Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.14
no.1
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pp.1-6
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2000
In this paper, organic dispersion type back light EL(Electroluminescent) devices were manufactured using Ethyl hydroxy ethyl cellulose as organic binder, ZnS:Cu as phosphor powder and $BaTiO_3$ as dielectrics by screen printing method, which are focused on as a new light source. The properties of the fabricated organic dispersion type back light EL devices were showed $1.98[mA/\m^2]$ of current density, 0.075[W] of power consumption, 7.1[nF] of capacitance at $25[^{\circ}C]$, 100[V], 400[Hz], respectively. Also brightness of the fabricated device was revealed $20~110[cd/\m^2]$ at 50~150[V] and the change of color was shoed bluish green of x=0.1711, y=0.3676 which are color coordinate by CIE.
Room-temperature operating CdZnTe(CZT) material is an innovative radiation detector which could reduce the patient dose to one-tenth level of conventional CT (Computed Tomography) and mammography system. The pixel and pixel pitch in the imaging device determine the conversion efficiency of incident X-or gamma-ray and the cross-talk of signal, that is, image quality of detector system. The weighting potential is the virtual potential determined by the position and geometry of electrode. The weighting potential obtained by computer-based simulation in solving Poisson equation with proper boundaries condition. The pixel was optimized by considering the CIE (charge induced efficiency) and the signal cross-talk in CT detector system. The pixel pitch was 1-mm and the detector thickness was 2-mm in the simulation. The optimized pixel size and inter-pixel distance for maximizing the CIE and minimizing the signal cross-talk is about $750{\mu}m$ and $125{\mu}m$, respectively.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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1991.04a
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pp.356-362
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1991
자동차, 항공기, 선박등과 같은 산업제품과 전화기, TV브라운관과 같은 가전제품, 심미적 기능을 갖는 제품등과 같은 일상용품등은 많은 부분이 자유곡면(sculptured surface)으로 이루어져 있다. 이러한 해석적으로 정의 하기 어려운 제품 또는 그것을 생산하는데필요한 금형을 가공하는데 있어서 기존에는 석고 모형이나 목형을 이용한 모방 절삭을 하였다. 그러나 근래에는 자유곡면으로이루어진 제품을 설계하고 가공하는데 있어서 CAD/CAM system을 이용하고 있다. 제품의 곡면을 표현하거나 이들을 NC가공하기 위해서는 곡면을 나타내는 형상 정보가 필요 하고 이들 형상정보로 곡면모델링을 하여공구 경로를 구한다. 그러므로 이들 형상정보를 허용한도내에서 적절히 정하여 실제형상에 가까운 곡면을 형성하여야 한다. CAD/CAM 기술의 발달에 따라 다양한 형태의 곡면을 형성하는 기능을 가진 system이 많이 출현되었고 점토, 석고 또는 나무등으로 만든 physical model로 부터 얻어진 형상정보에 의해 surface fitting을 함으로서 자유곡면을 표현하는 방법이 많이 사용되고 있다. 어떠한 곡면을 표현할때는 곡면의 특성을 잘 표현하면서 전체적으로 smooth 한 것이 바람직하다. 그러므로 곡면의 형태를 설계자가 쉽게 이해할 수 있고 적은 수의 patch로도 복잡한 형상을 나타내야 하며 또한 국부적으로 수정이 용이하여야한다. 본 논문에서는 자유곡면을 나타낼 수 있는 수학적 표현 방법에 관하여 논하고, 해석적 곡면으로 부터 형상정보를 얻어 곡면 모델링을 한 후의 Ferguson곡면, UBS와 NUBS의 차이점을 분석하고, 이들 곡면과 해석적 곡면으로부터 얻은 실제곡면과의 오차를 측정하여 실제형상에 가까운 모델링 곡면을 찾고자 하였다.. 라. MCl(M:K$^{+}$, $Na^{+}$, NH$_{4}$$^{+}$ 및 H$^{+}$) 수용액 메디움에서의 Cd(II), Mg(II) 및 Zn(II)의 Dowex 1-X8, Cl$^{-}$ 수지에 대한 흡착은 역시 어떤 메디움에서도 Cd(II) 흡착이 제일 크며, 다음이 Zn(II) 이고 착이온을 형성않는 Mg(II)이 제일 작았다. 한편 메디움 종류별 D값의 크기순위는 H$^{+}$>K$^{+}$> $Na^{+}$>NH$_{4}$$^{+}$이였다. 메디움의 종류에 따라 D값의 차이가 나는 것은 금속이온의 착이온 형성과 금속이온의 용액내에서의 이온종의 상태와 관련이 있다고 생각된다. 마. MCl(M:K$^{+}$, $Na^{+}$, NH$_{4}$$^{+}$ 및 H$^{+}$)과 MNO$_{3}$ 용리액에 의한 Cd(II), Mg(II) 및 Zn(II)의 용리는 예상한 바와 같이 MCl에서 작은 Dv 값을 갖는데, 이것은 CdCl$_{4}$$^{2-}$ 착이온을 형성하거나 ZnCl$_{4}$$^{2-}$ , ZnCl$_{3}$$^{-}$같은 이온과 MgCl$^{+}$, MgCl$_{2}$같은 이온종을 형성하기 때문인것 같다. 한편 어떠한 용리액에서던지 N
To preconcentrate trace elements, microgram amounts of 5 heavy metals (Cu, Co, Ni, Zn and Cd) were precipitated with 8-hydroxyquinoline (oxine) and metal oxinates were extracted with stearic acid. And then each of the molten stearic acid extract with stearic acid. And then each of the molten stearic acid extract was poured into a glass ring and cooled for specimen preparation. The obtained specimens were analyzed by X-ray fluorescene spectrometry. And then conditions of precipitation formation and extraction, reproducibility, sensitivity and detection limit were observed. The relative standard deviation of specimen preparation was 1.0~5.7% and the detection limit was 5~$50{\mu}g$/100ml. The proposed preconcentration procedure exhibited a considerable inhancement and simplicity in preparing specimens.
Fifty seven soil samples were collected from the paddy soil filled with tailings in the vicinity of the Seosung Pb-Zn mine. Those samples were analyzed for As, Cd, Co, Cr, Cu, Pb, and Zn in order to investigate heavy metal pollution levels in the paddy soil. Analyses of the soil samples were carried out using Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectrometry(ICP-AES) . Paddy soils show pH range from 6.55 to 8.26. X-ray diffraction analyses of the paddy soil indicate that the soils consist predominantly ankerite, siderite, quartz, mica, and clay minerals with minor amounts of amphibole and chlorite. The mineral composition of the waste rocks consists of massive galena, sphalerite, and minor amounts of pyrite, arsenopyrite, chalcopyrite, calcite, siderite, Pb-sulfosalt, and marcasite. The paddy soils were significantly contaminated by heavy metals(average concentrations, As: 334.4 ppm, Cd: 37.6 ppm, Co: 15.7 ppm, Cu: 214.1 ppm, Pb: 4,612 ppm, and Zn: 4,468 ppm).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.375-375
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2011
Cu(In1-xGax)Se2 (CIGS)박막증착법 중 금속 전구체의 셀렌화 공정법은 다른 제조 방법에 비해 대면적 생산에 유리하고, 비교적 공정 과정이 간단하다는 장점이 있다. 이 제조 방법은 금속 전구체를 만든 후에 셀렌화 공정을 하게 된다. 셀렌화 공정은 대부분 H2Se 가스를 사용하지만 유독성으로 사용하는데 주의해야 한다. 본 실험은 H2Se를 사용하지 않고 Se원료를 주입하기 위해 Se cracker를 사용했고 금속 전구체 증착과 셀렌화를 동시에 하는 반응성 스퍼터링 후 열처리 법을 이용하여 CIGS 박막을 증착 했다. CIGS의 박막의 Cu/[In+Ga], Ga/[In+Ga]비를 변화시켜 특성변화를 관찰했다. Cu/[In+Ga]비가 감소할수록 CIGS의 결정방향인 (112) 이 우세하게 발달했고 Ga/[In+Ga]비가 증가할수록 CIGS의 결정면 사이의 값이 작아지기 때문에 CIGS peak의 2-Theta 값이 증가하게 된다. CIGS 박막 태양전지의 구조는 Al/Ni/ITO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/glass 제작했다. CIGS박막의 조성비가 Cu/[In+Ga]=0.84, Ga/[In+Ga]=0.24인 박막태양전지에서 개방전압 0.48 V, 단락전류밀도 33.54 mA/cm2, 충실도 54.20% 그리고 변환효율 8.63%를 얻었다.
II-Ⅵ ZnO compound semiconductor thin films were grown on $\alpha$-Al$_2$O$_3$(0001) single crystal substrate by radical beam assisted molecular beam epitaxy and the optical properties were investigated. Zn(6N) was evaporated using Knudsen cell and O radical was assisted at the partial pressure of 1$\times$10$^{4}$ Torr and radical beam source of 250-450 W RF power. In $\theta$-2$\theta$ x-ray diffraction analysis, ZnO thin film with 500 nm thickness showed only ZnO(0002)and ZnO(0004) peaks is believed to be well grown along c-axis orientation. Photoluminescence (PL) measurement using He-Cd ($\lambda$=325 nm) laser is obtained in the temperature range of 9 K-300 K. At 9 K and 300 K, only near band edge (NBE) is observed and the FWHM's of PL peak of the ZnO deposited at 450 RF power are 45 meV and 145 meV respectively. From no observation of any weak deep level peak even at room temperature PL, the ZnO grains are regarded to contain very low defect density and impurity to cause the deep-level defects. The peak position of free exciton showed slightly red-shift as temperature was increased, and from this result the binding energy of free exciton can be experimentally determined as much as $58\pm$0.5 meV, which is very closed to that of ZnO bulk. By van der Pauw 4-point probe measurement, the grown ZnO is proved to be n-type with the electron concentration($n_{e}$ ) $1.69$\times$10^{18}$$cm^3$, mobility($\mu$) $-12.3\textrm{cm}^2$/Vㆍs, and resistivity($\rho$) 0.30 $\Omega$$\cdot$cm.
Proceedings of the Korean Society of Applied Pharmacology
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1992.05a
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pp.28-28
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1992
브라디키닌은 체내에서 강력한 혈관 확장 작용을 일으키는 autacoid(local hormone)로서 혈압의 항상성 유지, 모세혈관 투과성 증진, 염증 및 통증 반응 등에 관여하고 여러 장관 평활근을 수축시킨다. 또한 septic 혹은 endotoxic shock의 여러 원인 물질로도 생각되어진다. 최근 rhinovirus로 인한 감기의 제증상 원인 물질로도 브라디키닌이 주목을 받고있다. 이와같이 브라디키닌온 다양한 질병에 있어 중요한 원인 물질로 여겨지므로 브라디키닌 길항제들은 한두 질병의 치료제로 개발될 가능성이 높음이 강력히 제시되고 있는 실정이다. 이의 개발을 위해서 브라디키닌 수용체에 대한 연구는 필수적이라고 할 수 있다. 본 연구는 두 부분으로 나누어 진행중인데 첫째, 이제까지 보고된 브라디키닌 길항 물질들은 대부분이 브라디키닌의 특정 아미노산 잔기를 치환시킨 펩타이드 유도체로서 이들을 경구 투여시 peptidase어 의하여 쉽게 분해되고 또한 부분적인 효능제 활성을 갖는 불리한 점을 감안하여, 비펩타이드성 브라디키닌 길항제를 개발할 목적으로 한방 및 민간에서 자주 사용되어온 생약중에 브라디키닌 작용에 선택적 길항효과가 있는 물질을 검색한 바 활성을 보인 황금으로부터 작용 성분을 추적중에 있다. 둘째, 브라디키닌 수용체를 순수하게 분리 정제하기 위한 첫 단계로서 이 수용체의 결합시험(binding assay) 방법을 확립하고 더불어 여러 조직내(흰쥐의 여러 기관, 토끼 및 사람의 신장)의 브라디키닌 수용체의 분포를 파악하는 일이다. 횐쥐 조직의 실험 결과로부터 신장에 브라디키닌 수용체가 많이 분포함을 확인되었고 향후 토끼 신장으로부터 동수용체를 분리하고자 한다. 또한 토끼 신장의 근위세뇨관일차배양세포을 이용하여 브라디키닌의 신장에서의 작용기전도 살펴보고 있다.+}$, $Na^{+}$, NH$_{4}$$^{+}$ 및 H$^{+}$) 수용액 메디움에서의 Cd(II), Mg(II) 및 Zn(II)의 Dowex 1-X8, Cl$^{-}$ 수지에 대한 흡착은 역시 어떤 메디움에서도 Cd(II) 흡착이 제일 크며, 다음이 Zn(II) 이고 착이온을 형성않는 Mg(II)이 제일 작았다. 한편 메디움 종류별 D값의 크기순위는 H$^{+}$>K$^{+}$> $Na^{+}$>NH$_{4}$$^{+}$이였다. 메디움의 종류에 따라 D값의 차이가 나는 것은 금속이온의 착이온 형성과 금속이온의 용액내에서의 이온종의 상태와 관련이 있다고 생각된다. 마. MCl(M:K$^{+}$, $Na^{+}$, NH$_{4}$$^{+}$ 및 H$^{+}$)과 MNO$_{3}$ 용리액에 의한 Cd(II), Mg(II) 및 Zn(II)의 용리는 예상한 바와 같이 MCl에서 작은 Dv 값을 갖는데, 이것은 CdCl$_{4}$$^{2-}$ 착이온을 형성하거나 ZnCl$_{4}$$^{2-}$ , ZnCl$_{3}$$^{-}$같은 이온과 MgCl$^{+}$, MgCl$_{2}$같은 이온종을 형성하기 때문인것 같다. 한편 어떠한 용리액에서던지 NH$_{4}$$^{+}$의 경우
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.585-585
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2012
$Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$(CIGS) 박막 태양전지는 Chalcopyrite 계 박막 태양전지로 Cu, In, Ga, Se 각 원소의 조성을 적절히 조절하여 박막을 성장시킨다. 성장시킨 CIGS 박막은 광흡수계수가 $10^5cm^{-1}$로 다른 물질보다 뛰어나고 직접 천이형 반도체로서 얇은 두께로도 고효율의 박막 제작이 가능하다. CIGS 태양전지를 제조하는 방법은 3-stage 동시 증착법, 금속 전구체의 셀렌화 공정법, 전기 증착법 등이 있다. 그 중에 금속 전구체의 셀렌화 공정법은 다른 제조 방법에 비해 대면적 생산에 유리한 장점이 있다. 하지만 아직 상대적으로 3-stage 동시 증착법에 비해 낮은 에너지 변환 효율이 보고된다. 본 실험에서는 기존의 금속 전구체의 셀렌화 공정법과는 달리 전구체 증착과 셀렌화 공정을 동시에 하고, Se cracker를 통하여 Se 원료를 주입하는 방식인 반응성 스퍼터링 공정에서 reservoir zone의 온도 변화에 따른 특성을 분석하였다. Se cracker의 reservoir zone 온도가 증가할수록 Cu/(In+Ga) 비가 증가한다. CIGS 박막 태양전지의 구조는 Al/Ni/ITO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/Soda lime glass이다. CIGS 박막의 조성비가 Cu/(In+Ga)=0.89, Ga/(In+Ga)=0.17인 박막 태양전지에서 개방전압 0.34 V, 단락전류밀도 $32.61mA/cm^2$, 충실도 56.2% 그리고 변환 효율 6.19%를 얻었다. 본 연구는 2011년도 지식경제부의 재원으로 한국에너지 기술평가원(KTEP)의 지원을 받아 수행한 연구 과제입니다(No.20093020010030).
We have tested a combined CT/SPECT system with a single CZT detector for x-ray and gamma-ray medical imaging. The size of detector is 10$\times$10$\times$5 ㎣, and the anodes are pixellated as a 4$\times$4 array with a pixel dimension of $1.5\times$1.5 $\textrm{mm}^2$. The cathode was coated with a continuous Au-plated. We have characterized the system performance by scanning a radiographic resolution phantom and the Hoffman Brain phantom. Pulse counting electronics with very short shaping time (50 ㎱) are used to satisfy high photon rates in x-ray imaging, and response linearity up to 3$\times$10$^{5}$ counts per second per detector element is achieved. Energy resolution of 10.4% and 5.3% FWHM at Tc-99m 140 keV peak are obtained for the 50 ㎱ and 2 $mutextrm{s}$ shaping times, respectively. The spatial resolutions of CT and SPECT are about 1mm and 9mm, respectively. Photopeak efficiency of detector systems are 41.0% for 50㎱ and 72.5% for 2 $mutextrm{s}$ shaping time.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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