Low-temperature carbon dioxide stripping by a vacuum membrane stripping technology was studied as a substitute for the stripping process in a conventional aqueous amine process. Composite membranes with $5{\mu}m$ thickness of PDMS (polydimethylsiloxane) dense layer on a PE (polyethylene) support layer were prepared by a casting method and used as a membrane contactor for $CO_2$ stripping. Aqueous amine solutions of 30 wt% MEA (monoethanolamine) were used as absorbents. $CO_2$ flux was examined under various operating conditions by varying the vacuum pressure (60~360 mmHg (abs.)), stripping temperature ($25{\sim}80^{\circ}C$), $CO_2$ loading (0.5~0.7). $CO_2$ stripping flux increased with increasing temperature and $CO_2$ loading as well as decreasing vacuum pressure. PDMS-PE composite membrane has stability for vacuum stripping process compared with PTFE porous membrane.
For the simultaneous methane recovery and $CO_2$-stripping, we have been developed dual vent auto circulation bubble lift column reactor, and evaluate optimum conditions for monoethanolamine (MEA) solutions as a $CO_2$ absorbent. At the 5 wt% MEA solution, we investigated the pH change during $CO_2$-stripping and absorption reaction, $CO_2$-stripping rate with reaction time, methane recovery efficiency for various inflow rates of air, $CO_2$-stripping rate for flow liquid over flow height, and $CO_2$-stripping dependency on the temperature of absolvent solutions. The suggested optimum conditions for $CO_2$ recovery with MEA in the dual vent auto circulation bubble lift column reactor were 40 mm over flow liquid height, 1.5 L/min of air inflow rate, and $25^{\circ}C$ of absorbent solution temperature.
A high-dose ion-implanted photoresist (HDIPR) was stripped off from the surface of a semiconductor wafer by using a mixture of supercritical carbon dioxide and a co-solvent. The additional ultrasonication improved the stripping efficiency remarkably and thus reduced the stripping time by supplying physical force to the substrate. We investigated the effect of co-solvents, co-solvent concentration, and stripping temperature and pressure on the stripping efficiency. The wafer surfaces before and after stripping were analyzed by scanning electron microscopy and by an energy dispersive X-ray spectrometer. The HDIPR could be stripped off completely in 3 min with 10%(w/w) acetone/sc$C0_2$ mixture at 27.6 MPa and 343 K.
The D2EHPA/TBP co-extractants immobilized PolyHIPE membrane can be used for the selective separation of Mn (II) from Co (II). By solvent-nonsolvent method, D2EHPA/TBP co-extractants can be effectively immobilized into PolyHIPE membrane. The pore structure of PolyHIPE membrane and the presence of TBP enhance the stability of immobilized co-extractants. The optimal operating conditions for the separation of Mn (II) and Co (II) are feeding phase at pH 5.5, sulfuric acid concentration in the stripping phase of about 50 g/L and stirring speed at 400 rpm. The D2EHPA/TBP co-extractants ratio of 5:1 shows synergetic effect on Mn/Co separation factor about 22.74. The removal rate and recovery rate of Mn (II) is about 98.4 and 97.1%, respectively, while for Co (II) the transport efficiency is insignificant. The kinetic study of Mn (II) transport shows that high initial flux, $J_f^o=80.1({\mu}mol/m^2s)$, and maxima stripping flux, $J_s^{max}=20.8({\mu}mol/m^2s)$, can be achieved with D2EHPA/TBP co-extractants immobilized PolyHIPE membrane. The stability and reusability study shows that the membrane can maintain a long term performance with high efficiency. High purity of Co (II) and Mn (II) can be recovered from the feeding phase and stripping phase, respectively.
The result of stripping process for the removal of the post etch/ash Photoresist (PR) residue on an aluminum patterned wafer by using supercritical $CO_2$ ($sc-CO_2$) mixture, was investigated by scanning of electron microscope (SEM) inspection of wafer, measuring the cloud points and visual observation of the state of $sc-CO_2$ mixtures. It was found that $sc-CO_2$ mixtures were made by mixing additives and $sc-CO_2$ should form homogeneous and transparent phase (HTP) in order to effectively and uniformly remove the post etch/ash PR residue on the aluminum patterned wafer using them. The additives were formulated by mixing and co-solvents like an amine compound and fluorosurfactants used as HTP agents, and the PR residue on the wafer were able to be rapidly and effectively removed using the $sc-CO_2$ mixture of HTP. The five kinds of additives were formulated by the recipe of mixing co-solvents and surfactants, which were able to remove PR residue on the wafer by mixing with $sc-CO_2$ at the stripping temperature range from 40 to $80^{\circ}C$. The five kinds of $sc-CO_2$ mixtures which were named as PR removers were made, which were able to form HTP within the above described stripping temperature. The cloud points of $sc-CO_2$ mixtures were measured to find correlation between them and HTP.
This study was done to evaluate the changes of enamel surface by interproximal stripping and recovery of it by polishing. The number of 34 1st premolars which had extracted for orthodontic treatment were selected as samples. Interproximal stripping was performed by hand with metal strip and strip placer (Dentaurum Co., Germany) and low speed handpiece with diamond disk (Superdiaflex, Germany). Polishing was performed by hand with plastic strip (3M Col) and low speed handpiece with whip-mix, DCPA (Dicalcium Phosphate, Anhydrous, $CaHPO_4$) powder and Sof-lex (3M Co. U.S.A.) polishing kit. Each groups were examined under the scanning electron microscope (JEOL Co., JSM-840A, Japan) and the following results were obtained: 1. The stripped group performed by metal strip and diamond disk altogether showed deep furrow on the enamel surface as wide as about $10{{\mu}m}$. 2. There could be seen more irregular scratched line in the group stripped by metal strip than that by diamond disk. 3. The polished group performed by plastic strip and DCPA powder showed slight smoothening of the edge of stripped furrow on the enamel surface without relation to the stripping method. 4. The polished group performed by Sof-lex progressive polishing kit could not avoid the formation of the furrows on the enamel surface according to the particle size without relation to the stripping method. 5. The polished group performed by the superfine polishing wheel, the final stage of Sof-lex polishing method showed shallow scratched line as wide as within about $2{{\mu}m}$ on the enamel surface without relation to the stripping method. 6. The interproximal stripped enamel surface could not recover its original surface texture by any kind of polishing methods.
Journal of Nuclear Fuel Cycle and Waste Technology(JNFCWT)
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v.4
no.4
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pp.311-320
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2006
Removal characteristics of $H^{14}CO_3$ ion from IRN-150 mixed resin contaminated with $^{14}C$ radionuclide and a gasification behavior of $^{14}C$ radionuclide to $^{14}CO_2$ were investigated. The stripping solutions used for the removal of $^{14}C$ from spent resin were $NaNO_3,\;Na_3PO_4,\;NH_4H_2PO_4,\;H_3PO_4$. The influence of stripping solution concentration on the desorption characteristics of inactive $HCO_3$ ion into stripping solution from IRN-150 mixed resin and the gasification of this ion to $CO_2$ was analyzed. The gasification behavior to $CO_2$ by using NaOH, $HNO_3$, HCl was also compared to that of phosphate solution. Real spent resin stored in Wolsung nuclear power plant was used to evaluate the gasification characteristics of $^{14}C$ radionuclide to $^{14}CO_2$. Gamma radionuclides such as $^{137}Cs,\;^{60}Co$ in residual striping solutions after desorption experiment were analyzed.
Park, Seung-Chul;Cho, Hang-Rae;Lee, Ji-Hoon;Yang, Ho-Yeon;Yang, O-Bong
Nuclear Engineering and Technology
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v.46
no.6
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pp.847-856
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2014
Spent resin waste containing a high concentration of $^{14}C$ radionuclide cannot be disposed of directly. A fundamental study on selective $^{14}C$ stripping, especially from the IRN-150 mixed bed resin, was carried out. In single ion-exchange equilibrium isotherm experiments, the ion adsorption capacity of the fresh resin for non-radioactive $HCO_3{^-}$ ion, as the chemical form of $^{14}C$, was evaluated as 11mg-C/g-resin. Adsorption affinity of anions to the resin was derived in order of $NO_3{^-}$ > $HCO_3{^-}{\geq}H_2PO_4{^-}$. Thus the competitive adsorption affinity of $NO_3{^-}$ ion in binary systems appeared far higher than that of $HCO_3{^-}$ or $H_2PO_4{^-}$, and the selective desorption of $HCO_3{^-}$ from the resin was very effective. On one hand, the affinity of $Co^{2+}$ and $Cs^+$ for the resin remained relatively higher than that of other cations in the same stripping solution. Desorption of $Cs^+$ was minimized when the summation of the metal ions in the spent resin and the other cations in solution was near saturation and the pH value was maintained above 4.5. Among the various solutions tested, from the view-point of the simple second waste process, $NH_4H_2PO_4$ solution was preferable for the stripping of $^{14}C$ from the spent resin.
This study aims at finding out pertinent reaction conditions for treating high concentration ammonia contained in N-chemical factory wastewater with decompressed ammonia stripping method that was designed. And it also tries to investigate adsorption capability of removed ammonia to soil. The results from experiments are as follows ; 1. The removal rate of N $H_3$-N of synthetic wastewater was under 85% at pH 10 with decompressed ammonia stripping method. The reaction time in pressure 360 mmHg at pH 11 and 12 was shorter than in 460 mmHg, and the removal rate of N $H_3$-N with decompressed ammonia stripping method at 9$0^{\circ}C$ was 11~15% higher than air stripping 2. The optimum conditions for decompressed ammonia stripping with synthetic sample were shown as pH 12, temperature 9$0^{\circ}C$, internal reaction pressure 460 mmHg and reaction time 50 minutes. These conditions were applied to treat the wastewater containing organic-N 290.5mg/$\ell$, N $H_3$-N 168.9mg/$\ell$, N $O_2$-N 23.2mg/$\ell$, N $O_3$-N 252.4mg/$\ell$, T-N 735mg/$\ell$. Organic-N turned out to be removed 60%, the removal rate of N $H_3$-N IS 94%, T-N is 50%. But N $O_2$-N and N $O_3$-N were increased with 7.8% and 14.9% respectively. 3. The CO $D_{Sr}$ removal rate in decompressed ammonia stripping reaction was 42% and S $O_4$$^{2-}$ was removed 8.2%. It was turned out caused with higher pH and thermolysis. 4. In soil adsorption of ammonia desorbed from the decompressed stripping process of wastewater, the recovery rate was 76% in wet soil.
Galaxies are known to evolve passively in the cluster environment. Indeed, much evidence for HI stripping has been found in cluster galaxies to date, which is likely to be connected to their low star formation rate. What is still puzzling however, is that the molecular gas, which is believed to be more directly related to star formation, shows no significant difference in its fraction between the cluster population and the field galaxies. Therefore, HI stripping alone does not seem to be enough to fully understand how galaxies become passive in galaxy clusters. Intriguingly, our recent high resolution CO study of a subsample of Virgo spirals which are undergoing strong ICM pressure has revealed a highly disturbed molecular gas morphology and kinematics. The morphological and kinematical peculiarities in their CO data have many properties in common with those of HI gas in the sample, indicating that strong ICM pressure in fact can have impacts on dense gas deep inside of a galaxy. This implies that it is the molecular gas conditions rather than the molecular gas stripping which is more responsible for quenching of star formation in cluster galaxies. In this study, using multi transitions of 12CO and 13CO, we investigate the density and temperature distributions of CO gas of a Virgo spiral galaxy, NGC 4402 to probe the physical and chemical properties of molecular gas and their relations to star formation activities.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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