• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1995년도 추계 학술발표 강연 및 논문개요집
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• pp.16-16
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• 1995

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2004년도 춘계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.35.1-35.1
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• 2004

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1994년도 제7회 학술발표회 및 한·일 CVD 심포지움 논문개요집
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• pp.114-115
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• 1994

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.33-33
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• 1997

• 한국진공학회지
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• 제1권1호
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• pp.121-125
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• 1992

Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) is widely known as highly sensitive a surface analysis technique. Efforts for quantification have been hindered, however, by the presence of matrix effects. Here we describe a new technique for the quantitative analysis of AlxGa1-xAs. Instead of Al+, Ga+, As+ ions, CsX+ ions (X=Al, Ga, As) have been detected. Intensity of these molecular ions appears to be much less affected by matrix effects. We have successfully accomplished the compositional analysis with standard deviation better than 2 percent.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2008년도 추계학술발표논문집
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• pp.267-269
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• 2008

본 연구는 이온주입(Ion Implanter)장비의 성능향상과 재현성 있는 Source Head를 개발하기 위한 방법이다. 본 개발은 이온주입설비가 가지고 있는 Cathode 열전자를 이용하여 원자라는 Source Positive의 극성을 생성하여 보다 높은 이온화를 발생하여 많은 시간 동안 사용 가능하도록 하였다. 기존에는 Gas의 손실이 많아 원자의 이온화에 대한 열전자의 소모성을 증가하는 원인을 제공하였으나, 본 개발에서는 원자의 유입방식을 공중 분산방식으로 적용함으로써 열전자의 손실로 발생하는 부분을 억제하는 효과와 Arc Chamber의 압력을 낮게 가지고 갈 수 있고 Chamber의 오염을 억제하는 효과를 얻을 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제26권6호
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• pp.185-189
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• 2016

이 연구에서는 방사광을 이용한 연 X-선 흡수 분광법(soft X-ray absorption spectroscopy: XAS)과 광전자 분광법(photoemission spectroscopy: PES) 을 이용하여 반쪽금속 반강자성체 후보 물질인 $Mn_3Ga$ 호이슬러 화합물의 전자구조를 연구하였다. 이 연구에 사용된 시료는 full-Heusler $Mn_3Ga$로 ball milling 후 열처리하지 않은 시료와 ball milling 후 $400^{\circ}C$에서 열처리한 두 시료를 사용하였다. XAS 분석에 의하면 $Mn_3Ga$에서 Mn 이온들의 원자가는 $Mn^{2+}$ 상태임을 알 수 있었으며, 국소적으로 팔면체 대칭성을 가진 Mn 이온들과 사면체 대칭성을 가진 Mn 이온들이 섞여 있음을 알 수 있었다. 그리고 $Mn_3Ga$의 가전자띠 PES 스펙트럼은 전자구조 계산에 의한 반쪽 금속성 상태밀도와 대체로 유사함을 발견하였다.

• 한국진공학회지
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• 제15권5호
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• pp.541-546
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• 2006

본 연구에서는 박막형 $ZnGa_2O_4:Mn$ 산화물 형광체의 음극선루미느센스 특성과 구조적 성질에 대하여 field emission scanning electron microscopy (FESEM), atomic force microscopy (AFM), photoluminescence (PL), 그리고 cathodoluminescence (CL) 방법을 이용하여 조사하였다. $ZnGa_2O_4:Mn$ 형광체 타겟으로부터 $Mn^{2+}$ 이온의 $^4T_1{\rightarrow}^6A_1$ 전이에 의한 506nm 파장에서의 PL emission 스펙트럼이 관찰되었다. 색좌표는 x = 0.09, y = 0.67 이었다. $ZnGa_2O_4:Mn$ 박막의 여기 스펙트럼은 $Mn^{2+}$ 이온 흡수에 의한 294 nm의 피크 파장을 나타내었다. 낮은 압력에서 증착한 $ZnGa_2O_4:Mn$ 형광체 박막은 고밀도의 치밀한 단면구조를 보였고, 높은 세기의 음극선루미느센스가 505 nm 피크 파장에서 나타났다. 표면 거칠기가 음극선루미느센스의 세기에 미치는 영향은 관찰되지 않았다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제28권1호
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• pp.25-33
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• 2003

악성 종양 진단에 사용되고 있는 방사성 동위원소 $^{67}Ga$의 대량생산을 위한 자동화장치를 개발하였다. $^{67}Ga$은 조사된 $^{68}Zn$ 농축타켓에서 분리 생산하며 생산방법으로는 크게 용매추출법과 이온수지 법이 이용된다. 분리과정을 자동화하기 위해서 전도도 측정 장치, 화학처리 초자, 에어 공급 및 용액공급튜브, 밸브들로 이루어진 분액장치와, 이 장치를 구동하고 제어하는 PLC 기반 콘트롤러 및 사용자 직접제어용 모니터링 장치로 구성된 시스템을 개발하였다. 개발된 시스템을 사용함으로써 생산 중에 발생되는 불필요한 방사선 피폭으로부터 생산자를 보호할 뿐만 아니라, 생산시간의 단축, 생산효율의 증대로 $^{67}Ga$ 대량 생산이 가능하게 되었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권4호
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• pp.426-433
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• 1995

Effect of boron in GaAs have been investigated by photo induced current transient spectroscopy(PICTS). The starting material was undoped liquid encapsulated Czochralski(LEC) semi insulating GaAs and boron ion implantation at 150keV energy was conducted with dose of 10$\^$12/ and 10$\^$13/ions/cm$\^$2/. In ion implanted samples, the peaks related arsenic vacancy(V$\_$As/) were decreased but complex lattice defect was increased with annealing temperature. U band was observed at ion implanted(10$\^$13/ ions/cm$\^$2/) and thermally treated(550.deg. C) sample. More negative peak was detected after annealing at temperature between 600 and 700.deg. C. The measurement of dark current showed that the formation of B$\_$GA/-V$\_$As/, complex defect and complex lattice defect by ion implantation were a reasonable explanation for the decrease in dark current.