• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.313-313
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• 2010

$BiFeO_3$ (BFO), when forming a solid solution with $BaTiO_3$ (BTO), shows structural transformations over the entire compositional range, which not only gives a way to increase structural stability and electrical resistivity but also applies a means to have better ferromagnetic ordering. In this respect, we have prepared and studied 0.8 BFO-0.2 BTO thin films on Pt(111)/$TiO_2/SiO_2$/Si substrates by pulsed laser deposition. Various deposition parameters, such as deposition temperature and oxygen pressure, have been optimized to get better quality films. Based on the X-ray diffraction results, thin films were successfully deposited at the temperature of $700^{\circ}C$ and an oxygen partial pressure of 10mTorr and 330mTorr. The dielectric, ferroelectric, and magnetic properties have then been characterized. It was found that the films deposited under lower and higher oxygen pressure corresponded to lower leakage current. Magnetism measurement showed an induced ferromagnetism. The microstructures associated with the magnetic and dielectric properties of this mixed-perovskite solid solutions were observed by transmission electron microscopy, which revealed the existence of complicated ferroelectric domains, suggested that the weak spontaneous magnetization was closely associated with the decrease in the extent of rhombohedral distortion by a partial substitution of $BaTiO_3$ for $BiFeO_3$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1236-1238
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• 1994

TiAlN thin films were prepared by a multi target r.f magnetron sputtering system under different conditions. We have investigated the resistivity and T.C.R. (Temperature Coefficient of Resistance) characteristics of TiAlN films deposited on $Al_2O_3$ and glass substrates by sputtering in an $Ar:N_2$ gas mixture. We used Al and Ti metal as Target Material and $Ar:N_2$ gas as working gas. We varied the partial pressure ratio of $N_2/Ar$ from 0.2/7 to 1.0/6.2 (SCCM). And the R.F power of Ti and Al Target also were varied as 160/240, 200/200 and 240/160(W). In this experiment, we can get the precision thin film resistor with a very low T.C.R. (Temperature Coefficient of Resistance) below 25 ppm ${\Omega}/^{\circ}C$.

• 한국표면공학회지
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• 제29권5호
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• pp.519-524
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• 1996

We synthesized semiconducting Sn-doped diamondlike carbon films by rf plasma-enhanced chemical vapor deposition using an organotin compound as a dopung gas source. XPS quan-titative analysis for the deposited films after 60 s argon ion etching revealed that Sn concen-tration increased with the partial pressure of the organotin compound in the reactant gas. In C 1s spectra, there was a component due to C-Su bond which had a negative chemical shift. C 1s spectra also indicated that the deposited films were relatively $sp^2$ rich. The chemical shift of the Sn-C bond in Sn $3d_{5/2}$ spectra was about +1.7 eV. The electrical resistivity and the optical transmittance were also investigated.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.40-40
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• 2010

사중극 질량 분석기(Quadrupole Mass Spectrometer, QMS)는 높은 정확도와 사용이 쉬운 장점으로 인해 반도체 및 디스플레이 산업 등의 진공공정에서 잔류가스를 측정하고 분석하는 기기로써 반도체 및 디스플레이 소자제조를 위한 공정 진단에서 많이 사용되고 있다. 특히 고진공으로 내려가면서 리크 디텍션(leak detection)과 미세 량의 잔류기체 감지가 더욱더 요구되며 특히 $H_2$ 및 CO의 경우 측정에 많은 어려움이 있다. 따라서 $H_2$ 및 CO의 미세 량을 감지하기 위하여 QMS의 성능을 평가할 수 있는 parameter 중 하나가 될 수 있는 minimum detectable partial pressure(MDPP)를 측정하였다. 실제 고진공에 도달하여 MDPP를 계산하기 위해서는 bake out이 필요하며 또한 가스가 주입되지 않은 상태에서 잔류기체의 조성을 정확히 알 수 없기 때문에 정량적 분석이 어렵다는 단점이 있다. 본 실험에서는 측정하고자 하는 물질의 소량 포함된 표준가스를 사용하여 부피확장방법으로 가스 챔버로 희석하여 이동시키고 핀홀에서 가스유량을 더 줄여서 QMS가 기체를 감지하는 압력범위를 유지하면서 가스를 인가하여 주어 그때의 MDPP를 계산하였다. 또한 tuning을 통해 이온전류를 증폭시켜 더 향상된 MDPP를 측정하였다. 이 방법을 사용하면 bake out을 통한 고진공에 도달하지 않고서도 MDPP를 측정할 수 있으며, 정확한 조성 및 부분압을 알 수 있고 또한 희석된 가스를 사용하여 MDPP를 더욱 더 향상시킬 수 있다.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제13권5호
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• pp.717-724
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• 2003

A newly isolated Citrobacter sp. Y19 catalyzes the CO-dependent $H_2$ production (biological water-gas shift reaction) by the actions of CO dehydrogenase (CODH) and hydrogenase. Y 19 requires $O_2$ for fast growth, but its $H_2$ production activity is significantly inhibited by $O_2$. In the present study, the effect of $O_2$ on the activities of CODH ard hydrogenase was investigated quantitatively in both whole cells and broken cells, based on CO-dependent or methyl viologen (MV)-dependent $H_2$ production in addition to CO-dependent MV reduction. In crude cell extracts, CODH activity was mostly found in the soluble fraction. Inactivation of CODH and hydrogenase activities by $O_2$ followed the first-order decay kinetics, and the dependence of the rate constants on $O_2$ partial pressure could be expressed by the Michaelis-Menten equation. In whole cells, the maximum deactivation rate constants ($k_{d,max}$ of hydrogenase and CODH were quite similar: $0.07{\pm}0.03 min^{-1}\;and\;0.10{\pm}0.04 min^{-1}$, respectively. However, the first-order rate constant ($k_{d,max}/K_s$) of CODH ($0.25\;min^{-1}\;atm^{-1}$) at low $O_2$ partial pressures was about 3-fold higher than that of the hydrogenase, since the half-saturation constant ($K_s$) of CODH was about half of that of hydrogenase. In broken cells, both enzymes became significantly more sensitive to $O_2$ compared to the unbroken cells, while $k_{d,max}/K_s$ increased 37-fold for hydrogenase and 6.7-fold for CODH. When whole cells were incubated under anaerobic conditions after being exposed to air for 1 h, hydrogenase activity was recovered more than 90% in 2 h suggesting that the deactivation of hydrogenase by $O_2$ was reversible. On the contrary, CODH activity was not recovered once deactivated by $O_2$ and the only way to recover the activity was to synthesize new CODH. This study indicates that $O_2$ sensitivity of $H_2$ production activity of Citrobacter sp. Y19 is an important drawback as in other $H_2-producing$ bactria.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.261-262
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• 2006

High temperature superconducting coated conductor has multi-layer structure of protecting layer/superconducting layer/buffer layer/metallic substrate. The buffer layer consists of multi layer, and the architecture most widely used in RABiTS approach is $CeO_2$(cap layer)/YSZ(diffusion barrier layer)/$CeO_2$(seed layer). Multi-buffer layer deposition required many times and process. Therefore single buffer layer deposition study reduce 2G HTS manufacture efforts. Evaporation technique for single buffer deposition method is used for the $CeO_2$ layer. $CeO_2$ single buffer film could be achieved in the chamber. Detailed deposition conditions (temperature and partial gas pressure of deposition) were investigated for the rapid growth of high quality $CeO_2$ single buffer film.

• 센서학회지
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• 제5권1호
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• pp.37-42
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• 1996

기존의 진공증착 방법으로 $SiO_{2}$ 막이 성장된 Si웨이퍼 위에 ZnO막을 제조하였다. Anhydrous zinc acetate를 자체 제작한 황동보트안에 넣고 가열하여 승화시켰다. 기판온도는 $200^{\circ}C$에서 $600^{\circ}C$까지 변화시켰으며 공정중에 산소를 주입하여 챔버내 산소 분압을 증가시켰다. 증가된 산소분압에 의해 고저항의 ZnO막을 얻을 수 있었다. 제조된 막의 결정성 및 성분을 알기 위해 XRD, EDS 및 RBS 측정을 하였다. 고저항의 ZnO막은 70%이상의 상대습도에 매우 민감한 저항감소를 나타내었다.

• 한국자기학회지
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• 제5권2호
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• pp.128-133
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• 1995

YIG 단결정 소재가 주로 circulator, isolator, filter 및 resonator 등의 고주파 협대역 이동통신용 소자에 사용되고 있으나, 최근 소형/경량화에 따른 YIG 박막의 소요가 예상되면서 에피택셜 박막성장 기술이 많이 연구되고 있다. 본 연구에서 KrF excimer laser 를 사용하고, 산소분압을 20~500 mTorr로 조절하면서 박막을 제조하여 산소분압과 박막두께가 박막의 조직, 조성 및 자기특성에 미치는 영향을 조사하였다. 기판으로는 GGG(111)을 사용하였고 $700^{\circ}C$에서 증착을 실시하였다. 사용한 laser beam의 에너지 밀도는 $7.75\;J/cm_{2}$였다. 20 mTorr 산소분압 하에서 증착한 박막은 항상 에피택셜 성장을 보이고, $2.75\;{\mu}$ 두께의 시편은 $800\;^{\circ}C/20분$ 열처리 후에 $4{\pi}M_{s}$가 1500 Gauss, $H_{c}$는 3 Oe의 값을 보였고, 특히 $0.8\;\mu\textrm{m}$ 두께의 시편은 열처리 없이 $4{\pi}M_{s}$ 값이 1730 Gauss, $H_{c}$는 7 Oe의 우수한 특성을 보여, YIG 단결정의 자기특성에 육박하는 값을 보였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2001년도 추계학술대회논문집B
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• pp.143-148
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• 2001

We measured emission indices for $NO_x$, CO, temperature and radical characteristics for partially premixied flames formed by suction & blow fans air condition. At sufficiently high levels of partial premixing a double flame structure consisting of a rich premixed inner flame and outer diffusion flame was established similar to that previously observed in premixed flames. $NO_x$, Temperature, CO values were experimented with approximately constant air flow rate and decreasing equivalence ratios. The reduction in $NO_x$ and temperature at suction condition as compared with that for blow condition was approximately 20%, but on the contrary, CO emission was increased. In addition, We measured temperature distributions and found that temperature increased continuously with increasing partial premixing. We also estimated CH, $C_2$ radical intensity. CH and $C_2$ radicals provide evidence that, for the present measurement, CH and $C_2$ radicals intensity was associsated with their premixed component. And we observed stronger $C_2$, CH radicals intensity at suction conditions than blow conditions.

• 한국광물학회지
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• 제17권4호
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• pp.309-325
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• 2004

연구는 호주 퀸즈랜드 주 북서부에 위치하는 은-납-아연 캔닝턴 광상은 호상편마암, 미그마타이트, 규선석-석류석 편암 그리고 각섬암으로 구성된 모암 주변부에서 발달해 있다. 모암에서 산출되는 규선석의 세 가지 다른 결정형태, 규선석을 포획광물로 함유한 아연-첨정석과 석류석 반상변정은 모암의 변성작용과 아연과 관련된 광화작용에 대한 지질학적 지시자로 사용되었다. 변성작용과 아연 광화작용과의 관계는 프로그램 THERMOCALC를 이용하여 KFMASH (K$_2$O-FeO-MgO-A1$_2$O$_3$-SiO$_2$- $H_2O$), KFMASHTO (K$_2$O-FeO-MgO-A1$_2$O$_3$-SiO$_2$-$H_2O$-TiO$_2$-Fe$_2$O$_3$), NCKFMASH ($Na_2$O-CaO-K$_2$O-FeO-MgO-Al$_2$O$_3$-SiO$_2$-$H_2O$) 그리고 MnNCKFMASH (MnO-$Na_2$O-CaO-K$_2$O-FeO-MgO-Al$_2$O$_3$-SiO$_2$-$H_2O$) 화학계에서 이들 세 가지 광물의 공생관계와 규선석-석류석-부분용융의 상평형 관계를 이용하여 결정하였다. MnNCKFMASH와 NCKFMASH계에서 부분 용융은 KFMASH와 KFMASHTO계에서 보다 낮은 온도에서 일어나며, MnNCKFMASH 계에서 용융 온도는 암석 화학 성분의 Na+Ca+K)의 비가 증가함에 따라 감소하는 경향을 보인다. 캔닝턴 광상의 모암은 MnNCKFMASH계의 경우 최고 온도와 압력 환경에서(634$\pm$62$^{\circ}C$, 4.8$\pm$1.3 kbar) 약 15% 용융되지만, KFMASHTO계하에서는 부분 용융이 일어나지 않는다. 규선석의 등변성도선과 모드 비의 변화를 근거로, 주상과 능면형의 규선석과 주상의 규선석을 포획하는 아연-첨정석 반상변정은 부분 용융을 포함하는 온도와 압력의 증가(약 550～$600^{\circ}C$, 2.0～3.0 kbar에서 700～75$0^{\circ}C$, 5.0～7.0 kbar)로 인한 것으로 생각된다. 또한 이와 같은 변성작용 동안의 최대 수축 변형 방향은 남-북 그 다음 동서 방향으로 주로 D$_1$과 D$_2$ 변형작용 동안에 형성되어졌다. 결론적으로 아연-첨정석의 성장과 관련된 아연 광화 작용은 D$_2$ 동안에 일어났고 그 후 부분 용융과 후기 변형/변성작용에 의해 재배치 또는 재농집 되어진 것으로 생각된다.