• 열처리공학회지
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• 제35권2호
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• pp.57-65
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• 2022

In this study, the effect of the initial particle size distribution (PSD) of (K_0.5Na_0.5)NbO₃ powders on the microstructure of sintered ceramics was investigated. (K_0.5Na_0.5)NbO₃ powders with uni-, bi-, tri-, and quad-modal PSDs were obtained through a planetary ball-mill. For the specimens sintered at 1080℃, the growth of abnormal grains was promoted from the powders exhibiting quad- and tri-modal PSDs with a high content of large particles, resulting in a microstructure in which huge abnormal grains were predominant. However, as the number of peaks in PSD and the overall particle size decreased, the abnormal grain growth was suppressed and the grain growth of small particles started, resulting in a microstructure with a uniform grain size. For the specimens sintered at 1100℃, huge abnormal grains were not observed due to the decrease in the critical driving force for 2D nucleation even when powders with quad- and tri-modal PSDs were used. It was confirmed that when powder with unimodal PSD was used, a uniform microstructure that was not significantly affected by the sintering temperature could be obtained. The results of this study demonstrate that the microstructure of (K_0.5Na_0.5)NbO₃-based ceramics can be controlled by controlling the particle size of the initial powder.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1553-1555
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• 1999

Recently, $SrBi_2Ta_2O_9$(SBT) and $Pb(ZrTi)O_3$(PZT) were much attracted as materials of capacitor for ferroelectric random access memory(FRAM) showing higher read/write speed, lower power consumption and nonvolartility. Bi-layered SBT thin film has appeared as the most prominent fatigue free and low operation voltage for use in nonvolatile memory. To highly integrate FRAM, SBT thin film should be etched. A lot of papers on SBT thin film and its characteristics have been studied. However, there are few reports about SBT thin film due to difficulty of etching. In order to investigate properties of etching of SBT thin film, SBT thin film was etched in $CF_4$/Ar gas plasma using magnetically enhanced inductively coupled plasma (MEICP) system. When $CF_4/(CF_4+Ar)$ is 0.1, etch rate of SBT thin film was $3300{\AA}/min$, and etch rate of Pt was $2495{\AA}/min$. Selectivities of SBT to Pt. $SiO_2$ and photoresist(PR) were 1.35, 0.6 and 0.89, respectively. With increasing $CF_4$ gas, etch rate of SBT thin film and $P_t$ decreased.

• 한국재료학회지
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• 제30권10호
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• pp.502-508
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• 2020

This paper focuses on the electrical properties and stability against DC accelerated aging stress of ZnO-V₂O₅-MnO₂-Nb₂O₅-Bi₂O₃-Co₃O₄-Dy₂O₃ (ZVMNBCD) varistor ceramics sintered at 850 - 925 ℃. With the increase of sintering temperature, the average grain size increases from 4.4 to 11.8 mm, and the density of the sintered pellets decreases from 5.53 to 5.40 g/㎤ due to the volatility of V₂O₅, which has a low melting point. The breakdown field abruptly decreases from 8016 to 1,715 V/cm with the increase of the sintering temperature. The maximum non-ohmic coefficient (59) is obtained when the sample is sintered at 875 ℃. The samples sintered at below 900 ℃ exhibit a relatively low leakage current, less than 60 mA/㎠. The apparent dielectric constant increases due to the increase of the average grain size with the increase of the sintering temperature. The change tendency of dissipation factor at 1 kHz according to the sintering temperature coincides with the tendency of the leakage current. In terms of stability, the samples sintered at 900 ℃ exhibit both high non-ohmic coefficient (45) and excellent stability, 0.8% in 𝚫E_B/E_B and -0.7 % in 𝚫α/α after application of DC accelerated aging stress (0.85 E_B/85 ℃/24 h).

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.115-115
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• 1999

GaN는 직접천이형 wide band gap(3.4eV) 반도체로서 청색/자외선 발광소자 및 고출력 전자장비등에의 응용성 때문에 폭넓게 연구되고 있다. 이러한 넓은 분야의 응용을 위해서는 열 적으로 안정된 Ohmic contact을 반드시 실현되어야 한다. n-type GaN의 경우에는 GaN계면에서의 N vacancy가 n-type carrier로 작용하기 때문에 Ti, Al, 같은 금속을 접합하여 nitride를 형성함에 의해서 낮은 접촉저항을 갖는 Ohmic contact을 하기가 쉽다. 그러나 p-type의 경우에는 일 함수가 크고 n-type와 다르게 nitride가 형성되지 않는 금속이 Ohmic contact을 할 가능성이 많다. 시료는 HF(HF:H2O=1:1)에서 10분간 초음파 세척을 한 후 깨끗한 물에 충분히 헹구었다. 그런 후에 고순도 Ar 가스로 건조시켰다. Pd와 Ni은 열적 증착법(thermal evaporation)을 사용하여 p-GaN에 상온에서 증착하였다. 현 연구에서는 열처리에 의한 Pd의 clustering을 줄이기 위해서 wetting이 좋은 Ni을 Pd 증착 전과 후에 삽입하였으며, monchromatic XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) 와 SAM(scanning Auger microscopy)을 사용하여 열처리 전과 40$0^{\circ}C$, 52$0^{\circ}C$ 그리고 695$0^{\circ}C$에서 3분간 열처리 후의 온도에 따른 morphology 변화, 계면반응(interfacial reaction) 및 벤드 휨(band bending)을 비교 연구하였다. Nls core level peak를 사용한 band bending에서 Schottky barrier height는 Pd/Ni bi-layer 접합시 2.1eV를, Ni/Pd bi-layer의 경우에 2.01eV를 얻었으며, 이는 Pd와 Ni의 이상적인 Schottky barrier height 값 2.38eV, 2.35eV와 비교해 볼 때 매우 유사한 값임을 알 수 있다. 시료를 후열처리함에 의해 52$0^{\circ}C$까지는 barrier height는 큰 변화가 없으나, $650^{\circ}C$에서 3분 열처리 후에 0.36eV, 0.28eV 만큼 band가 더 ？을 알 수 있었다. Pd/Ni 및 Ni/Pd 접합시 $650^{\circ}C$까지 후 열 처리 과정에서 계면에서 matallic Ga은 온도에 비례하여 많은 양이 형성되어 표면으로 편석(segregation)되어지나, In-situ SAM을 이용한 depth profile을 통해서 Ni/Pd, Pd/Ni는 증착시 uniform하게 성장함을 알 수 있었으며, 후열처리 함에 의해서 점차적으로 morphology 의 변화가 일어나기 시작함을 볼 수 있었다. 이는 $650^{\circ}C$에서 열처리 한후의 ex-situ AFM을 통해서 재확인 할 수 있었다. 이상의 결과로부터 GaN에 Pd를 접합 시 심한 clustering이 형성되어 Ohoic contact에 문제가 있으나 Pd/Ni 혹은 Ni/Pd bi-layer를 사용함에 의해서 clustering의 크기를 줄일 수 있었다. Clustering의 크기는 Ni/Pd bi-layer의 경우가 작았으며, $650^{\circ}C$ 열처리 후에 barrier height는 Pd/Ni bi-layer의 경우에도 Ni의 영향을 받음을 알 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제24권3호
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• pp.71-75
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• 2014

정비조성으로 성장시킨 $LiTaO_3$ 단결정 및 비정비조성으로 성장시킨 $LiTaO_3$ 단결정 내에 불순물로 도핑된 $Fe^{3+}$ 상자성 불순물 이온의 바닥 상태에서의 에너지 준위를 계산하였다. $LiTaO_3$ 단결정 내에서 육방정계 대칭성을 갖는 $Fe^{3+}$ 이온의 전자 상자성 공명 상수인 분광학적 분리인자 g 및 영자기장 갈라지기 D 값을 이용하여 6개의 에너지 준위 사이의 에너지 준위를 계산하였다. 자기장을 결정학적 주축 ([100], [001], [111])과 나란하게 가하여 자기장을 증가시켜 감에 따라 얻은 에너지 준위 갈라지기는 자기장을 가한 방향에 따라서 서로 다른 값을 나타내었다. ${\mid}{\pm}5/2$ > ${\leftrightarrow}{\mid}{\pm}3/2$ >및 ${\mid}{\pm}3/2$ > ${\leftrightarrow}{\mid}{\pm}1/2$ > 사이의 전이에서 계산한 영자기장 갈라지기 값은 정비조성으로 성장시킨 $LiTaO_3$ 단결정과 비정비조성으로 성장시킨 단결정의 경우에 각각 12.300 GHz, 6.150 GHz와 59.358 GHz, 29.679 GHz이다. 결정성장 조건에 따라 에너지 준위가 상당히 다른 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.100-100
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• 2009

ZnO 바리스터는 정전기 및 순간적인 surge로부터 전자기기 및 전자회로 등을 보호하기 위해 개발된 전자 세라믹스 소재이다. 최근 전자기기 등의 고속통신 추세에 따라 ZnO 바리스터는 높은 비선형 특성과 함께 보다 낮은 유전율 및 유전손실 특성이 특별히 요구되고 있다. 따라서 본 연구에서는 현재 양산되고 있는 Bi-계와 Pr-계 ZnO 바리스터가 아닌 새로운 조성계를 이용하여 Y 첨가량(0.1~3.0 at%)에 따른 ZnO 바리스터의 전기적 특성과 유전 특성을 살펴보았다. 시편은 일반적인 세라믹 공정에 따라 제조하여 $1200^{\circ}C$에서 3 시간 공기 중에서 소결하였으며, 소결 및 전기적 특성과 유전 특성(밀도, 미세구조, I-V 특성, 유전율, 유전손실, ZnO grain 비저항)은 FE-SEM, Keithley237, Agilent 4294a 및 Agilent 4991a 장비를 사용하여 Y 함량에 따른 ZnO 바리스터의 특성 변화를 고찰하였다. 그 결과, Y이 2.0 at% 첨가한 계의 바리스터 특성이 가장 우수하였다. 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다. Y 함량이 증가함에 따라 상대밀도는 94~96%로 증가하였으며, 평균입경은 증가하였다. 또한 유전율은 580~215 (at 1 MHz)로 Y 함량이 증가할수록 낮아졌다. 이를 통하여 새로운 바리스터 조성계에서 Y의 첨가 효과에 대하여 논하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권8호
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• pp.755-759
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• 2008

For the development of a new white dielectric layer in plasma display panel, different $TiO_2$ types as a filler was add to the $Bi_2O_3$-BaO-ZnO glass matrix. The reflectance and dielectric constant of dielectric have been investigated as a function of the mixing content (rutile and anatase), and sintering temperature. The reflectance of dielectric sintered at the 520$^{\circ}C$ appeared most highly and suitable in terms of the adhesion and reflectance of the soda-lime glasses. Also, the thermal expansion coefficient of dielectric was found to be $85.6\times10^{-7}/K$, which was similar to that of the soda-lime glasses. Especially, the dielectric constants were not increased with increasing of $TiO_2$ filler contents.

• 한국결정학회지
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• 제5권1호
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• pp.1-6
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• 1994

화합물 VP6N3018C243H60의 두 가지 가능한 공간군은 PT,a=14.O22(1), b=12.644(2), c=12.640(1)A, a=80.38(1), β=102.12(1), y =102.16(1), V=2124.1A3, Z=2, u=0.47cm-1,d==1.46g/cm3, Fo>4c IfoI인 3350윤의 독립반사강도에 대하여 R=0.083 과 C2/c, a=19.32(2), b=16.32(2), c=14.02(1)A, β= 105.98(5), V=4348.2A3, Z=4, Fo>4o IFoI인 1590개의 독립반사강도에 대하여 R=0.083 이다. 주간군 Pi의 경우 단위포내에 두 분자가 있는데 각 분자내의 바나둠 원자가 특수치치에 있어 중심대칭에 의하여 한 분자를 이루고 있으므로 단위포내의 비대칭단위는 두개의 bis(timetalhosphate)vanadate 반분자와 3개의 tetraethylammDnium분자로 되어있다. 공문군 C2/c의 경우 bis(trimetaphosphate)vanadate 한분자의 vanadium 원자가 중심대1칭을 갖는 변광단동치에 있으며, 3개의 tetrethylammonium 분자중 한 분자내의 CL2, N2, C25 원자들을 2-회회전대칭축이 지나므로 bis(trimetaphosphate)vanadate 반분자와 tetraethylammonium 3/2 분자가 비대칭단위를 이루고 있다. 두 경우 공히 vanadium원자를 배위하고 있는 6개의 산소원자가 8함체를 이루며 nitrogen원자와 결합하고 있는 4개의 carbon 원자들은 모두 disorder되어 있어 nitrogen원자의 주권에 있는 8개의 carbon 원자들은 불규칙한 12면체를 이루고 있다.

• 자원환경지질
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• 제29권2호
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• pp.139-150
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• 1996

The Yucheon Bi deposits at Cheongha, Gyeongsangbugdo, is of a middle Paleogene (49 Ma) vein type, and is hosted in sandstone and shale of Banyawal formation in Cretaceous age. Based on mineral paragenesis, vein structure and mineral assemblages, two minera1ization stages were distinguished. The stage I consists of quartz with small amount of chlorite, pyrite, epidote, hal1oysite, vermiculite, serpentine and rutile associated with sericitization. The stage II is characterized by Bi minera1ization such as bismuthinite, Bi-Cu-Pb-S mineral, tetradymite, native gold, pyrite, pyrrhotite, arsenopyrite, wolframite, rutile, hematite, sphalerite, chalcopyrite, galena with alteration of sericite, chlorite, K-feldspar, albite and epidote. Fluid inclusion data indicate that fluid temperature and NaCl equivalent wt.% salinity range from 431 to $150^{\circ}C$ and from 19.2 to 0.18wt.% in the stage II. Evidence of boiling during the base-metal minera1ization indicates pressures 241 to 260 bars. Sulfur fugacity($-log\;f_{S2}$) deduced by mineral assemblages and compositions ranges from 5.1 to 5.7atm in early stage, from > 8.4 atm in middle stage and from 13.5 to 19.3 atm in late stage. It suggests that complex histories of progressive coo1ing, dilution and boiling were occurred by the mixing of the fluids. The ${\delta}^{34}S$, ${\delta}^{18}O$ and ${\delta}D$ data range from 2.5 to 3.9%, -0.5 to -4.1% and -29.7 to -47%, respectively. It indicated that hydrothermal fluids may be magmatic origin with boiling and mixing of meteoric water increasing paragenetic time.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제23권3호
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• pp.223-229
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• 2006

Methanol and formaldehyde were produced directly by the partial oxidation of methane over mixed oxide catalysts. The catalysts were composed of Mo and Bi with late-transition metals, such as Mn, Fe, and Co. The reaction was carried out at $450^{\circ}C$, 50 bar in a fixed-bed differential reactor. The prepared catalysts were characterized by $O_2-TPD$ and BET apparatus. Among the catalysts used, the catalyst composed of 1:1:2.5 molar ratio of Mo:Bi:Mn showed the best methane conversion and methanol selectivity. The change in ratio of methane to oxygen affected at the conversion and selectivity, and the most proper ratio was 10:1.5. Methane conversion, methanol and formaldehyde selectivities increased with the surface areas of the catalysts. From the $O_2-TPD$ result, it was found that the oxygen species responsible for this reaction might be the lattice oxygen species desorbed at high temperature around $800^{\circ}C$.