Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2006.06a
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- Pages.321-322
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- 2006
Electrical Properties of Integrated Ir/$IrO_2$ /PZT/Pt/$IrO_2$ /Ir Ferroelectric Capacitor on TiN/W Plug Structure
TiN/W 플러그 구조 위에 제작된 Ir/$IrO_2$ /PZT/Pt/$IrO_2$ /Ir 강유전체 커패시터의 전기적 특성
- Choi, J.H. (Chungju National Univ./ReSEM) ;
-
Kweon, S.Y.
(Chungju National Univ./ReSEM)
;
- Hwang, S.Y. (Hynix) ;
- Kim, Y.J. (Hynix) ;
- Son, Y.J. (Hynix) ;
- Cho, S.S. (Hynix) ;
- Lee, A.K. (Hynix) ;
- Park, S.H. (Hynix) ;
- Lee, B.H. (Hynix) ;
- Park, N.K. (Hynix) ;
- Park, H.C. (Hynix) ;
- Chang, H.Y. (Hynix) ;
- Hong, S.K. (Hynix) ;
- Hong, S.J. (Hynix)
- 최지혜 (충주대학교 신소재공학과/친환경 에너지 변환.저장 소재 및 부품개발 연구센터) ;
-
권순용
(충주대학교 신소재공학과/친환경 에너지 변환.저장 소재 및 부품개발 연구센터)
;
- 황성연 (하이닉스반도체 연구소) ;
- 김윤정 (하이닉스반도체 연구소) ;
- 손영진 (하이닉스반도체 연구소) ;
- 조성실 (하이닉스반도체 연구소) ;
- 이애경 (하이닉스반도체 연구소) ;
- 박상현 (하이닉스반도체 연구소) ;
- 이백희 (하이닉스반도체 연구소) ;
- 박남균 (하이닉스반도체 연구소) ;
- 박해찬 (하이닉스반도체 연구소) ;
- 장헌용 (하이닉스반도체 연구소) ;
- 홍석경 (하이닉스반도체 연구소) ;
- 홍성주 (하이닉스반도체 연구소)
- Published : 2006.06.22
Abstract
The electrical properties of PZT thin film capacitor on TiN/W plug structure were investigated for high density ferroelectric memory devices. In order to enhance the ferroelectric properties of PZT capacitor, the process conditions of bottom electrodes were optimized. The fabricated PZT capacitor on TiN/W plug showed good remanent polarization, leakage current, and contact resistance of TiN/W plug, which were