온도 기울기 전기영동장치를 이용하여 d(CXG)와 d(GXC) 염기의 열 안정성을 결정하는데 사람의 $\varepsilon$-글로빈 DNA조각을 사용하였다. 염기 쌍의 안정성은 이웃하는 염기서열에 의한 수소결합과 base stocking 상호작용에 의존한다. 염기 쌍의 안정성은 d(CXG) d(CYG)의 경우에 T.AG.A = A.G>C.T>T.C>C.A>A.C이다.
본 논문에서는 오드 연결망을 기반으로 하는 새로운 상호연결망, 계층적 오드 연결망 HON($C_d,C_d$)을 제안한다. 그리고 HON($C_d,C_d$)의 여러 가지 망성질(연결도, 라우팅 알고리즘, 지름, 방송 등)을 분석한다. 본 논문에서 제안한 HON($C_d,C_d$)가 오드 연결망과 HCN(m,m), HFN(m,m)보다 우수한 연결망임을 보인다.
For c > -1, let ${\nu}_c$ denote a weighted radial measure on ${\mathbb{C}}$ normalized so that ${\nu}_c(D)=1$. For $c_1,c_2>-1$ and $f{\in}L^1(D^2,\;{\nu}_{c_1}{\times}{\nu}_{c_2})$, we define the weighted Berezin transform $B_{c_1,c_2}f$ on $D^2$ by $$(B_{c_1,c_2})f(z,w)={\displaystyle{\smashmargin2{\int\nolimits_D}{\int\nolimits_D}}}f({\varphi}_z(x),\;{\varphi}_w(y))\;d{\nu}_{c_1}(x)d{\upsilon}_{c_2}(y)$$. This paper is about the space $M^p_{c_1,c_2}$ of function $f{\in}L^p(D^2,\;{\nu}_{c_1}{\times}{\nu}_{c_2})$ ) satisfying $B_{c_1,c_2}f=f$ for $1{\leq}p<{\infty}$. We find the identity operator on $M^p_{c_1,c_2}$ by using invariant Laplacians and we characterize some special type of functions in $M^p_{c_1,c_2}$.
In this paper, we introduce the concept of split and non-split tree (D, C)- set of a connected graph G and its associated color variable, namely split tree (D, C) number and non-split tree (D, C) number of G. A subset S ⊆ V of vertices in G is said to be a split tree (D, C) set of G if S is a tree (D, C) set and ⟨V - S⟩ is disconnected. The minimum size of the split tree (D, C) set of G is the split tree (D, C) number of G, γχST (G) = min{|S| : S is a split tree (D, C) set}. A subset S ⊆ V of vertices of G is said to be a non-split tree (D, C) set of G if S is a tree (D, C) set and ⟨V - S⟩ is connected and non-split tree (D, C) number of G is γχST (G) = min{|S| : S is a non-split tree (D, C) set of G}. The split and non-split tree (D, C) number of some standard graphs and its compliments are identified.
We prove the Hyers-Ulam stability of linear d-isometries in linear d-normed Banach modules over a unital $C^*-algebra$ and of linear isometries in Banach modules over a unital $C^*-algebra$. The main purpose of this paper is to investigate d-isometric $C^*-algebra$ isomor-phisms between linear d-normed $C^*-algebras$ and isometric $C^*-algebra$ isomorphisms between $C^*-algebras$, and d-isometric Poisson $C^*-algebra$ isomorphisms between linear d-normed Poisson $C^*-algebras$ and isometric Poisson $C^*-algebra$ isomorphisms between Poisson $C^*-algebras$. We moreover prove the Hyers-Ulam stability of their d-isometric homomorphisms and of their isometric homomorphisms.
본 연구는 현행 ICT 거버넌스의 주요 논리를 분석하여 콘텐츠가 성장할 수 있는 '창조산업 생태계 및 친화적 콘텐츠 거버넌스 구축'을 위한 정책대안을 제시하는데 있다. 이를 위해 ICT 생태계가 주장하는 인터넷 중심의 콘텐츠(C)-플랫폼(P)-네트워크(N)-디바이스(D) 부문의 문제점을 진단하고, 이를 포괄하는 보다 거시적 개념으로서 콘텐츠산업 생태계(c-P-N-D에서 C-p-n-d로의 진화)'의 근거 논리를 전개하였다. 연구결과 ICT 생태계 주장의 논리는 IT 차원의 통합에 집중됨으로서 콘텐츠(C) 경쟁력의 원천과 핵심 속성(창작자, 창조성 등) 등이 경시되어, 콘텐츠(C) 부문이 P-N-D 각 부문보다 작은 개념으로 인식될 가능성이 매우 크다. 즉 콘텐츠(C)는 Large C가 아닌 Small c 개념으로 c-P-N-D 가치사슬체계로 간주되어 상대적으로 창의적 콘텐츠가 소홀하게 다루어질 우려가 있다. 따라서 콘텐츠 핵심인 창작이 순수예술과 함께 어우러진 문화적 감수성에서 발현될 수 있도록 'ICT생태계(c-P-N-D)에서 콘텐츠산업생태계(C-p-n-d)로의 진화'가 모색되어야 할 것이다.
The electromigration phenomena and the characterizations of the conductor lifetime (Time-To-Failure, TTF) in Al-1%Si thin film interconnections under D.C. and Pulsed D.C. conditions were investigated . Meander type test patterns were fabricated with the dimensions of 21080$mu \textrm{m}$ length, 3$\mu\textrm{m}$ width, 0.7$\mu\textrm{m}$ thickness and the 0.1$\mu\textrm{m}$/0.8$\mu\textrm{m}$($SiO_2$/PSG)dielectric overlayer. The current densities of $2 \times10^6 A/\textrm{cm}^2$ and $1 \times10^7 A/\textrm{cm}^2$ were stressed in Al-1%Si thin film interconnection s under a D.C. condition. The peak current densities of $2 \times10^6 A/\textrm{cm}^2$ and $1 \times10^7 A/\textrm{cm}^2$ were also applied under a Pulsed D.C. condition at frequencies of 200KHz, 800KHz, 1MHz, and 4MHz with the duty factor of 0.5. THe time-to-failure under a Pulsed D.C.($TTF_{pulsed D.C}$) was appeared to be larger than that under a D.C. condition. It was found that the TTF under both a D.C. and a Pulsed D.C. condition. It was found that the TTF under both a D.C. and a Pulsed D.C. condition largely depends upon the appiled current densities respectively . This can be explained by a relaxation mechanism view due to a duty cycle under a Pulsed D.C. related to the wave on off. The relaxation phenomena during the pulsed off period result in the decayof excess vacancies generated in the Al-1%Si thin film interconnections because of the electrical and mechanical stress gradient . Hillocks and voids formed by an electromigration were observed by using a SEM (Scanning Electron Microscopy).
Let N($d_1,...,{\;}d_n;c_1,...,{\;}c_n$) be the number of solutions $(x_1,...,{\;}x_n){\in}F^{n}_p$ of the diagonal equation $c_lx_1^{d_1}+c_2x_2^{d_2}+{\cdots}+c_nx_n^{d_n}{\;}={\;}0{\;}n{\geq},{\;}c_j{\;}{\in}{\;}F^{*}_q,{\;}j=1,2,...,{\;}n$ where $d_j{\;}>{\;}1{\;}and{\;}d_j{\;}$\mid${\;}q{\;}-{\;}1$ for all j = 1,2,..., n. In this paper, we find all n-tuples ($d_1,...,{\;}d_n$) such that the reduced form of ($d_1,...,{\;}d_n$) and N($d_1,...,{\;}d_n;c_1,...,{\;}c_n$) are the same as in the theorem obtained by Sun Qi [3]. Improving this, we also get an explicit formula for the number of solutions of the diagonal equation, unver a certain natural restriction on the exponents.
Let D be an integral domain with quotient field K,$\mathcal{I}(D)$ be the set of nonzero ideals of D, and $w$ be the star-operation on D defined by $I_w=\{x{\in}K{\mid}xJ{\subseteq}I$ for some $J{\in}\mathcal{I}(D)$ such that J is finitely generated and $J^{-1}=D\}$. The D is called a Pr$\ddot{u}$fer $v$-multiplication domain if $(II^{-1})_w=D$ for all nonzero finitely generated ideals I of D. In this paper, we show that D is a Pr$\ddot{u}$fer $v$-multiplication domain if and only if $(A{\cap}(B+C))_w=((A{\cap}B)+(A{\cap}C))_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$, if and only if $(A(B{\cap}C))_w=(AB{\cap}AC)_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$, if and only if $((A+B)(A{\cap}B))_w=(AB)_w$ for all $A,B{\in}\mathcal{I}(D)$, if and only if $((A+B):C)_w=((A:C)+(B:C))_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$ with C finitely generated, if and only if $((a:b)+(b:a))_w=D$ for all nonzero $a,b{\in}D$, if and only if $(A:(B{\cap}C))_w=((A:B)+(A:C))_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$ with B, C finitely generated.
Aspergillus nidulans에는 유성분화를 능동조절하는 nsdD, nsdC 그리고 veA의 3 유전자가 알려져 있다. 이들 유전자의 돌연변이들은 각각을 서로 교배한 이핵체에 cleistothecia를 형성하지 못하기 때문에 이중돌연변이의 분리가 어려웠다. 본 연구에서는 ${\Delta}nsdD$ 돌연변이가 저산소 및 저온조건에서 성숙한 cleistothecia를 형성하는 것을 이용하여 ${\Delta}nsdD$와 ${\Delta}veA$ 및 ${\Delta}nsdD$와 ${\Delta}nsdC$의 이중돌연변이를 분리하였다. 이중돌연변이의 형질을 분석한 결과 nsdD 유전자는 veA 또는 nsdC와 독립적으로 정단성장에 관여하는 것으로 보였다. 색소생성형질은 veA나 nsdC가 nsdD에 대해 상위에 있는 것으로 나타났으며, lactose가 탄소원인 액체배지에서 무성포자를 생성하는 형질이 이중돌연변이에도 보임에 따라 이 형질은 nsdC의 고유한 특성으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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