Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.02a
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- Pages.167-167
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- 2010
Identification of Be Levels Correlated with Intrinsic Defect in p-GaSb Grown by Molecular Beam Epitaxy
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Kim, Jun-O
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Lee, Sang-Jun
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- Kim, Chang-Su ;
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No, Sam-Gyu
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Choe, Jeong-U
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Park, Dong-U
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Kim, Jin-Su
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Kim, Jong-Su
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김준오
(한국표준과학연구원) ;
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이상준
(한국표준과학연구원) ;
- 김창수 (한국표준과학연구원) ;
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노삼규
(한국표준과학연구원) ;
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최정우
(경희대학교 물리학과) ;
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박동우
(전북대학교 전자정보공학부) ;
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김진수
(전북대학교 전자정보공학부) ;
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김종수
(영남대학교 물리학과)
- Published : 2010.02.17
Abstract
반도체는 도핑하지 않으면 대부분 n형을 나타내는 것에 반하여 GaSb는 p형을 보이는 반도체로서, 그 근원은 명확하게 규명되어 있지 않은 상태이다. GaSb의 p형 불순물인 Be은 Ga과 치환 ([
Keywords