고 결구형성기(結球形成期)를 전후(前後)하여 질소(窒素)의 형태(形態)($NO_3{^-}-N$, $NH_4{^+}-N$) 및 농도(濃度) (4, 8, $16meq/{\ell}$)를 달리하는 10개(個) 처리(處理)를 세구(細區)로 놓아 총(總) 30개(個) 처리(處理) 2반복(反覆)으로서 사경재배(砂耕栽培)로 실험(實驗)하였다. 실험결과(實驗結果)를 보면 우선 Ca 수준(水準)에 관계(關係)없이 모든 $NH_4{^+}-N$ 처리구(處理區)에서 Tip-burn이 발생(發生)되었으며 수량(收量)이 낮았는데 $NH_4{^+}-N$ 처리구(處理區)의 뿌리는 담(湛)하게 상해(傷害)를 받았으며 누수(漏水)의 pH는 5.0이하(以下)로 낮아졌다. 결구형성기(結球形成期) 이전(以前)에 $NH_4{^+}-N$의 처리(處理)로 Tip-burn이 발생(發生)되었던 식물체(植物體)는 결구형성기(結球形成期) 이후(以後)에 $NO_3{^-}-N$으로 질소(窒素)의 형태(形態)를 바꿈에 따라 건전(健全)한 생육(生育)을 보였으며 반대(反對)의 경우($NO_3{^-}-N{\rightarrow}NH_4{^+}-N$)에는 Tip-burn이 발생(發生)하였다. 배추의 수량(收量)은 위의 상황(狀況)을 그대로 반영(反影)하였다. 식물체중(植物體中)의 양분함량(養分含量)을 보면 $NH_4{^+}-N$ 처리(處理)는 내엽중(內葉中)의 T-H 함량(含量)을 증가(增加)시켰으나 K 및 Ca함량(含量)을 감소(減少)시킨 반면 Ca처리(處理)는 내엽중(內葉中)의 T-N과 K의 함량(含量)에 영향(影響)을 미치지 않았다. $NH_4{^+}-N$ 처리(處理)는 식물체중(植物體中) Ca 전이(傳移)를 방해(防害)하였으나 $NO_3{^-}-N$ 처리(處理)는 전이(傳移)를 촉진(促進)하였으며 Tip-turn증상(症狀)을 보인 엽(葉)은 건전(健全)한 엽(葉)에 비(比)해 Ca함량(含量)이 낮았다. Internal rot는 결구후기(結球後期)에 나타나는 Tip-burn 증상(症狀)으로 높은 농도(濃度)의 $NO_3{^-}-N$ 처리(處理)에 의(依)해 발생(發生)되었으며 내엽중(內葉中) Ca 함량(含量)은 Ca 농도(濃度) 증가(增加)에 따라 증가(增加)하였으나 Internal rot와는 상관(相關)이 없었다. 배추의 Tip-burn은 종래(從來)의 학설(學說)에 의(依)한 Ca 결핍증상(缺乏症狀)이라기 보다는 오히려 Ammonium toxicity에 의(依)해 뿌리가 심한 장해(障害)를 받고 그에 따라 식물체(植物體)가 water stress($NO_3{^-}-N$에서 자란 식물은 95% 수분함량, $NH_4{^+}-N$에서 자란 식물은 91% 수분함량)를 받기 때문에 나타나는 증상(症狀)으로 사려(思慮)되며 Internal rot도 Ca 결핍(缺乏)보다는 질소과용(窒素過用)에 의(依)해서 생기는 것으로 생각된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제45권1호
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• pp.30-35
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• 2008

In this paper, CdS/Cd(Cu)S thin films and diodes were manufactured via a chemical bath deposition (CBD) process, and the effects of $NH_4Cl$ and TEA(triethylamine) on the properties of the films were examined. The addition of $NH_4Cl$ significantly increased the thickness of the CdS and Cd(Cu)S films, however, the addition of TEA decreased the thickness in both cases slightly. The addition of $NH_4Cl$ along with TEA increased the film thickness more effectively compared to the addition of only $NH_4Cl$. The thickness of the CdS film prepared from an aqueous solution of 0.007 M $CdSO_4$, 1.3 M $NH_4OH$, 0.03 M $SC(NH_2)_2$, 0.0001 M TEA and 0.03 M $NH_4Cl$ was 310 nm. Dark resistivity of the CdS film was $1.2{\times}10^3\;{\Omega}cm$ and the photo resistivity with $500\;W/cm^2$ irradiation of white light was $20{\Omega}cm$. The Cd(Cu)S/CdS thin film diodes prepared by CBD showed good rectifying characteristics.

• 식물조직배양학회지
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• 제21권4호
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• pp.193-200
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• 1994

마늘 생장점 배양을 통한 효율적인 우량종구 증식방법을 확립하기 위하여 기내배양시 유식물체 분화 및 기내인경 비대에 미치는 영향을 조사하였다. 유식물체 분화는 sucrose 및 질소 공급형태에 따라서 차이가 없었으나, 유식물체의 생장은 NO$_3$-N 공급시 저조하고, NH$_4$-N 및 NH$_4$+ NO$_3$ 공급형태에서 양호하였으며 특히 2차 계대배양시 질소형태를 바꾸워 공급할 경우 더욱 촉진되었다. 기내인경 비대는 NH$_4$-N를 공급하였을 때와 고농도의 Sucrose을 첨가하였을 때 촉진되었으며, 특히 유식물체에 저온처리를 하면 그 효과가 더 상승되었다. 기내배양에서 마늘의 생장에 이용되는 질소형태는 NH$_4$-N 이며, NO$_3$-N을 공급하면 흡수가 거의 되지 않고, $K^{+}$흡수도 저조하였다. Ethylene의 발생은 질소 공급 형태와 관계없이 8% sucrose 고농도에서 더 많이 발생되었다.