This study was carried out to determine the concentration of gaseous nitrate$(HNO_3)$ particulate nitrate$(NO_3^-)$ and conversion rate of NOx to nitrate in atmosphere in Seoul from Oct 1991 to July 1992. The average concentration of gaseous nitrate in daytime(09:00 - 17:00) was 9.93, 3.37, 7.40 and 10.40$\mug/m^3$ and, in highttime was 6.21, 7.31, 4.79 and 3.86$\mug/m^3$ respectively. The concentratin of $HNO_3$ was greater in summer and daytime than winter and nighttime. But the concentration of $NO_3^-$ was greater in winter and nighttime than in summer and daytime. The average conversion rate of NOx to $HNO_3$(Fn) indaytime was 13.18, 3.78, 9.13 and 23.13% and, in nighttime was 3.06, 1.37, 1.70 and 8.72% during fall, winter, spring and summer respectively. But the average conversion rate of NOx to $NO_3^-$(Fn') in daytime was 5.79, 5.77, 2.63 and 3.90% and in nighttime was 5.95, 6.51, 3.25 and 4.84% respectively. The average conversion rate of NOx to total nitrate $(HNO_3 + NO_3^-)$(Fn') was 12.72, 7.81, 7.82 and 18.40% respectively. The average conversion rate of NOx to $HNO_3$(Fn) was greater than $NO_3^-$(Fn') about 1.6 times.
전통적으로 초경합금은 무라까미 용액에서 에칭하거나 묽은 염산에 넣고 끓이는 방법에 의해 그 밋구조를 관찰하였다. 그러나 carbide 입자가 suvmicron 크기인 초경합금에서는 전통적인 에칭 방법으 에칭 후에도 입자/기지상, 입자/입자 입계를 동시에 구분시킬 수 있는 SEM 사진을 얻을 수 없다. 본 연구에서는 submicron 크기 초경합금의 고배율 SEM 사진을 얻을 수있는 90H2O2 - 10HNO3 (vol%)의 새로운 에칭 용액을 개발하였다. 경명의 submicron 크기 WC-Co 시편을 샐운 에칭 용액인 90H2O2 - 10HNO3 (vol%)에 넣고 약 6$0^{\circ}C$에서 약 12분 동안 에칭하였다. 에칭에 의해 Co 기지상은 빠르게 제기(dissolution)되었고, 동시에 표면의 WC 입자들은 각각의 결정학적 방향에 따라 천천히(slowly) 다른 속도로 부식(sissolution)되었다. 고배율 SEM을 관찰한 결과 WC/기지상 계면과 WC/WC 입계가 명화갛게 관찰되었다. WC 입자의 성장을 억제시키는입자성장 억제제(Cr3C2, TaC,VC)가 첨가된 WC Co 초경합금을 새로운 에칭 용액인 90H2O2 - 10HNO3 (vol%)에 넣고 약 6$0^{\circ}C$에서 약 12분동안 에칭하였다. 매우 작은 입자를 갖는 미세구조임에도 불구하고 고배율 SEM에서 WC/기지상 계면과 WC/WC 입계가 명확하게 관찰되었다. 90H2O2 - 10HNO3 (vol%)에서 Co 기지상이 빠르게 제거되는 것은 산 (acid)인 HNO3)에서 금속인 Co가 쉽게 녹기 때문이다. 동시에 WC 입자들이 각각 다른 속도로 에칭 된 것은 강력한 산화제인 H2O2가 각각의 WC입자 표면에 얇은 텅스텐 산화물 층을 형성시켰고 이들이 산인 HNO3에서 녹았기 때문이다. 본 연구에서 개발된 새로운 에칭 용액인 90H2O2 - 10HNO3 (vol%)의 에칭 원리가 똑같이 적용 가능한 다른 종류의 초경 합금에서도 사용이 가능할 것으로 판단된다.로 판단된다.
우모 가수분해 물 첨가가 육계의 성장 및 가슴살, 다릿살, 간, 그리고 심장의 타우린 함량에 미치는 영향을 알아보기위해 1일령 육계 병아리를 실험 1에서는 4처리에 암 수 각각 5수씩 총40수를 배치하였고, 실험 2에서는 같은 방법으로 7처리로 70수를 배치하여 3주간 사양시험을 실시하였다. 시험사료는 대조구(T1) 사료에 5% R-FM(T2),5% NaOH-FM(T3) 그리고 5% $HNO_{3}$ -FM(T4)첨가하여 실험 1을 수행하였으며, 실험 2에서는 실험 1의 처리구들과 함께 5% M-$HNO_{3}$ -FM(TS),5% HM(T6) 그리고 시스틴 파우더 0.22%를 첨가한 처리구(T7)를 추가하여 수행하였다. 타우린 분석은 실험 1에서 가슴살과 간, 실험 2에서는 가슴살, 간, 다릿살 및 심장에서 분석하였다. 실험 1과2에서 모두R-FM과NaOH-FM첨가구가 대조구와 $HNO_{3}$ -FM 첨가구에 이해 증체율이 높은 경향을 나타냈다. 실험 2에서는 시스틴 첨가구가 다른 처리구들에 비해 증체율이 가장 높았으며, NaOH-FM, HM, M-$HNO_{3}$ -FM $HNO_{3}$ -FM대조구 그리고 R-/FM첨가구 순 이었다. 실험 1의 타우린 분석 결과, 가슴살에서 NaOH-FM첨가구가 대조구에 비해 유의하게 타우린 농도가 높았으며(P<0.05), 실험 2의 가슴살에서는 NaOH-FM과 CYS 첨가구가 다른 처리구에 비해 타우린 농도가 높은 경향을 보였다. 다릿살의 타우린 분석에서는 R-FM과 NaOH-FM 첨가구가 $HNO_{3}$ -FM과 EM 첨가구에 비해 타우린 농도가 유의하게 높았다(P<0.05). :간(실험 1과 2)과 심장(실험 2)에서의 타우린 농도는 처리에 따른 차이가 없게 나타났다. 결론적으로 5% NaOH-FM 첨가구가 육계의 가슴살과 다릿살의 타우린 함량을 높이는 결과를 나타내었다.
$HNO_3$ 및 NaOH 용액으로 표면 처리한 활성탄을 이용하여 방사성 액체 폐기물 내에 잔존하는 우라늄의 흡착 특성을 조사하였다. $HNO_3$ 처리후 NaOH로 처리한 활성탄(Na-OAC)은 $HNO_3$만으로 처리한 활성탄(OAC)과 NaOH만으로 처리한 활성탄(Na-AC)에 비해 우수한 우라늄 흡착 성능을 나타내었다. 이와 같은 현상을 활성탄의 표면처리에 의한 표면 관능기 증가 및 용액의 pH 상승에 따른 효과로 설명할 수 있다. 따라서, $HNO_3$ 및 NaOH 용액을 이용하여 표면 처리한 활성탄을 이용한 우라늄 흡착 제거 공정에서는 용액 pH와 표면 처리에 의해 형성된 표면 관능기가 흡착 성능을 좌우하는 중요한 인자임을 알 수 있다.
폐산화은 전지의 질산 침출액으로부터 Ag(산화상태)와 Zn(산화상태)의 분리를 위해 cyanex272를 추출제로 사용하여 용매추출 실험을 수행했다. Ag와 Zn의 추출은 질산과 추출제의 농도에 영향을 받았다. Cyanex272는 HNO3 농도가 0.1 mol/L보다 낮을 때 Ag보다 Zn을 선택적으로 추출되었다. 공동 추출된 Ag는 1 mol/L thiourea로 탈거하여 제거했다. Ag를 제거한 후 0.5 mol/L HNO3를 사용하여 추출 된 Cyanex272에서 Zn을 탈거했다. Cyanex272를 사용한 Zn의 추출, thiourea를 사용한 Ag의 탈거, HNO3를 사용한 Zn의 탈거에 대한 McCabe-Thiele 다이어그램이 각각 구성되었다. 위 결과는 시뮬레이션 된 계수 전류 추출 및 탈거 실험을 통해 검증되었다. 마지막으로 산화은 전지에서 Ag와 Zn을 분리하는 공정이 제안되었다.
본 연구는 그리스 대체표면을 사용한 건식침적판(knife-leading-edge surrogate surface)과 물표면 채취기(water surface sampler)를 이용하여 질산염(입자상, 가스상)의 전식침적량을 직접 측정하였다. 평균 가스상 건식침적량($8.3mg/m^2/day$) 이 입자상 건식침적량($3.0mg/m^2/day$)에 비해 훨씬 큰 값을 나타내었다. 직접 측정한 질산염의 가스상 건식침적량과 대기 중 질산($HNO_3$) 농도 사이의 선형회귀분석을 통하여 질산의 가스상 질량전달계수률 구하였다. 이와 같이 구한 질산의 질량전달계수는 이산화황($SO_2$)의 질량전달계수의 약 2배가 되는 값을 보여주었다. 특히, 오존주의보시에는 Graham의 확산법칙을 사용하여 이산화황의 질량전달계수로부터 계산한 질산의 질량전달계수와 대기 중 질산 농도와의 곱으로 추정된 질산염의 가스상 건식침적량에 비해, 측정된 건식침적량이 훨씬 높은 값을 나타내는 특이한 현상을 보였다. 이 결과는 질산 외의 가스상 화학종이 질소산화물의 가스상 건식침적량에 영향을 미친다는 사실을 나타내고 있다. 이론적인 계산결과에 의하면 아질산($HNO_2$) 과 PAN이 질소산화물의 가스상 건식침적량에 기여할 가능성이 높은 것으로 나타났다.
본 연구는 Nd, Pd, Ru, Zr, Mo 및 Fe 이 함유된 6성분계의 모의 방사성폐액을 대상으로 개미산 탈질에 의한 질산과 개미산의 분해속도 및 탈질 반응기구(mechanism)의 규명에 주안점을 두었다. 모든 실험은 반응온도 $90^{\circ}C$, 회분식계로 고정하여 수행하였으며, 초기 질산농도 1, 2, 3, 5M 및 $[HCOOH]/[HNO_3]$=1.25, 1,5. 1.75, 2.0에서 각각 탈질 시간을 330분까지 변화시켰다. 질산 및 개미산의 분해속도식은 각각 다음과 같으며, $\frac{d[HNO_3]}{dt}=-4.842{\times}10^{-2}[HNO_3][HCOOH],\;\frac{d[HCOOH]}{dt}=-8.911{\times}10^{-2}[HNO_3][HCOOH]$본 연구에서 제안한 반응기구는 초기 질산농도 2~5M 및 $[HCOOH]/[HNO_3]$=1.25~2.0의 범위에서 비교적 실험치와 이론치가 잘 일치하여, 이의 적용 타당성을 확인할 수 있었으나, 초기 질산농도 1M에서는 본 모델식에서 벗어나 다른 반응기구에 의해 분해됨을 추측할 수 있었다.
The purpose of thins study was to quantitatively determine the Indoor Infiltration of pollutants of outdoor origin. The relationship between Indoor and outdoor air is dependent, to a large extent. on the rate of k exchange between these two environments. Mean Indoor/outdoor ratios measured from thins study were: 0.70 for HNO3; 1.60 for HNO2: 0.56 far SOg: 1.30 for mf3: 0.96 for PM2.5(dP<2.5mm: 0.89 for SO4a': 0.87 for NO3· and 0.79 for NH4 'Mean Indoor concentrations for PMa s, SO4a., HNO9, NO3 and NIL' were similar to outdoor levels. Indoor HNO2 and mB3 values were h19her than outdoors. However, the Indoor level of SO2 was lower than ambient level.
질산 용액을 이용한 처리를 통해서 실리콘 웨이퍼 위에 누설 전류가 thermal oxidation 방법과 비슷한 수준의 얇은 실리콘 산화막을 형성할 수 있다. 이러한 처리 방법은 thermal oxidation에 비해서 낮은 온도에서 공정이 가능하다는 장점을 가진다. 이 때 질산 용액으로 68 wt% $HNO_3$을 쓰는데, 이 용액에만 넣었을 때에는 실리콘 산화막이 어느 정도 두께 이상은 성장하지 않는 단점이 있다. 그렇기 때문에 실리콘 웨이퍼를 68 wt% $HNO_3$에 넣기 전에 seed layer 산화막을 형성 시킨다. 본 연구에서는 p-type 웨이퍼를 phosphorus로 도핑해서 에미터를 형성 시킨 후에 seed layer를 형성 시키고 68 wt% $HNO_3$를 이용해서 에미터 위의 실리콘 산화막을 성장 시켰다. 이 때 보다 더 효과적인 seed layer를 형성 시키는 용액을 찾아서 실험하였다. 40 wt% $HNO_3$, $H_2SO_4-H_2O_2$, HCl-$H_2O_2$ 용액에 웨이퍼를 10분 동안 담그는 것을 통해서 seed layer를 형성하고, 이를 $121^{\circ}C$인 68 wt% $HNO_3$에 넣어서 실리콘 산화막을 성장시켰다. 이렇게 형성된 실리콘 산화막의 특성은 엘립소미터, I-V 측정 장치, QSSPC를 통해서 알아보았다.
It is well known that the adsorption character of activated carbon is dependent on the specific surface area and pore volume, but the relationship between the surface-chemical structure and the adsorption character has not been studied very often. The purpose of this study is to investigate the effect of the acidic surface functional groups of activated carbon and the adsorption characteristics of low concentration phenol. So three types of activated carbons and four different treatments were introduced to this isotherm experiment. These treatments were nontreatment, 1N $HNO_3$ treatment, 6N $HNO_3$ treatment, $H_2O_2$ treatment. The conclusions of this study are as followings. If the initial concentration of phenol is high as 5mg/l, the adsorption is dependent on the specific surface area. If the initial concentration of phenol is low as $100{\mu}g/l$, the adsorption is dependent on the average pore volume. The acidic surface functional groups prevent the adsorption of phenol molecules to activated carbon. And the adsorbed amount decreases more for $HNO_3$ treatment than for $H_2O_2$ treatment and more for concentrated $HNO_3$ treatment than for dilute $HNO_3$ treatment.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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