• 한국세라믹학회지
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• 제38권8호
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• pp.705-709
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• 2001

SrTiO$_3$에 Pr$^{3+}$ 이온, 또는 Pr$^{3+}$ 이온과 Ga$^{3+}$ 이온을 첨가하여 합성한 형광체와 floating zone method로 성장시킨 단결정의 PL 특성을 조사하였다. 분말 형광체와 단결정에서 모두 Ga$^{3+}$ 이온이 함께 첨가되었을 때 적색 발광 세기가 크게 증가하였다. XRF(X-Ray Fluorescence) 측정결과 Ga$^{3+}$ 이온이 함께 첨가되었을 때 SrTiO$_3$결정 격자내의 Pr$^{3+}$ 이온의 농도가 증가하였다. Ga$^{3+}$ 이온이 함께 첨가되었을 때 적색 발광 세기가 증가하는 것은 첨가된 Ga$^{3+}$ 이온이 결정내 발광 center인 Pt$^{3+}$ 이온의 농도가 증가시켰기 때문이며, 또한 Ga$^{3+}$ 이온이 hole trap center로 작용하기 때문인 것으로 생각된다.

• 대한핵의학회지
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• 제28권3호
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• pp.377-383
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• 1994

완전 치유되었던 골임파종 환자에서 치료효과를 판정하기 위해 치료후 $^{99m}Tc$-MDP 스캔과 $^{67}Ga$ 스캔으로 추적검사한 35례를 후향적으로 분석하였다. $^{99m}Tc$-MDP 스캔은 35례중 29례에서 치료중, 33례에서 치료후 추적검사하였고, $^{67}Ga$ 스캔은 16 례중 13례에서 치료중, 15례에서 치료후 추적검사를 하였다. 핵의학적검사의 병적섭취농도의 분류는 4단계로 나누었는데 $^{99m}Tc$-MDP 스캔의 경우 정상 천장골관절 섭취농도와 같은 병변의 섭취농도를 3으로, $^{67}Ga$ 스캔의 경우 정상간의 섭취농도와 같은 병변의 섭취농도를 3으로 기준하였다. 치료중과 치료후 치료효과를 나타내는 소견은 $^{99m}Tc$-MDP 스캔의 경우 각각 66.0%(19/29), 72.7%(24/33)였으며 $^{67}Ga$ 스캔의 경우 각각 84.6%(l1/13), 86.7%(13/15)였다. 치료전, 치료중, 치료후의 병변 섭취농도는 $^{99m}Tc$-MDP 스캔의 경우 각각 3.06, 2.34, 1.75였으며, $^{67}Ga$ 스캔의 경우 각각 3.22, 1.42, 1.30이었다. 따라서 골임파종에서 치료효과를 판정하는 추적검사로는 $^{67}Ga$ 스캔이 $^{99m}Tc$-MDP 골 스캔보다 더 예민한 결과를 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.167-167
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• 2010

반도체는 도핑하지 않으면 대부분 n형을 나타내는 것에 반하여 GaSb는 p형을 보이는 반도체로서, 그 근원은 명확하게 규명되어 있지 않은 상태이다. GaSb의 p형 불순물인 Be은 Ga과 치환 ([$Be_{Ga}$])되므로, p형 전도의 근원으로 추정되는 잔존결함인 [$Ga_{Sb}$]와 그 복합체인 [$Ga_{Sb}-Sb_{Ga}$]와 높은 상관관계를 가질 것으로 예측된다. 본 연구에서는 Be을 도핑한 GaSb:Be 에피층을 MBE 방법으로 성장하여, PL 스펙트럼과 Hall 효과 분석을 통하여 p형 전도의 근원을 조사하였다. 도핑하지 않은 u-GaSb는 DA (deep acceptor)와 함께 A 준위를 나타낸 반면, p-GaSb:Be의 PL 스펙트럼은 Be 도핑농도가 증가함에 따라 FWHM가 줄어들면서 점차 높은 에너지 영역으로 변위하지만 농도가 가장 높은 시료에서는 PL의 FWHM가 증가하면서 에너지는 감소함이 관측되었는데, 이것은 A 피크와 Sb 관련 피크가 경쟁적으로 중첩되어 나타난 현상으로 분석된다. Hall 효과 결과는 유효 전하밀도의 증가에 따라 이동도는 감소하는 전형적인 의존성을 나타내었으며, u-GaSb의 Hall 이동도가 p-GaSb:Be의 값보다 작은 것은 u-GaSb에 잔존하는 DA에 의한 산란 때문으로 해석된다. Gaussian 형태로 분해하여 얻은 A ([$Ga_{Sb}$])와 DA ([$Ga_{Sb}-Sb_{Ga}$]) 및 Be 관련 피크로부터 특정 도핑농도 ($1.2{\times}10^{17}cm^{-3}$)의 시료를 제외한 모든 p-GaSb:Be에는 A 피크가 중첩되고 A와 Be 준위 중간에 Be과의 복합체인 중간상태(intermediate state)인 [$Be^*$]가 존재함이 관측되었는데, 특정 도핑농도에서는 [$Be_{Ga}$]이 우세하지만 더 이상 농도가 증가하면 [$Be_{Ga}$] 준위의 강도는 오히려 감소함을 관측할 수 있었다. 이것은 적정 이상의 Be을 도핑할 경우, A ([$Be_{Ga}$])와 $Be^*([Be_{Ga}-Ga_Sb}])$가 형성 ($A[Ga_{Sb}]+Be{\rightarrow}Be^*[Be_{Ga}-Ga_{Sb}]+[Be_{Ga}]$)됨을 보여 주는 중요한 결과인 것으로 분석된다. A, [Be], [$Be^*$] PL 피크 에너지는 각각 779, 787, 794 meV (오차범위 ${\pm}3\;meV$)이고, [$Be_{Ga}$]의 활성화 에너지는 ($23{\pm}3\;meV$) (20 K)임을 밝혔다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.11-11
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• 2007

1차원 구조체인 반도체 나노선은 앙자제한효과 (quantum confinement effect) 등을 이용하여 고밀도/고효율의 소자 개발이 기대되고 있다. GaN는 상온에서 3.4 eV의 밴드갭 에너지를 갖는 III-V 족 반도체 재료로써 박막의 경우 광전자 소자로 폭넓게 응용되고 있다. 최근 GaN 나노선의 합성에 성공하면서 발광소자, 고효율의 태양전지, HEMT 등으로의 응용을 위한 많은 연구가 활발히 이루어지고 있다. 하지만, 아직까지 GaN 나노선의 전기적 특성을 제어하는 기술은 확립되지 않고 있다. 본 연구에서는 Vapor solid (VS)법을 이용하여 GaN 나노선을 합성하였으며, GaN 분말과 함께 $Mg_2N_3$ 분말을 첨가하여 (Ga,Mg)N 나노선을 성공적으로 합성하였다. 합성시에 GaN와 Mg 소스간의 거리 변화를 통해 Mg 도핑농도를 제어하고자 하였다. 이 같은 방법으로 합 된 (Ga,Mg)N 나노선의 Mg 도핑농도에 따른 결정학적 특성을 알아보고, (Ga,Mg)N 나노선을 이용하여 소자를 제작한 후 그 전기적 특성을 살펴보고자 한다. X-ray diffraction (XRD)과 high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), EDX를 이용하여 합성된 나노선의 결정학적 특성과 Mg의 도핑 농도를 확인하였다. Photo lithography와 e-beam lithography법을 이용하여 (Ga,Mg)N 나노선 field-effect transistor (FET)를 제작하고, channel current-drain voltage ($I_{ds}-V_{ds}$) 와 channel current-gate voltage ($I_{ds}-V_g$) 측정을 통해 (Ga,Mg)N 나노선이 도핑 농도에 따라 n형에서 p형으로 전기적 특성이 변화함을 확인하였다.

• 한국작물학회지
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• 제30권4호
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• pp.368-374
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• 1985

생장조절물질인 GA, Kinetin 및 2,4-D를 농도별로 처리하여 출아 및 생육특성을 조사하므로서 출아에 필요한 장기 저온기간의 단축 가능성을 탐색하였던 바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 신아의 출아는 처리물질중 GA효과가 가장 컸으며 처리농도가 증가할수록 조기출아되어 출아기간이 단축되었고 출아율도 높았다. 2. GA처리는 지상부 생육을 크게 신장시켰으며 특히 경장 엽병장의 신장을 촉진시켰다. 3. GA 50ppm, 100ppm처리구는 근중을 크게 증가시켰다. 4. GA처리농도가 높을수록 조기에 지상부 생육이 완료되었다. 5. 뇌포제거구는 무제거구에 비하여 출아가 다소 빠른 경향이나 생육은 대체로 비슷하였다.

• 한국약용작물학회지
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• 제3권2호
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• pp.111-115
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• 1995

본(本) 연구(硏究)는 생장조절물질(生長調節物質)이 고추냉이의 종자발아(種子發芽)와 유묘생장(幼苗生長)에 미치는 영향(影響)을 조사하기 위하여 Indolacetic acid(IAA), Indolbutyric acid(IBA),$GA_3,\;GA_4$, kinetin 및 benfyladenine(BA)를 농도별(濃度別)로 종자(種子)에 처리(處理)하여 발아률(發芽率)과 발아기간(發芽期間), 그리고 유묘생장(幼苗生長)을 조사하였다. 1. 휴면종자(休眠種子)의 종피(種皮)를 제거한 결과 휴면(休眠)이 타파(打破)되어 발아률(發芽率)이 현저히 높아졌다. 2. $GA_3,\;GA_4$, BA, kinetin은 종자(種子)의 휴면타파(休眠打破)에 효과가 인정되었으나 IAA, IBA는 효과가 없었으며, $GA_3$, BA 및 kinetin이 $GA_3$보다 휴면종자(休眠種子)의 발아(發芽) 촉진(促進)에 효과가 있었다. 3. BA와 $GA_3$, 100ppm의 혼합처리(混合處理)는 BA의 농도(濃度)가 50ppm과 100ppm인 경우에 BA의 단독처리(單獨處理)보다 효과가 높았다. 4.유묘(幼苗)의 뿌리, 하각축(下脚軸) 및 자엽병(子葉炳)은 $GA_3$와 $GA_4$에 의하여 도장(徒長)되었는데 BA와 kinetin의 처리(處理)는 $GA_3$와$GA_4$의 처리(處理)에 비하여 양호하였다. 이상의 결과(結果)를 종합(綜合)하여 볼때, 고추냉이의 휴면종자(休眠種子)를 약 50ppm의 BA 및 kinetin 욕액(浴液)에 3시간정도 침지(沈漬)하는 것이 종자(種子)의 발아(發芽)와 유묘생장(幼苗生長)에 효과가 있어 약 5일(日)정도 침지(沈漬)하는 100ppm의 $GA_3$용액(溶液)을 대신하여 이용할 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제28권2호
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• pp.141-145
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• 1991

LEC법으로 성장된 GaAs의intrinsic defect에 의해서 형성된electron 및 hole trap의 농도와 성장시의 melt stoichiometry 와의 정량적 상관 관계를 DLTS법을 이용하여 분석하였다. EL2는 melt중 As의 분을 ([As]/{[As]+[Ga]})이 1.5에서 0.42까지 변하면 그 농도가 $10^{16}cm^{-3}$에서 $10^{11}cm^{-3}$정도로 감소되며, 이때 분율이 0.46 이하에서는 그 이상에서보다 As의 감소에 따라 급격히 감소하였다. 68meV 및 77/220meV의 경우는 As의 분율이 감소하면 증가하여 각각 $10^{15}cm^{-3}$ 및 $10^{14}cm^{-3}$ 정도의 농도를 가진다. 따라서 이 trap들은$GS^{AS}$와 관련된 defect들에 의해서 형성되었음을 알 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권3호
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• pp.149-156
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• 2002

$Ga_2O_3$ : $Eu^{3+}$ 형광체 분말을 균일침전법에 의해 제조하여 TG/DTA, XRD, FT-IR, SEM 등으로 특성을 분석하였다. 결정질 GaOOH 와 비정질에 가까운 $\gamma$-$Ga_2O_3$ 등 두 종류의 분말이 얻어졌다. 요소 농노가 0.5 M 이하에서는 입자는 막대모양을 이루고, 열처리에 따라 $\alpha$-$Ga_2O_3$을 거쳐서 $\beta$-$Ga_2O_3$상으로 변태하였다. 한편 나노미터 크기를 갖는 $\gamma$-$Ga_2O_3$분말은 1.0 M 이상의 요소 농도에서 생성되며, 직접 $\beta$-$Ga_2O_3$으로 전이하였다. 실온에서 광 발광 특성을 비교한 결과 마이크로미터 크기의 분말에 비해 나노미터 크기의 분말이 610 nm에서의 발광 강도가 더 크게 나타났다.

• 한국결정성장학회지
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• 제19권2호
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• pp.75-78
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• 2009

PBN 도가니를 이용하여 Si이 도핑된 GaAs 단결정을 수직경사 응고법으로 성장시켰다. PBN 도가니에 산화막인 $B_{2}O_{3}$의 양을 $0{\sim}0.2wt%$ 범위에서 변화시키면서, 성장 후 캐리어 농도를 측정하였다. $B_{2}O_{3}$ 첨가량이 증가함에 따라, 초기 0.1 정도의 Si 도판트의 편석계수는 0.01 부근까지 급격히 감소하고, 동시에 캐리어 농도도 감소하는 것을 알 수 있었다. 이는 성장도중 도판트인 Si이 $B_{2}O_{3}$과 반응하며 도너인 Si 양을 감소시키며, 동시에 억셉터인 B 양을 증가시키기 때문으로 보인다. 한편 PBN 도가니 내면에 얇은 유리질의 $B_{2}O_{3}$층 형성이 용이한 고온 산화막 처리가 결함감소에 효과적임을 확인하였다.

• 한국진공학회지
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• 제3권1호
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• pp.94-102
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• 1994

x- 0.51인 GaxIn1-x-P 에피층을 저압 MOCVD 성장법으로 TEGa(triethylgallium) TmIn(trimethylindium)등의 MO(metalorganic) 원료와 PH3(phosphine)를 사용하여 GaAs(100) 기판위에 성장하였다. 성장조건에 의한 표면 morphology 결정결함 성분비 PL spectra 운반자 농도와 이동도 및 DLTS spectra와 같은 성장층의 특성을 관찰하였다, $650^{\circ}C$의 성장온도와 V/III비, 즉 TEGa와 TMIn 두 원료의 유량에 대한 PH3 의유량변화에 아무런 영향을 받지 않음을 알 수 있었다. Ga0.51In0.49P에피층과 기판의 격자상수 차에 의한 격자 부정합 $\Delta$a /a0은 약 (3.7~8.9)x10-4 이었으며 실온과 5Kd서 에피층의 PL 피크 에너지는 각각 1.85eV와 1.9eV였다. 성장층의 운반자 농도와 이동도는 V/III 비에 따라 달라지 는데 그비가 120에서 220으로 증가함에 따라 농도는 1.8x1016cm-3에서 8.2x1016cm-3로 증가하였고 이동도 는 1010cm/V.sec에서 366cm/V.sec로 감소하였다.