• 분석과학
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• 제11권2호
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• pp.135-138
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• 1998

봄무우 유식물의 자엽과 뿌리에 $Cd^{2+}$ 이온을 처리하여 생체내에 아미노산의 변화를 조사하였다. 자엽에서는 $Cd^{2+}$ 이온의 처리로 Asp는 감소하나 Ala, Phe, Typ, Ilu, Val, Lys과 Arg의 농도가 더 증가되었다. 자엽에다 $Cd^{2+}$ 이온과 polyamine(PA)를 동시에 처리하면, Lys과 Arg의 농도가 급속히 감소하였으나, 다만 Pro의 농도는 증가되었다. 뿌리에다 $Cd^{2+}$ 이온을 처리하면 알카리성 아미노산인 His, Lys, Arg의 농도가 증가되었다. 그러나 $Cd^{2+}$ 이온과 PA를 동시에 처리하면, Lys과 Arg의 농도는 감소되었고, 다만 Pro의 농도는 증가되었다. 이 결과는 Pro는 PA에 의해 stress에 대항하여 유도되었고, 다른 아미노산 농도의 변화는 생체내에서 stress에 대항하는 대사와 관련이 있을 것으로 보여진다.

• 한국항공우주학회지
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• 제35권2호
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• pp.115-123
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• 2007

본 논문은 리튬이온 (Li-ion) 셀을 채용한 인공위성용 전력계의 개념 설계에 대하여 기술한다. 기존의 니켈카드뮴 (NiCd) 셀과 비교할 때, 리튬이온 (Li-ion) 셀은 에너지 밀도, 무게 그리고 부피에서 큰 잇점을 갖고 있다. 니켈카드뮴 (NiCd) 셀의 평균 출력전압은 +1.2V이며, 리튬이온 (Li-ion) 셀의 출력전압은 +3.6V이다. 그러나, 리튬이온 (Li-ion) 셀의 충전과 방전에 있어서의 절차는 기존의 니켈카드뮴 (NiCd) 셀 보다는 어렵다. 따라서, 리튬이온 (Li-ion) 셀의 충전과 방전 시에는 각각의 셀에 대하여 충전 전압과 방전 전압을 검침하고 제어를 해주어야 하므로 별도의 제어 회로가 요구된다. 따라서, 본 논문을 통하여 리튬이온 (Li-ion) 셀을 채용한 전력계의 설계 시 고려하여야 할 사항 및 리튬이온 (Li-ion) 셀의 충방전 특성에 대한 연구 결과를 제시하고자 한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권4호
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• pp.712-718
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• 2003

진공 증착한 CdS 박막의 질소 이온 주입 효과를 X-선 회절 검사, 광 투과율, 라만 산란 특성을 통하여 조사하였다. 질소 이온 주입하지 않은 CdS 박막은 (0 0 2)면으로의 우선 방위를 가지고 성장하였다. 질소 이온 주입한 시편의 경우 metallic Cd가 형성됨을 XRD 분석 결과 알 수 있었다. 가시광 영역에서의 광투과율은 질소 이온 주입 양이 많아짐에 따라 크게 감소하였다. 또한 질소 이온 주입 양에 따라 CdS 박막의 흡수 계수는 지수 함수적으로 증가하였고, 밴드 갭은 감소하였다 CdS 박막의 라만 peak 위치는 질소 이온 주입 양에 관계없이 299 cm-1로 거의 일정하지만, peak의 FWHM은 이온 주입 양이 증가함에 따라 커졌고, peak 면적은 감소하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회
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• pp.805-808
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• 2010

본 연구에서는 CdTe 및 $CuInSe_2$ 태양전지의 광투과층으로 사용되는 CdS 박막을 chemical bath deposition으로 제조하고, 반응용액의 온도에 따른 미세구조의 변화를 조사하였다. CdS 박막의 결정구조와 미세구조는 기판의 종류에 큰 변화 없이 $85^{\circ}C$ 까지는 반응용액의 온도가 증가함에 따라 기판에서의 ion-by-ion 성장이 촉진되어 CdS 박막의 성장률이 증가하며, 결정성이 향상되고 continuous하면서 매우 조밀한 미세구조를 가졌다. 그러나 온도가 $55^{\circ}C$ 이하의 경우 CdS 형성에 필요한 Cd2+ 이온의 공급이 느려져 온도에 따라 증착률이 감소하였다. 또한 핵생성 위치 수가 감소하여 입자의 크기가 증가하였고, 박막 내부에는 void가 형성되어 균일하지 못한 미세구조를 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권6호
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• pp.471-478
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• 2002

Vacuum evaporated cadmium sulphide (CdS) thin films were implanted with $Ar^+$ and $N^+$ for different doses. The properties of the ion implanted CdS thin films have been analysed using XRD, optical transmittance spectra, and Raman scattering studies. Formation of Cd metallic clusters were observed in ion implanted films. The band gap of $Ar^+$ doped films decreased from 2.385 eV of the undoped film to 2.28 eV for the maximum doping. In the case of $N^+$ doped film the band gap decreased from 2.385 to 2.301 eV, whereas the absorption coefficient values increased with the increase of implantation dose. On implantation of both types of ions, the Raman peak position appeared at $299\textrm{cm}^{-1}$ and the FWHM changed with the ion dose.

• 한국환경과학회지
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• 제5권6호
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• pp.779-783
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• 1996

Cation exchange distribution coefficients of poly(dithiocarbamate) were presented for $Cd^{2+}$, $Cr^{3+}$, and $Pb^{2+}$ in HCI. The distribution coefficients were determined tv using the batch method. Based on these distribution data, the separation possibilities of the heavy metal ions were discussed. The distribution coefficients of three heavy metal ions on dithiocarbamate resin were decreased as HCI concentrations were increased. The selective separation of $Cr^{3+}$ and $Cd^{2+}$ was possible by using 0.1M HCl in dithiocarbamate resin and the reproducibility test showed that the average absorptivity of resin was 90% in the case of $Cd^{2+}$ ion by the column method.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제22권3호
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• pp.204-211
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• 2005

The structure of nitrogen adsorption complex of fully dehydrated $Cd^{2+}$ ion exchanged zeolite-X, $|Cd_{46}(N)_{18}|[Si_{100}Al_{92}O_{384}]$, was determined in the cubic space group $Fd\overline{3}$ at 21(1) $^{\circ}C$ [a = 24.863(4) ] by single crystal X-ray diffraction analysis. The crystal was prepared by ion exchange in a flowing steam of 0.05 M aqueous solution $Cd(NO_3)_2$ : $Cd(O_2CCH_3)_2$ = 1:1 for five days, followed by dehydration at $500^{\circ}C$ and $2{\times}10^{-6}$ Tor. for two days, and exposured to 100 Tor. zeolitically dry nitrogen gas at 21(1) $^{\circ}C$. The structure was determined in atmosphere, and was refined within $F_0$ > $4{\sigma}(F_0)$ using reflection for which the final error can appear in indices $R_1$ = 0.097 and $wR_2$ = 0.150. In this structure, $Cd^{2+}$ ions occupied four crystallographic sites. Nine $Cd^{2+}$ ions filled the octahedral site I at the centers of hexagonal prisms (Cd-O = 2.452(16) ${\AA}$). Eight $Cd^{2+}$ ions filled site I' (Cd-O = 2.324(19) ${\AA}$). The remaining 29 $Cd^{2+}$ ions are found at two nonequivalent sites II (in the supercages) with occupancy of 11 and 18 ions. Each of these $Cd^{2+}$ ions coordinated to three framework oxygens, either at 2.159(15) or 2.147(14) ${\AA}$, respectively. Eighteen nitrogen molecules were adsorbed per unit cell and three per supercage.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권2호
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• pp.89-95
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• 1995

The structure of boron ion-implanted pn junctio in the vacancy-doped p-type HgCdTe was investigated with the differential Hall measurement. The as-implanted junction showed the electron concentration as high as 1${\times}10^{18}/cm^{3}$ and the junction depth of 0.6.mu.m. When the HgCdTe junction was heated in oven, the electron concentration near the junction decreased and the junction depth increased as the annealing temperature and time increased. The junction structure after the thermal annealing was n$^{+}$/n$^{-}$/p. For the 200.deg. C 20min annealed sample, the electron mobility was 10$^{4}cm^{2}/V{\cdot}$s near the surface(n$^{+}$), and was larger thatn 10$^{5}cm^{2}/V{\cdot}$s near the junction(n$^{+}$). The junction formation mechanism is conjectured as follows. When HgCdTe is ion-implanted, the ion energy generates crystal defecis and displaced Hg atoms HgCdTe is ion-implanted, the ion energy generates crystal defecis and displaced Hg atoms near the surface. The displaced Hg vacancies diffuse in easily by the thernal treatment and a fill the Hg vacancies in the p-HgCdTe substrate. With the Hg vacancies filled completely, the GfCdTe substrate becomes n-type because of the residual n-type impurity which was added during the wafer growing. Therefore, the n$^{+}$/n$^{-}$/p regions are formed by crystal defects, residual impurities, and Hg vacancies, respectively.

• 자원리싸이클링
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• 제27권4호
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• pp.36-43
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• 2018

폐 니켈-카드뮴 전지의 재활용을 위하여 효율적으로 카드뮴과 니켈을 분리할 수 있도록 이온치환 반응을 이용하여 선택적으로 카드뮴을 분리하였다. 폐 니켈-카드뮴 전지 내의 전극을 분쇄하여 얻은 전극 분말을 황산에 침출시킨 니켈-카드뮴 용액에 황화나트륨을 첨가하여 CdS로 침전시켰다. 다양한 조건에서 이온치환실험을 실시하였으며, 최적조건으로는 상온에서 용액의 pH = -0.1, $Na_2S/Cd=2.3$일 때 용액 내 잔존하는 Cd은 약 100 ppm으로 대부분 CdS로 침전된 결과를 얻을 수 있었다.

• 분석과학
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• 제14권2호
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• pp.123-130
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• 2001

Perfluorinated sulfonated polymer-ethylenediamine(Nafion-en)이 화학수식된 유리탄소전극을 사용하여 Cd(II) 이온의 정량에 대해 연구하였다. Cd(II) 이온의 착화제인 ethylenediamine(en)을 nafion에 고정시켜 유리탄소전극 표면에 수식하면 이 수식전극의 en은 Cd(II) 이온과 $[Cd(en)_2]^{2+}$의 착물을 형성한다. Nafion-en이 화학수식된 유리탄소전극에서 시차펄스전압전류법에 의한 Cd(II) 이온의 환원봉우리전위는 $-0.780({\pm}0.005)V$(vs. Ag/AgCl), 측정범위는 $5.0{\times}10^{-7}-2.0{\times}10^{-5}M$, 검출한계(3s)는 $2.20{\times}10^{-7}M$이었다. Nafion-en이 화학수식된 유리탄소전극의 검출한계가 수식되지 않은 유리탄소전극에 비해 약 14배 정도 향상되었다.