• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제14권1호
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• pp.101-107
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• 1993

Ab initio calculations are carried out at the 6-311G$^{**}$ level for the $C_{2v}$ interactions of Be and Li atoms with acetylene molecule. The main contribution to the deep minima on the $^3B_2\;BeC_2H_2\;and\;^2B_2 LiC_2H_2$ potential energy curves is the b_2\;(2p(3b_2)-l{\pi}_g^*(4b_2))$ interaction, the $a_1\;(2s(6a_1)-I{\pi}_u(5a_1))$ interaction playing a relatively minor role. The exo deflection of the C-H bonds is basically favored, as in the $b_2$ interaction, due to steric crowding between the metal and H atoms, but the strong in-phase orbital interaction, or mixing, of the $a_1$ symmetry hydrogen orbital with the $5a'_1,\;6a'_1,\;and\;7a'_1$ orbitals can cause a small endo deflection in the repulsive complexes. The Be complex is more stable than the Li complex due to the double occupancy of the 2s orbital in Be. The stability and structure of the $MC_2H_2$ complexes are in general determined by the occupancy of the singly occupied frontier orbitals.

• 한국결정학회지
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• 제13권2호
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• pp.82-85
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• 2002

cis,cis,trans-[MoBr/sub 2/(CO)/sub 2/(PPh/sub 3/)/sub 2/］와 2,6-dimethylphenyl isocyanide의 반응으로부터 화합물cis,fac-[Mo(O)Br/sub 2/,(CN-C/sub 6/H/sub 3/,-2,6-Me/sub 2/)sub 3/] (1)이 분리되었다. 화합물 1의 구조가 분광학적 방법(/sup 1/H-NMR, /sup 13/C｛/sup 1/H｝-NMR, IR) 및 X-ray 회절법으로 규명되었다. 화합물 1의 결정학 자료: 삼사정계 공 간군 P(equation omitted), a=9.172(2) (equation omitted), b ＝ 11.550(3) (equation omitted), c ＝ 15.106(3) (equation omitted), α ＝ 100.44(2)°, β＝ 107.12(2)°, γ＝ 107.83(1)°, Z ＝ 2, R(wR/sub 2/) ＝ 0.0529(0.1344).

• Molecules and Cells
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• 제28권6호
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• pp.545-551
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• 2009

Mitogen-activated protein kinases (MAPK) affect the activation of activator protein-1 (AP-1), which plays an important role in regulating a range of cellular processes. However, the roles of these signaling factors on hydrogen peroxide ($H_2O_2$)-induced cell death are unclear. This study examined the effects of $H_2O_2$ on the activation of MAPK and AP-1 by exposing the cells to $H_2O_2$ generated by either glucose oxidase or a bolus addition. Exposing BJAB or Jurkat cells to $H_2O_2$ affected the activities of MAPK differently according to the method of $H_2O_2$ exposure. $H_2O_2$ increased the AP-1-DNA binding activity in these cells, where continuously generated $H_2O_2$ led to an increase in mainly the c-Fos, FosB and c-Jun proteins. The c-Jun-$NH_2$-terminal kinase (JNK)-mediated activation of c-Jun was shown to be related to the $H_2O_2$-induced cell death. However, the suppression of $H_2O_2$-induced oxidative stress by either JNK inhibitor or c-Jun specific antisense transfection was temporary in the cells exposed to glucose oxidase but not to a bolus $H_2O_2$. This was associated with the disruption of death signaling according to the severe and prolonged depletion of reduced glutathione. Overall, these results suggest that $H_2O_2$ may decide differently the mode of cell death by affecting the intracellular redox state of thiol-containing antioxidants, and this depends more closely on the duration exposed to $H_2O_2$ than the concentration of this agent.

• 천문학회지
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• 제26권1호
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• pp.73-78
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• 1993

We have mapped the $C_3H_2\;2_{12}-1_{01}$ transition line toward the Sgr A molecular cloud on a 1' grid spacing and derived $C_3H_2$ column densities of $3\~7\times10^{14}\;cm^{-2}$ for molecular clouds of Sgr A. The fractional abundances of $C_3H_2$ relative to $H_2$ are obtained to be $3\~6\times10^{-9}$, which are slightly lower than that for the cold dark cloud TMC-1 but are enhanced by factors of 5-60 compared to those for Sgr B2 and the Orion extended ridge. We also estimate from the $C_3H_2$ column densities total masses of $\~10^6\; M_\bigodot$ for two clouds (M - 0.13 - 0.08 and M - 0.02 - 0.07), which are thought to be close to the virial equilibrium. We suggest that the large abundance of $C_3H_2$ in Sgr A may be partly due to the activities of the Galactic center.

• 한국결정성장학회지
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• 제15권2호
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• pp.86-91
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• 2005

층상 구조의 유기-무기 페로브스카이트 복합 소재 $(C_nH_{2n+1}NH_3)_2CuC1_4$ (n=6, 8, 10, 12)을 합성하였다. $(C_nH_{2n+1}NH_3)_2CuC1_4$ 화합물에서 긴 사슬의 양성자화된 알킬 암모늄 이온은 기울어진 이중층의 구조로 $CuCl_6$ 팔면체의 구석을 공유하고 있는 페로브스카이트형의 층들 사이에의 삽입되었다. 페로브스카이트 층상 화합물에서의 3개의 고체상을 HT-XRD와 DSC를 사용하여 조사하였다. $(C_nH_{2n+1}NH_3)_2CuC1_4$ 화합물은 단계적인 층간거리의 증가와 함께 고체-고체 상전이 현상을 보여준다 3개의 다른 구조는 긴 사슬의 양성자화된 알킬 암모늄 이온의 형태 변화로 설명하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.180-184
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• 2018

산화갈륨 ($Ga_2O_3$)과 탄화규소 (SiC)는 넓은 밴드 갭 ($Ga_2O_3-4.8{\sim}4.9eV$, SiC-3.3 eV)과 높은 임계전압을 갖는 물질로서 높은 항복 전압을 허용한다. 수직 DMOSFET 수평구조에 비해 높은 항복전압 특성을 갖기 때문에 고전압 전력소자에 많이 적용되는 구조이다. 본 연구에서는 2차원 소자 시뮬레이션 (2D-Simulation)을 사용하여 $Ga_2O_3$와 4H-SiC 수직 DMOSFET의 구조를 설계하였으며, 항복전압과 저항이 갖는 trade-off에 관한 파라미터를 분석하여 최적화 설계하였다. 그 결과, 제안된 4H-SiC와 $Ga_2O_3$ 수직 DMOSFET구조는 각각 ~1380 V 및 ~1420 V의 항복 전압을 가지며, 낮은 게이트 전압에서의 $Ga_2O_3-DMOSFET$이 보다 낮은 온-저항을 갖고 있지만, 게이트 전압이 높으면 4H-SiC-DMOSFET가 보다 낮은 온-저항을 갖을 수 있음을 확인하였다. 따라서 적절한 구조와 gate 전압 rating에 따라 소자 구조 및 gate dielectric등에 대한 심화 연구가 요구될 것으로 판단된다.

• 청정기술
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• 제5권1호
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• pp.42-48
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• 1999

폐타이어는 환경 문제와 관련하여 오염과 재활용의 양면성을 지니고 있다. 이와 같은 폐타이어를 재활용의 측면에서 고온의 열플라즈마를 이용하여 열분해하여 가연성 가스로의 전환을 시도하였다. 폐타이어를 산소가 배제된 상태에서 열분해하여 $CH_4$, $C_2H_2$, $C_4H_{10}$등과 같은 저분자량의 탄화수소가 주성분인 가연성 가스가 다량 발생함을 GC를 이용하여 확인할 수 있었다. 타이어의 공급량이 증가할수록 가연성 가스의 구성에서 $CH_4$의 비율이 증가하였으며, 플라즈마 전력이 증가할수록 $C_2H_2$가 증가함을 확인하였다. 발생가스는 $C_4H_{10}$ 또는 $C_2H_2$등의 탄화수소가 주를 이루었으며 그 비율은 70%이상이었다. 한편 char의 온도에 따른 질량 감소 경향을 TG로 분석하여 열플라즈마 내에서 타이어의 열분해 경향을 간접적으로 유추할 수 있었다.

• 한국광학회지
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• 제6권1호
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• pp.45-49
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• 1995

시간 상관 단일 광자 계수법을 사용하여 PVP/C/sub 2/H/sub 5/OH와 PEG/H/sub 2/O 혼합 용매에 위치한 rhodemine 6G 분자의 회전 재배열 시간을 측정하였다. 주어진 온도에서 혼합비를 변화시키면서 측정한 결과, PEG/H/sub 2/O와 PVP/C/sub2/H/sub 5/OH에서 각각 회전 이완 시간이 혼합액의 점성도에 선형적으로 비례하지 않는 것으로 관측되었다. 고분자 주의에 cluster가 형성된다는 관점에서 혼합비에 따른 회전 이완 시간의 변화를 설명하였다.

• 한국결정학회지
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• 제2권1호
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• pp.12-16
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• 1991

p-dimethylaminobenzaldehyde 4-(p-ethoxyphenyl) thiosemicarbazone, C18H22N4OS의, 단위포상수는 단사정계 a=11.802(2), b=31.962(2), c=9.829(2)A, β=100.12(1)˚, V=3694.8A3이며 F(000)=1472, Mr=342.47, 공간군은 P2₁/c, Z=8, Dx=1.246 Mg m-3, Dm=1.17Mg m-3, μ=0.15mm-1이다. T=294 K에서 Mo Ka(λ=0.71073 A)을 사용하여 최종 R값은 0.0856이다. 비대칭단위내의 두개 분자간의 구조상의 큰차이는 C(9)-N(1)-C(6)-C(7)의 비틀림각이 각각 58.8(8)˚와 1(1)˚인것으로, 각 분자는 길이가 각각 2.613(7)과 2.566(7) A인 N(1)-H(10)'N(3) 분자내 수고결합을 하고 있으며 각 분자는 N(2)원자를 정점으로 하여 V-모양을 하고 있다. 독립적인 두 분자는 두개의 분자간 수소 결합 N(2)-H(11)'S'=3.367(5) A과 N(2')-H(11')'S=3.421(4)A으로 연결되어 이중체(dimer)를 형성하고 있으며 그 이중체들은 van der Waals력으로 결합되어 있다.

• 전기전자학회논문지
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• 제25권1호
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• pp.1-9
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• 2021

본 논문에서는 고전압, 고전류 동작에 적합한 4H-SiC UMOSFET에 대해서 연구하였다. 일반적으로 SiO2는 SiC MOSFET에서 gate dielectric으로 가장 많이 사용되는 물질이다. 하지만 4H-SiC보다 유전 상수 값이 2.5배 낮아서 높은 전계를 갖게 되므로 SiO2/SiC 접합 부분에서 열악한 특성을 갖는다. 따라서 high-k 물질을 gate dielectric으로 적용한 소자를 SiO2를 적용한 소자와 TCAD 시뮬레이션을 통해 전기적 특성을 비교하였다. 그 결과 BV 감소, VTH 감소, gm 증가, Ron 감소를 확인하였다. 특히 온도가 300K일 때, Al2O3와 HfO2의 Ron은 66.29%, 69.49%가 감소하였으며 600K일 때도 39.71%, 49.88%가 감소하였다. 따라서 Al2O3와 HfO2가 고전압 SiC MOSFET의 gate dielectric 물질로써 적합함을 확인하였다.