• 한국전자파학회논문지
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• 제13권9호
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• pp.947-955
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• 2002

불완전 전력제어된 역방향 링크에서 얼랑용량과 링크마진을 구하는 각각의 차단확률을 유도하고, 시스템 파라메터와 차단확률이 같은 조건에서 그 값을 구하여 도시, 교외, 개방지역에서 사용자 수와 셀 커버리지와의 관계를 분석할 때 파라메터로 적용하였다. 이때 얼랑용량은 현실적인 셀 용량으로 적용될 수 있고, 링크마진의 적용은 셀 커버리지 계산에서 신뢰성을 높일 수 있었다. 차단확률이 5 % 이내에서 E$_{b}$/N$_{o}$ 값을 7 dB에서 5 dB로 낮추는 경우에 링크마진을 2.8 dB로 똑같이 적용해도 셀 용량은 18 얼랑에서 31 얼랑으로 증가하였고, 이때 도시, 교외, 개방지역에서 셀 커버리지는 각각 0.4 km, 1 km, 2.5 km씩 증가하였다. 또한 E$_{b}$/N$_{o}$ 값이 5 dB에서 차단확률을 5 %에서 2 %로 낮출 경우 링크마진은 0.88 dB 더 증가시켜야 하며, 이때 용량이 31 얼랑에서 3얼랑 감소함에 따라 0.15 km, 0.5 km, 1.5 km 씩 줄어드는 범위 내에서 신뢰성을 높이고 양질의 서비스 제공이 가능하였다.

• 전기의세계
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• 제21권6호
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• pp.17-20
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• 1972

The magnetic properties of Ba-Ferrite ( $M^{+2}$O.nF $e_{2}$ $O_{3}$ is highly improved under the condition of composition ratio n=4.4 when B $i_{2}$ $O_{3}$ is added to Ferrite, the adding amount and sintering temperature which affect the magnetic properties were investigated and the following results; were obtained; 1. Magnetic properties are varied with B $i_{2}$ $O_{3}$ content and singering temperature, and coercive force and residual induction can be improved with B $i_{2}$ $O_{3}$. 2. The optimal content of B $i_{2}$ $O_{3}$ amount is about 4 mol %, 3. Without the addition of B $i_{2}$ $O_{3}$, the optimal sintering temperature is about 1300.deg. C, but when 4 mol % of B $i_{2}$ $O_{3}$ is added, the optimal sintering temperature falls to the range of 900.deg. C to 1100.deg. C and it also improves magnetic properties. 4. Residual induction increases as the singering temperature is raised to 1100.deg. C. Coercive force also increased as the sintering temperature is raised to 1000.deg. C, but it rapidly decreases when sintering temperature goes beyond 1000.deg. C. 5. Only a negligible change may be noticed in the decrease of Curie temperature by the addition of about 4 mol % of B $i_{2}$ $O_{3}$.

• 한국자기학회지
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• 제12권1호
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• pp.30-33
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• 2002

초미세결정렵 Nd-Fe-B-Mo-Cu합금에서 Co 치환이 미세조직과 자기특성에 미치는 영향을 조사 하였다. 급속응고법으로 제조된 비정질 Nd-(Fe, Co)-B-Mo-Cu합금은 결정화에 의하여 $\alpha$-Fe기 초미세결정립 Nd-(Fe, Co)-B-Mo-Cu합금이 제조되었다. Co로의 Fe치환은 결정립 미세화에 기여하며, 이로 인하여 경자기특성이 개선되었다. 최적열처리된 초미세결정립 N $d_4$(F $e_{0.85}$ $Co_{0.15}$)$_{82}$ $B_{10}$M $o_3$Cul합금의 잔류자화, Curie온도는 Co가 치환되지 않은 합금에 비하여 개선된 우수한 특성을 나타내었다. 64$0^{\circ}C$, 10분 열처리된 초미세결정립 N $d_4$(F $e_{0.85}$ $Co_{0.15}$)$_{82}$ $B_{10}$M $o_3$Cu 합금의 평균결정립 크기는 약 15 nm이며, 이때 보자력, 잔류자화 및 최대에너지적은 각각 239kA/m, 1.4 T 및 103.5 kJ/ $m^3$이었다.

• 대한환경공학회지
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• 제33권12호
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• pp.907-912
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• 2011

물의 광분해에 의한 수소생산을 위하여 이산화티타늄($TiO_2$)과 산화니오븀($Nb_2O_5$)을 이용하여 가시광선 감응 광촉매 개발을 본 연구의 목적으로 하고 있다. 이를 위하여 요소를 이용한 질소 도핑한 $TiO_2$, $Nb_2O_5$, $HNb_3O_8$ ($TiO_2-N$, $Nb_2O_5-N$와 $HNb_3O_8-N$)을 제조하였다. 그 결과 질소 도핑이 광촉매의 띠간격 에너지를 감소시킴으로써 excitation파장이 자외선 영역에서 가시광선 영역으로 이동한 것을 reflectance 관찰을 통해 알 수 있었다. 특히 $TiO_2-N$의 경우 띠 간격 에너지가 3.3 eV ($TiO_2$)에서 2.72 eV로 가장 큰 감소를 보였다. 또한, 가시광선 영역에서 로다민 B 광분해 반응을 통하여 광촉매의 활성도를 평가하였을 때, 질소 도핑한 경우($Nb_2O_5-N$와 $HNb_3O_8-N$)는 모두 80% 이상의 분해 효율을 나타내었으며 특히 $TiO_2-N$이 약 99.8%의 높은 분해율을 보여주었다. 그러나 질소 도핑을 하지 않은 $TiO_2$와 $Nb_2O_5$의 경우, 약 10% 의 로다민 B가 분해된 것으로 관찰되었다. 또한 가시광선 영역에서 각 촉매의 광전류 생성을 비교해보았을 때, $HNb_3O_8-N$ ($63.7mA/cm^2$)이 가장 높은 전류 반응을 나타내었으며 물의 광분해에 의한 수소생산량을 비교해보면 $Nb_2O_5-N$이 $19.4{\mu}mol/h$의 가장 많은 양을 생산한 것으로 나타났다.

• 한국위성정보통신학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.1-4
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• 2014

무선통신 시스템은 동일채널 또는 인접채널에서 동작하는 무선 송신기에 의해서 간섭을 받는다. 때문에 새로운 서비스를 도입할 경우에는 도입하는 시스템과 기존 시스템 상호 간에 미치는 간섭분석을 통해서 서로 공존할 수 있는 기술기준을 마련해야 한다. FTS(Flight Termination System)는 공공의 안전을 보장하고 발사체의 비정상적인 임무수행을 막기 위해서 사용된다. 최근에는 보안성을 높이고 여러 발사체나 비행체에서 동시에 운용할 수 있는 차세대 FTS에 대한 연구가 진행 중이며, EFTS(Enhanced FTS)는 이러한 목적에 적합하다. 본 논문에서는 간섭신호가 EFTS의 성능에 미치는 영향을 분석하였다. EFTS의 변조방식으로는 비동기 DPSK(Differential PSK)와 비동기 CPFSK(Continuous Phase FSK)를 고려하였고, 간섭원으로는 FMCW(Frequency Modulated Continuous Wave) 신호와 펄스레이더를 고려하였다. 간섭원의 전력은 FMCW의 경우 원신호보다 20.3dB가 작고, 펄스레이더의 경우에는 원신호보다 19.1dB가 작은 것으로 설정하고 간섭 영향을 시뮬레이션하였으며, 시뮬레이션 결과 FMCW 간섭의 경우 $E_b/N_o$가 1dB 정도 악화되었고, 펄스레이더 간섭 신호의 경우 $E_b/N_o$가 약 0.5dB 악화되었다.

• 한국자원식물학회:학술대회논문집
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• 한국자원식물학회 2000년도 제7차 국제 심포지움(생약자원개발에 관한연구) 및 추계정기 학술발표회 초록집
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• pp.18-19
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• 2000

• Nutrition Research and Practice
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• 제13권6호
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• pp.473-479
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• 2019

BACKGROUND/OBJECTIVES: Anti-inflammatory and antioxidative activities of luteolin and luteolin-7-O-glucoside were compared in galactosamine (GalN)/lipopolysaccharide (LPS)-induced hepatitic ICR mice. MATERIALS/METHODS: Male ICR mice (6 weeks old) were divided into 4 groups: normal control, GalN/LPS, luteolin, and luteolin-7-O-glucoside groups. The latter two groups were administered luteolin or luteolin-7-O-glucoside (50 mg/kg BW) daily by gavage for 3 weeks after which hepatitis was induced by intraperitoneal injection of GalN and LPS (1 g/kg BW and $10{\mu}g/kg\;BW$, respectively). RESULTS: GalN/LPS produced acute hepatic injury by a sharp increase in serum AST, ALT, and $TNF-{\alpha}$ levels, increases that were ameliorated in the experimental groups. In addition, markedly increased expressions of cyclooxygenase (COX)-2 and its transcription factors, nuclear factor $(NF)-{\kappa}B$ and activator protein (AP)-1, were also significantly attenuated in the experimental groups. Compared to luteolin-7-O-glucoside, luteolin more potently ameliorated the levels of inflammatory mediators. Phase II enzymes levels and NF-E2 p45-related factor (Nrf)-2 activation that were decreased by GalN/LPS were increased by luteolin and luteolin-7-O-glucoside administration. In addition, compared to luteolin, luteolin-7-O-glucoside acted as a more potent inducer of changes in phase II enzymes. Liver histopathology results were consistent with the mediator and enzyme results. CONCLUSION: Luteolin and luteolin-7-O-glucoside protect against GalN/LPS-induced hepatotoxicity through the regulation of inflammatory mediators and phase II enzymes.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권6호
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• pp.72-78
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• 1998

Ti:LiNbO$_3$ 광도파로위에 CPW 전극 구조를한 광변조기 내부칩을 제작한 후 일련공정에 따라 패키징 작업을 하였고 소자의 전기적특성과 광학적특성을 측정하였다. 광변조기 패키징을 위하여 페룰, 보조용 LN블럭 및 글래스, 진동 및 흡수용패드, 알루미나피더의 부분품을 사용하였으며 피그테일링, Au 와이어본딩, 에폭싱, SMA커넥팅, 실링 작업을 수행하였다. 전기적 특성에서 S/sub 21/은 -3 dB 점에서 9.8GHz의 값을, S/sub 11/은 14.4 GHz 대에서 -8.9 dB 값을 나타내었다. 광학적 특성은 제작된 광도파로가 1550nm 파장대에서 단일모드를 만족하였고, 패키지후 소자의 삽입손실은 실온에서 4.3 dB 이였으며, 소자를 온도감압챔버에 넣은후 5∼45℃까지 온도변화를 주었을 때 4.3∼6.4 dB의 삽입손실을 보였다. E-O bandwidth 응답은 3dB점에서 7.8GHz를 나타내어 10Gbps급 광통신시스템에 응용할수 있음을 확인하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제13권4호
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• pp.192-195
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• 2012

We reported diborane ($B_2H_6$) doped wide bandgap hydrogenated amorphous silicon oxide (p-type a-SiOx:H) films prepared by using silane ($SiH_4$) hydrogen ($H_2$) and nitrous oxide ($N_2O$) in a radio frequency (RF) plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system. We improved the $E_{opt}$ and conductivity of p-type a-SiOx:H films with various $N_2O$ and $B_2H_6$ ratios and applied those films in regards to the a-Si thin film solar cells. For the single layer p-type a-SiOx:H films, we achieved an optical band gap energy ($E_{opt}$) of 1.91 and 1.99 eV, electrical conductivity of approximately $10^{-7}$ S/cm and activation energy ($E_a$) of 0.57 to 0.52 eV with various $N_2O$ and $B_2H_6$ ratios. We applied those films for the a-Si thin film solar cell and the current-voltage characteristics are as given as: $V_{oc}$ = 853 and 842 mV, $J_{sc}$ = 13.87 and 15.13 $mA/cm^2$. FF = 0.645 and 0.656 and ${\eta}$ = 7.54 and 8.36% with $B_2H_6$ ratios of 0.5 and 1% respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.234-237
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• 2000

In this paper, the structural, dielectric and piezoelectric properties of the Pb[(S $b_{1}$2/N $b_{1}$2/)$_{0.035}$- $_Mn_{1}$3/N $b_{2}$3/)$_{0.065}$-(Z $r_{0.49}$, $Ti_{0.51}$)$_{0.90}$] $O_3$ ceramics were investigated with respect to the variation of the milling time. Grain size was decreased as the increase of milling time. As the milling time is increased, the particle size of the powder was decreased. Dielectric constant and electromechanical coupling factor (Qm)were slowly increased with the increase of milling time. The highest value of Qm was 1,497 at milling time 8 hour. Temperature coefficient of resonant frequency(TC $F_{r}$) was moved to positive side with the increase of milling time.e.e.e.e.e.e.