Amorphous ferrites with composition B2O3-mBaO-nFe2O3 were prepared by an ultra rapidquenching technique. X-ray patterns and SEM reveal the products to be amrophous at room temperature. BaFe12O19 fine particles extracted from amorphous Ba-ferrites which additived Al2O3, SiO2, TiO2 and CoO have narrow size distribution, average 0.2$\mu\textrm{m}$, and coercive force, average 1400 Oe, increased with increasing TiO2 amounts. The obtained BeFe12O19 fine particles would be appreciated as perpendicular magnetic recording media.
The solubility of $TiO_2$ in $NaF-CaF_2-BaF_2$ ternary eutectic melts was investigated at the temperature range of $1025-1150^{\circ}C$. The least-squares equation was obtained from the relationship between the reciprocal temperature and the natural logarithm of the titanium concentration in the melts saturated with $TiO_2$. The corresponding partial molar enthalpy of dissolution of $TiO_2$ was found to be 188 kJ/mol. The titanium saturation concentration was 3.73 wt% at $1100^{\circ}C$. From the titanium concentration change with the added amount of $TiO_2$ at different holding time after a final stirring, it was found that not only complete dissolution of $TiO_2$ but also enough sedimentation of excessive $TiO_2$ should be guaranteed to obtain more reliable solubility data. The holding time of 10 h was found to be enough for the excessive $TiO_2$ particles to settle down in our experimental conditions. It is noteworthy that in case of adding $TiO_2$ in excess of its solubility, the $Ba_{1.12}(Ti_8O_{16})$ phase was observed at the lower and bottom of the solidified salt ingots.
As a primary material for MLCC, $BaTiO_3$ particles coated with two additives in a core-shell structure were prepared in this study. This composite powder can not only reduce the VOC emission during MLCC manufacture but also increase the density and reliability of electronic products. The additives were $Y_2O_3$ and $MnCO_3$, whose composition information was obtained from domestic companies. It was observed that the surface of $BaTiO_3$ particles was uniformly as well as simultaneously coated by those two materials via urea-decomposition reaction over $70^{\circ}C$ as the reaction temperature. Elemental analysis indicated that the measured content of each additve was quite close to the designated value. The effect of polymeric dispersant such as PVP, on the coating characteristics was not as significant as expected.
$BaTiO_3$ fine powder was synthesized by hydrothermal process from the mixture of titania-hydroxide($TiO_2{\cdot}xH_2O$) and barium hexa-hydroxide ($Ba(OH)_2{\cdot}8H_2O$) as starting materials. Fine powder(< 100 nm) was made under the reaction conditions of 18$0^{\circ}C$,10 atm, 1.5 hr in autoclave and showed cubic structure. The powders were sintered by a spark plasma sintering technique from 1050~115$0^{\circ}C$ for 5 min. The grains of sample sintered at 110$0^{\circ}C$ were about 0.9${\mu}m$ in average size and showed the mixture of cubic and tetragonal structures.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.162-162
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2013
Magnetic properties of 3d transition metals were determined by exchange interaction between magnetic ions that was characterized by the exchange integral. Bulk Mn material is one of transition metals that have been well known as an anti-ferromagnetic material due to an anti-parallel spin with negative exchange integral. Here we report on the MBE growth of Mn on $BaTiO_3$ (001) substrate and induced ferromagnetism. The bcc ${\alpha}$-Mn single crystal film has been grown on $BaTiO_3$ (100) substrate. The XRD and Raman results indicated that the structural phase transitions of $BaTiO_3$ substrate induced a lattice distortion at the interface. Consequently, the grown Mn film exhibits ferromagnetism with strong saturation magnetization of 495 emu/$cm^3$ at 320 K. The electrical resistivity of the Mn film strongly depended on the crystal structure of $BaTiO_3$ substrate.
Zr modified $(Ba_{1-x},Sr_x)TiO_3$ thin films as capacitor for high density DRAM were deposited by r.f. magnetron sputtering. The films deposited at various chamber pressure exhibited a polycrystalline structure. The Zr/Ti ratio of the films increased significantly with decreasing the chamber pressure and this variation affected the microstructure and surface roughness of films When chamber pressure increased dielectric constant of the films effected due to decrease of Zr. The thin films prepared in this study show dielectric constant of 380 to 525 at 100KHz. The variation of capacitance and polarization measured as a function of bias voltage suggested that all films were paraelectric phases. Leakage current exhibited smaller value as chamber pressure decrease and the leakage current density of the films deposited above 10mTorr was $10^{-7}~10^{-8}A/cm^2$ order at 200kV/cm. $(Ba_{1-x},Sr_x)(Ti_{1-y},Zr_y)O_3$ thin films in this study appeared to be potential thin film capacitor for high density DRAM.
(Ba,Sr)$TiO_3$ thin films were etched with $Cl_2$/Ar gas mixing ratio in an inductively coupled plasma (ICP) by varying the etching parameter such as f power, do bias voltage, and chamber pressure. The etch rate was $560{\AA}/min$ under Cl_2/(Cl_2+Ar)$ gas mixing ratio of 0.2, rf power of 600 W, do bias voltage of 250 V, and chamber pressure of 5 mTorr, At this time, the selectivity of BST to Pt, $SiO_2$ was respectively 0.52, 0.43. The surface reaction of the etched (Ba,Sr)$TiO_3$ thin films was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
The structural characteristics of an epitaxial $BaTiO_3$ film on MgO(001) grown by sputtering were studied as a function of temperature using in-situ, real time synchrotron x-ray scattering experiments. We found that the as-grown film was single c-domain but strained at room temperature and tetragonally distorted with the c-axis normal to the film surface. Interestingly, its lattice parameters were found to be expanded in both the in-plane and the out-of -plane directions, i.e. biaxially, comparing with those of a bulk $BaTiO_3$ . More importantly, as it was heated up to $600^{\circ}C$, the tetragonal structure was kept up through without and any phase transition, which is usually observed in other epitaxial ferroelectric thin films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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