• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.62.1-62.1
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• 2010

CIS(CuInSe2)계 화합물 태양전지는 높은 광흡수계수와 열적 안정성 및 조성 조절을 통한 밴드갭 조절이 용이해 고효율 박막 태양전지로 각광 받고 있다. 또한 CIGS 태양전지는 기존의 유리기판 대신 유연한 기판을 사용해 flexible 태양전지 제조가 가능하다. 이러한 유연기판은 보통 stainless steel과 같은 금속 기판이 많이 사용되는데 기존의 soda-lime glass 기판과는 달리 금속기판에는 Na이 첨가되어 있지 않아 별도의 Na첨가를 필요로 한다. Na은 CIGS 흡수층의 조성조절을 용이하게 하여 태양전지의 변환 효율을 향상시키는 역할을 한다. 본 연구에서 기판은 Na이 첨가되어있지 않은 corning glass를 사용 하였으며 NaF를 이용해 Mo가 증착된 기판에 NaF의 두께를 달리하며 증착해 CIGS 흡수층의 grain 사이즈를 비교 하였으며 그 후 태양전지 소자를 제조해 광전특성을 분석하였다. 후면 전극으로 약60nm 두께의 Mo를 DC Sputtering 방법을 이용해 증착 하였다. buffer층으로는 약 50nm의 CdS층을 CBD방법을 이용하여 제조 하였으며 TCO 층으로 약 50nm의 i-ZnO와 약 450nm의 Al-ZnO를 RF Sputtering방법으로 증착 하였다. 마지막으로 앞면 전극으로 약 $1{\mu}m$의 Al을 Thermal Evaporation방법으로 증착하였다. 태양전지 소자의 면적은 $0.49cm^2$로 효율을 비교 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.321-322
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• 2006

The electrical properties of PZT thin film capacitor on TiN/W plug structure were investigated for high density ferroelectric memory devices. In order to enhance the ferroelectric properties of PZT capacitor, the process conditions of bottom electrodes were optimized. The fabricated PZT capacitor on TiN/W plug showed good remanent polarization, leakage current, and contact resistance of TiN/W plug, which were $33\;{\mu}C/cm^2$, $1.2{\times}10^{-6}\;A/cm^2$, and 5.3 ohm/contact, respectively.

• 열처리공학회지
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• 제31권2호
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• pp.63-67
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• 2018

Recent mold industry uses many roll-to-roll processes that can produce high production speed and precision machining and automation process. In the circular cylinder mold, however, patterns of less than $10{\mu}m$ are difficult to manufacture and maintain. In this study, we fabricated a circular cylindrical mold with a DLC thin film which have high hardness, low coefficient of friction and high releasability by using lithography and lift-off process. The height, line width, and pitch of the fabricated DLC macro pattern are $3.1{\mu}m$, $9.1{\mu}m$ and $20.2{\mu}m$, respectively. The pattern size is finer than the current applied to the aluminum cylinder type, and this shows the possibility of practical use of DLC micro pattern roll mold.

• 태양에너지
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• 제20권2호
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• pp.43-54
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• 2000

동시 진공증발법을 이용하여 coming glass, soda-lime glass, Mo가 증착된 soda-lime glass 위에 $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ 박막을 증착하였다. Soda-lime glass 위에서 제조된 $Cu(In_{0.5}Ga_{0.5})Se_2$ 박막의 전기비저항값과 정공농도는Cu/(In+Ga)비에 큰 영향을 받지 않았다. Soda-lime glass위에서의 $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ 박막내부와 표면에는 Na이 검출되었고, 표면의 Na는 산소와 결합하고 있었으며, Cu가 부족한 조성에서 이차상이 형성되었다. Ga/(In+Ga)비가 증가할수록 $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ 박막은 회절 peak들의 큰 회절각으로 이동, 초격자 peak등의 분리, 결정립 크기의 감소가 관찰되었다. $Cu_{0.91}(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ 박막은 Ga/(In+Ga)비에 무관하게 전기적으로 p-type을 나타내었다. Ag/n-ZnO /i-Zno/CdS/$Cu_{0.91}(In_{0.7}Ga_{0.3})Se_2$/Mo/glass구조의 태양전지를 제조하였으며, 태양전지변환효율(Eff.) = 14.48%, 단락전류밀도(Jsc) = $34.88mA/cm^2$, 개방전압(Voc) =581.5 mV, 충실도(F.F) = 0.714을 나타내었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1162-1164
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• 1995

In this paper, $TiO_2$-xmol%$V_2O_5$, x=0.0, 1.0, 2.0, 3.0 specimens are fabricated by Sol-Gel method. For the improvement of humidity sensitive characteristics for specimens, their microstructures are analysed and the optimum processing condition is established. Grain size increases with substitution rate of $V^{5+}$, on $Ti^{4+}$ site. Their humidity sensitive characteristics is good at 1mol% of $V_2O_5$ rate and heat-treated at $700^{\circ}C$. The capacitance of specimens decreases with frequency.

• 한국재료학회지
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• 제17권3호
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• pp.147-151
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• 2007

Cu-free multi-component sol, of which final oxide composition becomes $Bi_{1.9}Pb{0.35}SrCaO,\;Bi_{1.8}Pb_{0.2}SrCaO\;and\;Bi_{1.5}SrCaO$, respectively, was prepared through sol-gel route and coated on a bare Cu substrate. Starting materials were metal-alkoxides as follows.; [$Bi(OC_{2}H_{5})_{3}\;Pb(O^{1}C_{3}H_{7})_{2},\;Sr(O^{i}C_{3}H_{7})_{2},\;Ca(OC_{2}H_{5})_{2}$] as a reagent grade. Transparent light yellowish sol was obtained in the case of $Bi_{1.9}Pb_{0.35}SrCaO\;and\;Bi_{1.8}Pb_{0.2}SrCaO$ composition and $Bi_{1.5}SrCaO$ composition's sol was light greenish. Each sol was repeatedly dip-coated on Cu substrate four times and pre-heated at $400^{\circ}C$ and finally heat-treated in the range of $740{\sim}900^{\circ}C$. In the results, crystalline phases confirmed by XRD were (2201) orthorhombic and monoclinic phases. However, only $Bi_{1.9}Pb_{0.35}SrCaO_{x}$ composition showed pseudo-superconductive behavior after heat-treatment at $900^{\circ}C$ for 12 seconds and then onset temperature was 77 K, even though it did not exhibit zero resistance below Tc.

• 한국자기학회지
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• 제2권3호
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• pp.257-262
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• 1992

DC 마그테트톤 스퍼터링으로 GdFe 광자기기록용 박막을 복합타켓 배열방법에 따라 제작할때 각 원소의 증착속도의 차이로 인한 특성의 변화를 구하였다. 조성은 증착속도가 증가함에 따라 Gd atomic %가 줄어들며 1.0 ${\AA}/s$ 이상의 증착속도에서는 다소 증가하였다가 감소하는 변화를 보였다. 투입전력에 따른 증착속도는 거의 선형적으로 증가하며, Gd chip의 수를 증가시킬수록 스퍼터링 효율이 높아지는 것으로 나타났다. 투입전력이 증가함에 따라 박막의 보자력도 증가하는데, 이는 Fe 결정립의 크기가 커짐에 따른 것으로 해석된다. 이 실험을 위하여 확산방지벽을 제작하여 스퍼터링에 적용하였고, 이는 재현성을 높이는데 효과가 있었다. Kerr angle gauge를 제작하여 ${\theta}_k$를 측정하였고 ${\theta}_k$는 증착속도에 따라 큰 변화가 없음을 알았다.

• 한국표면공학회지
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• 제45권2호
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• pp.53-60
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• 2012

Modulated Pulse Power (MPP) magnetron sputtering is a new high-power pulsed magnetron sputtering (HPPMS) technology which overcomes the low deposition rate problem by modulating the pulse voltage shape, amplitude, and the duration. Highly ionized magnetron sputtering can be performed without arcing because it can be controlled as multiple steps of micro pulses within one overall pulse period in the range of 500-3,000 ${\mu}s$. In this study, the various waveforms of discharge voltage and current for micro pulse sets of MPP were investigated to find the possibility of controlling the strongly ionized plasma mode. Enhanced ionization of the sputtered metal atoms was obtained by OES. Large grained columnar structure can be grown by the strongly ionized plasma mode in the AZO deposition using MPP. In the most highly ionized deposition condition, the preferred orientation of (002) plane decreased, and the resistivity, therefore, increased by the plasma damage.

• 한국토양비료학회지
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• 제29권1호
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• pp.34-43
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• 1996

본(本) 연구(硏究)는 무저(無底) lysimeter내에서 참깨의 멀칭재배에 따른 물소모량변화를 산출하고자 농업기술연구소 토양 물리과 관개시험포장(灌槪試驗圃場)에서 1991년과 1992년에 중부지방(中部地方)의 표준파종기(標準播種期)인 5월(月) 10일(日)에 파종(播種)하여 참깨품종 "안산깨"를 시험재배(試驗栽培)하였다. 토양(土壤)은 배수(排水)가 다소 양호(良好)한 본량(本良) 사양토(砂壤土)였다. 그 결과(結果)는 다음과 같이 요약(要約)된다. 1. 물소모량(消耗量)은 $ETa=(R+I)-\{Ro+(D1+D2)\}+C{\pm}{\Delta}S$의 모형식(模型式)에 의해 각 parameter의 변화를 계측하고 전산(電算)프로그램을 작성(作成)하여 산출(算出)하였다. 2. 각(各) parameter의 계측(計測)에 있어서는 강양량(降兩量)(R), 지표수(地表水) 유거량(流去量)(Ro근권심(根圈深)의 변화(變化)(Z(t)), 근권(根圈) 물보유량(保有量)의 경시적(經時的) 변화(變化)(${\Delta}S$)를 실측(實測)하고 배수량(排水量)(D), 모관토승량(毛管土昇量)(C) 등(等)의 구성요인(構成要因)을 산출(算出)하였다. 3. 참깨의 생육진전(生育進展)에 따른 근권심도(根圈深度)의 변화(變化)는 2개년간(個年間) 근권변화(根圈變化)를 조사(調査)하고, 그 성적(成績)을 Borg식(式) $Z(t)=(Zf-Zi){\times}[0.5+0.5\;SIN\{3.03(t/T)-1.47)\}+A$의 사용(使用) 가능성(可能性)을 제시(提示)하였다. 4. 참깨를 중부지방(中部地方)에서 파종적기(播種適期)인 5월(月) 10일(日)에 파종(播種)할 경우 참깨의 전(全) 생육기간(生育期間)중의 실증발산량(實蒸發散量)(ETa)은 멀칭하지 않은 경우 1991년도(年度)에는 139.0mm(일당(日當) 1.53mm)이었고. 1992년(年)에는 171.2mm(일당(日當) 1.59mm)로 각각(各各) 잠재증발산량(潛在蒸發散量)(ETp)의 54% 및 59%이었다. 5 同一한 조건(條件)에서 Plastic film(두께 0.03mm)으로 멀칭을 한 경우 실증발산량(實蒸發散量)은 1991년도(年度)에는 132.6mm(일당(日當) 1.46mm)이었고. 1992년도에는 199.8mm(일당(日當) 1.85mm)로 각각(各各) 잠재증발산량(潛在蒸發散量)의 52% 및 69%이었다.

• 한국광학회지
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• 제13권5호
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• pp.455-459
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• 2002

직류 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장 온도($T_s$)를 변화시키면서 제작한 $In_2O_3$:Zn(IZO) 박막의 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. $T_s$<$300^{\circ}C$에서 제작한 IZO 박막은 비정질이었고, $350^{\circ}C$＜$T_s$인 경우 결정질이었다. 일반적인 물질과 달리 특이하게도 IZO가 비정질일 때 전기 전도도와 광투과도 모두 결정질일 경우 보다 높은 것으로 나타났다. 비정질 IZO 박막의 경우 비저항의 값은 0.29~0.4m$\Omega$cm 이었으며 결정질 박막의 경우 1~4m$\Omega$cm이었다. IZO 박막내의 전하는 n형이고 전하농도(${n}_H$)는 $3~5{\times}10^{20}/cm^3$, 전하 유동도($({\mu}_H)$ )는 20-$50\textrm{cm}^2$/V.sec이었다. 비정질 및 결정질 IZO 박막내의 주된 전자의 충돌 과정은 이온화된 불순물과 격자 충돌로 추정된다. IZO 박막의 가시광 영역(400<$\lambda$<700mm)의 광투과도는 80%이상이었고 $T_s$가 증가함에 따라 감소하는 경향을 보였다.