• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1993.07a
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• pp.60-61
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• 1993

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1993.05a
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• pp.143-143
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• 1993

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2003.12a
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• pp.144-144
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• 2003

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1998.08a
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• pp.115.2-115
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• 1998

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1998.11a
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• pp.57-57
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• 1998

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.05a
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• pp.169-170
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• 2008

The heterolayered PZT/PT thick films were fabricated by two different methods - thick films of the PZT by screen printing method on alumina substrates electrodes with Pt, thin films of $PbTiO_3$ by the spin coating method on the PZT thick films and once more thick films of the PZT by the screen printing method on the $BaTiO_3$ layer The structural and the dielectric properties were investigated for effect of various stacking sequence of sol-gel prepared $PbTiO_3$ coating solution at interface of the PZT thick films. The insertion of $PbTiO_3$ interlayer yielded the PZT thick films with homogeneous and dense grain structure with the number of $PbTiO_3$ layers. The leakage current density of the PZT/$PbTiO_3-1$ film is less that $4.41{\times}10^{-9}\;A/cm^2$ at 5 V.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.17 no.7
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• pp.386-389
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• 2007

The dielectric properties of $(Ba_{0.5}Sr_{0.5})TiO_3$ ferroelectric thin films have been investigated according to the substrates in order to optimize the their properties. MgO, r-plane sapphire, and poly-crystalline sapphire (Alumina) substrates have been used to deposite $(Ba_{0.5}Sr_{0.5})TiO_3$ ferroelectric thin films by RF magnetron sputtering. The BST thin films deposited on the single crystal (100)MgO substrates have high tunability and low dielectric loss. These results are caused by a low misfit between the lattice parameters of the BST films and the substrate. The BST films deposited on r-plane sapphire have relatively high misfit, and the tunability of 17% and dielectric loss of 0.0007. To improve the dielectric properties of the BST films, the post-annealing methods has been introduced. The BST films deposited on (100)MgO, (1102)r-plane sapphire, and poly-crystalline sapphire substrates have best properties in post-annealing conditions of $1050^{\circ}C$, $1100^{\circ}C$, and $1150^{\circ}C$, respectively. The different optimal post-annealing conditions have been found according to the different misfits between the films and substrates, and thermal expansion coefficients. Moreover, the films deposited on alumina substrate which is relatively cheap have a good tunability properties of 23% by the post-annealing.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2000.11a
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• pp.22-22
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• 2000

DRAM의 고접적화에 따라 기존의 반도체 공정에서 사용중인 여러 가지 기술들이 대부분 그 한계를 보이고 었으며, 대표적인 것이 캐퍼시터 형성기술이다. 따라서 1G DRAM급 이상의 초고집적 회로를 실용화하기 위해서 유전율이 높은 BST ($BrSrTiO_3$) 박막을 이용하여 캐패시터를 제조하려는 기술도 반드시 해결되어야 현재 활발히 실용화 연구가 진행중에 있다. BST 박막을 제조하는 방법은 RF magnetron sputtering, Ion beam reactive co-evaporation, LSM (Liquid Source Misted) CVD, MOCVD 등의 법으로 제조되고 있다. 본 연구에서는 전기-수력 학적 분무(Electro-Hydrodynamic Spray)현상을 이용한 MOCVD에 BaO, SrO, $TiO_2$ 박막을 증착 하여 전기장세기, 기판온도, 시간 등에 따른 특성을 조사하였다. 전기수력학적 분무를 이용한 증착법은 원료를 함유하는 용액을 이용함으로써 이송관의 가열이 필요 없이 장치를 간단하게 할 수 있고, 용액의 유량과 전기장의 세기에 따라 초미세 입자제어도 가능하며, 박막의 조성을 출발 용액으로 부터 조절하는 등의 특징을 가지고 있다. 증착한 박막의 표면, 단면 형상 및 조성을 분석하였고 결정화 여부 및 우선 배향성을 조사하였다. 현재는 개별 박막의 표현 형상과 조성에 대한 연구 결과를 얻었으며, 계속해서 박 막의 여러 특성에 대하 연구할 계획이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.36-36
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• 2007

$R_2O_3$(R=Bi, B)-RO(R=Ba, Zn)를 주성분으로 하는 Pb-free유리프리트에 높은 굴절률을 가지고 있는 $TiO_2$ filler를 첨가하여 PDP용 백색유전체를 제조하였다. $TiO_2$ type, 함량에 따른 백색유전체로의 반사율 및 유전 특성을 조사하였다. 백색유전체를 소성한 결과 rutile과 anatase를 중량비로 75:25로 혼합하여 $520^{\circ}C$에서 소성한 경우 밀도 및 수축율의 변화를 거의 나타나지 않았다. 그러나 $TiO_2$함량이 15wt.%를 혼합하여 첨가했을 경우 반사율은 높고 접합특성 또한 우수하였다. 또한, 유전상수는 $TiO_2$첨가량이 증가함에 따라 증가하는 경향을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.30-30
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• 2008

Lead-free piezoelectric ceramics 0.97$(Na_{0.5}K_{0.5})NbO_3$-0.03Ba$(Ti_{1-x}Sn_x)O_3$ [NKN-BTS-x] ceramics doped with 1 mol% $MnO_2$ have been fabricated by a sintering technique with muffling. The $MnO_2$-doped NKN-BTS-x ceramics with x$\leq$0.2 have pure orthorhombic perovskite structure at room temperature. The dense microstructure was developed with grain growth as an increase of amount of Sn. Moreover, the addition of Sn was found to have a significant influence on piezoelectric properties. In particular, the $MnO_2$-doped NKN-BTS-0.1 ceramics showed improved piezoelectric properties of piezoelectric constant ($d_{33}$=145pC/N), relatively large electromechanical coupling factor ($k_p$=43%), dielectic constant (${\varepsilon}^T_{33}/{\varepsilon}_0$=676) dielectric loss (tan$\delta$=1.3%).