M. Cohen and S. Montgomery showed that a Maschke-type theorem for the smash product, which unlike the corresponding result for group actions, does not require any assumptions about the characterstic of the algebra. Our purpose in this paper is a Maschke-type theorem for the graded smash coproduct C⋊kG: let V be a right C⋊kG-comodule and W a C⋊kG-subcomoduleof V which is a C-direct summand of V. Then W is a C⋊kG-direct summand of V. Also this result is equivalent to the following : let V be a graded right C-comodule and W a graded subcomodule of V which has a complement as a C-subcomodule of V. Then W has a graded complement.
현대 사회에서는 새로운 기술이나 가설을 증명하기 위해 시뮬레이션을 사용한다. 특히, 군사 훈련을 진행하거나 전쟁상황을 예측하기 위하여 국방 Modeling & Simulation(M&S)을 사용한다. 국방 M&S는 실제 환경에서 진행하는 Live Simulation, 가상환경에서 진행하는 Virtual Simulation, 그리고 워 게임과 같은 Constructive Simulation으로 이루어지며 각각을 L체계, V체계, C체계라고 한다. L체계는 실제 환경을 전제하기 때문에 현실성이 높지만 예산 효율성이 떨어진다. 이와 반대로 V와 C체계는 현실성이 떨어지지만 예산 효율성을 높인다. 이러한 각 체계의 장단점을 바탕으로 세 가지 체계를 모두 연동한 L-V-C 통합 환경을 구축한다면 시뮬레이션의 질을 향상시킬 수 있다. 본 논문에서는 L-V-C 통합 환경을 구축하기 위해 이기종 시뮬레이션 미들웨어 간 연동하는 방안을 제시하고 서로 다른 미들웨어간의 연동 테스트 결과를 보인다.
본 연구는 생명을 위협하는 Vibrio vulnificus의 생존에 온도, 염분 pH 및 자외선과 같은 환경적 요인이 어떠한 영향을 미치는 가를 알아보기 위하여 수행하였다. 6일 동안 15에서 ${25\circ}C$의 온도범위에서 V.vulnificus의 수는 증가하였지만 이 범위외에서 V.vulnifivus의 생존수는 감소하였다. 1에서 ${10\circ}C$사이에서의 실험 결과, V.vulnificus 가 $10{\circ}C$이하에서는 생존수가 적었다. 한편 6일 동안 5에서 25ppt정도의 염분조건에서는 V.vulnificus수는 감소하였다. 최적의 pH 영역은 6.5에서 8.0이었고 이 영역밖에서는 V.vulnificus의 생존율은 낮았다. 15와 $25{\circ}C$에서 자외선은 V.vulificus에 대해 살균효과를 나타내어서 2시간 동안 자외선 처리후 V.vulnificus수가 약 10,00배 감소되었다. 이상과 같은 결과들은 환경적 요인이 V.vulnificus의 생존에 미치는 영향이 크다는 것을 보여주었다.
본 연구에서는 다이오드 소자의 온도 증가에 따른 C-V 특성을 분석하였다. 180 kHz 주파수 조건에서 온도는 300 K에서 450 K까지 50 K 간격으로 가변하였다. 측정 결과 reverse bias 영역에서는 커패시턴스의 온도 의존성이 없었으나, forward bias 영역에서는 온도가 증가함에 따라 동일 전압에서의 커패시턴스가 증가하였다. 이로부터 온도가 증가 할수록 소자가 반전(inversion) 상태에서 축적(accumulation) 상태로 빨리 전환함을 확인하였으며, 1/C2-V 그래프로부터 온도 증가에 따른 전위장벽(Built-in potential, Vbi) 감소를 확인하였다. 전위장벽은 0.63 V에서 0.31 V로 온도 상승에 따라 약 0.1 V씩 감소하였다. 이는 energy band diagram에서 p-type 영역과 n-type 영역의 energy band 차가 감소해 공핍층 영역의 폭이 좁아짐을 의미한다. 공핍층의 두께 감소로 다이오드 전류의 급격한 증가뿐 아니라 위에서 언급한 바와 같은 C-V 특성을 보였다. 이번 연구에서는 기존의 보편화 된 I-V 측정을 통한 다이오드 소자 분석과는 달리 온도 변화에 따른 C-V 분석을 통해 소자 내부의 전위 장벽 및 공핍층 폭 감소에 따른 소자 특성 변화를 분석하였다.
본 연구에서는 S-파라미터 측정 데이터를 사용하는 RF측정방법으로 short-channel MOSFET의 RF 캐패시턴스 전압(C-V) 곡선을 상온에서 $225^{\circ}C$까지 추출하였으며, 추출된 고온 종속 특성을 엠피리컬하게 모델링하였다. RF C-V 특성곡선의 weak inversion영역에서 온도 변화에 따른 voltage shift가 threshold voltage shift보다 적은 현상이 관찰되었지만, 기존 long-channel C-V 이론 방정식으로 설명할 수 없는 현상임이 입증되었다. 이러한 short-channel C-V 곡선의 고온 종속 모델링을 위해서 새로운 엠피리컬 방정식이 개발되었다. 이 방정식의 정확도는 모델된 C-V곡선과 측정 데이터가 넓은 온도범위에서 잘 일치하는 결과를 관찰함으로써 입증되었다. 또한, 높은 게이트 전압에서는 온도가 증가함에 따라 채널 캐패시턴스 값이 감소하는 것을 확인할 수 있다.
Decaborane ($B_{10}H_{14}$) 이온 주입법으로 n-type Si (100) 기판에 ultra-shallow $p^{+}-n$ 접합을 형성시켰다. 이온 주입에너지는 5kV와 10kV, 이온 선량은 $1\times10^{12}\textrm{cm}^2$와 $1\times10^{13}\textrm{cm}^2$로 decaborane을 이온 주입시켰다. 이온 주입된 시료들은 $N_2$ 분위기에서 $800^\{\circ}C$, $900^{\circ}C$, $1000^{\circ}C$에서 10초 동안 RTA(Rapid Thermal Annealing) 처리를 하였다. 또한 가속에너지에 따른 결함을 확인하기 위해서 15 kV의 이온 주입 에너지에서 $1\times10^{14}\textrm{cm}^2$만큼 이온 주입하였다. 2 MeV $^4He^{2+}$ channeling spectra에서 15 kV로 주입된 시료가 bare n-type Si와 5 kV, 10 kV의 에너지로 주입된 시료보다 주입시 생긴 결함에 의해 backscattering yield가 더 높게 나타났으며 spectra로부터 얻은 이온 주입으로 인한 비정질층의 두께는 표면으로부터 가속전압이 5kV, 10kV, 15kV일 때 각각 1.9nm, 2.5nm, 4.3nm였다. 10 kV에서 이온 주입된 시료를 $800^{\circ}C$ 열처리 한 결과 결함의 회복으로 인해 bare Si와 비슷한 backscattering yield를 보였으며 이때의 계산된 비정질 층의 두께는 0.98 nm이었다. 홀 측정과 면저항 측정은 dopant의 활성화가 주입된 에너지, 이온 선량, 열처리 온도에 따라 증가함을 보여주었다. I-V 측정 결과 누설 전류 밀도는 열처리 온도가 $800^{\circ}C$에서 $1000^{\circ}C$까지 증가함에 따라 감소하였고 주입에너지가 5kV에서 10kV까지 증가함에 따라 증가하였다.
Some new sufficient conditions for the unweighted $\v{C}eby\v{s}ev's$ inequality for real sequences to hold and related results are given. Applications for the moments of guessing mappings are also provided.
This paper describes the fabrication and characteristics of Schottky micro hydrogen sensors for high temperatures by using polycrystalline(poly) 3C - SiC thin film grown on Si substrates with thermal oxide layer using APCVD. Pd/poiy 3C-SiC Schottky diodes were made and evaluated by I-V and C-V measurements. Electric current density and barrier height voltage were $2\times10^{-3}\;A/cm^2$ and 0.58 eV, respectively. These devices could operate stably at about $400^{\circ}C$. According to $H_2$ concentrations, their barrier height($\Phi_{Bn}$) were changed 0.587 eV, 0.579 eV, 0.572 eV and 0.569 eV, respectively. the current was increased. Characteristics of implemented sensors have been investigated in terms of sensitivity, linearity of response, response rate and response time. Therefore, from these results, Pd/poly 3C-SiC Schottky devices have very high potential for high temperature chemical sensor applications.
최근 차량과 모든 사물을 연결하는 V2X(Vehicle to Everything) 기술의 진화가 빨라지고 있다. 특히 이동통신망을 활용한 C-V2X(Cellular V2X) 기술과 이와 결합된 서비스가 빠르게 발전하고 있는 추세를 확인할 수 있다. 하지만 우리나라는 교통사고 부상자 긴급 구난(e-Call, emergency Call) 서비스 분야에서 발전한 통신 기술에 비해 상대적으로 미흡하다고 볼 수 있으며, 사고 후 골든아워 내 구조차량의 도착비율도 현저히 낮고, 보행자 사고 비율도 높은 편이다. 따라서 본 논문은 C-V2X 통신과 안드로이드 운영체제를 적용한 통신 아키텍처를 설계하였고, 이를 기반으로 한 V2N(Vehicle to Nomadic Device) 통신을 이용하여 기존 e-Call 서비스의 개선 방안을 제시하였다.
Kim, Yu-Jin;Neelamegam, Rameshkumar;Heo, Mi-Ae;Edwardraja, Selvakumar;Paik, Hyun-Jong;Lee, Sun-Gu
Journal of Microbiology and Biotechnology
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제18권6호
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pp.1186-1190
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2008
Single-chain Fv (scFv) antibody against c-Met is expected to be employed in clinical treatment or imaging of cancer cells owing to the important biological roles of c-Met in the proliferation of malignancies. Here, we show that the productivity of scFv against c-Met in Escherichia coli is significantly influenced by the orientation of its variable domains. We generated anti-c-Met scFv antibodies with two different domain orders (i.e., $V_L$-linker-$V_H$ and $V_H$-linker-$V_L$), expressed them in the cytoplasm of E. coli trx/gor deleted mutant, and compared their specific activities as well as their productivities. Productivity of total and functional anti-c-Met scFv with $V_H/V_L$ orientation was more than five times higher than that with $V_L/V_H$ format. Coexpression of DsbC enhanced the yield of soluble amounts of anti-c-Met scFv protein for both constructs. The purified scFv antibodies of the two different formats exhibited almost the same antigen-binding activities. We also compared the productivities and specific activities of anti-c-Met diabodies with $V_H/V_L$ or $V_L/V_H$ formats and obtained similar results to the case of scFv antibodies.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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