비구형 입자들의 크기와 형태에 따른 침강 특성의 영향을 검토하였다. 비구형입자를 포함하는 서스펜션의 침강에서 $log \mu_{c}$대 $log \varepsilon$로부터 얻은 기울기 지표n값은 형태와 크기가 다른 입자는 같은 부피 농도에서 흡착되는유체량이 달라져 입자크기가 감소하거나 불균일한 경우 증가하는 경향을 나타내었다. 실험결고 비구형입자를 포함하는 서스펜션의 침강에서 기울기 지표 $n_{i}$값에 대하여 $n_{i}=n(a+b/d_{v})$와 같은 식을 얻었으며 이때 a, b는 입자형태에 따른 상수이다.
The characteristics of interface layer and the effect of mole fraction of inlet gas mixture($B_2H_6/H_2/N_2/TiCl_4$) on the microstructure of Ti(B,N) films were studied by microwave plasma hot filament CVD process. Ti(B,N) films were deposited on a substrate(STD-61) to develop a high performance of resistance wear coating tool. Ti(B,N) films were obtained at a gas pressure of 1 torr, bias voltage of 300 V and substrate temperature of $480^{\circ}C$ in $B_2H_6/H_2/N_2/TiCl_4$gas system. It was found that TiN, $TiB_2$, TiB and hexagonal boron nitride(h-BN) phases exist in thin layer on the STD-61.
Let ${X_i}$ be a process with stationary and independent increments whose log characteristic function is expressed as $ibut-2^{-1}\sigma^2u^2t+t\int_{{0 }^c}{(exp(iux)-1-iux(i+x^2)^{-1})dv(x)}$. Our main result is taht $x^2(\int_{\y\>x}{dv(y)})/(\int_{$\mid$y$\mid$\leqx}{y^2dv(y)+\sigma^2}) \to 1$ as $x \to 0 (resp. x \to \infty)$ is necessary, and sufficient for ${X-i}$ to have ${A_t}$ and ${B_t}$ such that $(X_t-A_t)/B_t \to^D n(0,1)$ as $t \to 0 (resp. t \to \infty)$.
We fabricated Bi-2223/Ag superconductor tape with 55 filaments and estimated the magnetic field dependence of critical current (I$_{c}$) and index n (n) up to 30 T at 4.2 K. The I$_{c}$ and n were characterized as a function of external magnetic field parallel to the tape surface on increasing and decreasing field, using a 35 T hybrid magnet. The $I_{c}$ was estimated to be 325 A, and n was 32, 22, and 26 in the electric field range of $0.1 ∼1\mu$V/cm, 1∼10 $\mu$V/cm, and 0.1∼10 $\mu$V/cm, respectively, under self-field at 4.2 K. It was observed that $I_{c}$ was dependent on magnitude of magnetic field and it decreased exponentially as the field increased; in a parallel and increasing field, It was 128 A at 30 T which is approximately 40% of critical current in self-field. In addition, the $I_{c}$ was higher on decreasing field than that on increasing one. On the other hand, n did not significantly depend on field strength up to 30 T, nor varied on whether increasing or decreasing field; n value in 0.1∼1 $\mu$V/cm was 23.0$\pm$5.2 and 27.8$\pm$8.0 on increasing and decreasing field, respectively. The n value on decreasing magnetic field was slightly higher than that on increasing field. This hysteretic behavior of n was similar to that of$ I_{c}$, which is related to the trapped flux at the grain boundary.ary.
Polycrystalline SBTN ferroelectric thin films were prepared by sol-gel method with various Nb mole ratios on Pt/ $SiO_2$/Si (100) substrates. The films were annealed at different temperatures and characterized in terms of phase and microstructure. Relatively a well saturated hysteresis pattern was obtained at x =0.2 in S $r_{0.8}$B $i_{2.3}$(T $a_{1-x}$ N $b_{x}$)$_2$$O_{9+}$$\alpha$/ thin films. At an applied voltage of 5V, the dielectric constant ($\varepsilon$$_{r}$) and dissipation factor (tan $\delta$) of typical S $r_{0.8}$B $i_{2.3}$(T $a_{1-x}$ N $b_{x}$)$_2$$O_{9+}$$\alpha$/ thin film (x=0.2) were about 236.2 and 0.034. Measured remanent polarization (2Pr) and coercive field (Ec) were 4.28C/c $m_2$, and 38.88kv/cm respectively. No fatigue was observed up to 6$\times$10$_{10}$ switching cycles at 5V and the normalized polarization reduced by a factor of only 4%.%. 4%.%. 4%.%.%.%.%.
본 논문에서는 넓은 입력 전압 범위에 걸쳐 좋은 선형성을 보여주는 가변 트랜스컨덕터를 제안한다. 제안된 트랜스컨덕터는 선형 영역에서 동작하는 입력 MOS 트랜지스터를 사용하여 회로의 구성이 간단하고 좋은 가변성을 갖고 6.8V/sub p-p/의 넓은 입력범위를 갖는다. 또한 소오스-결합 차동쌍을 이용하여 실질적인 차동입력을 제공하고 정과 부의 트랜스컨덕턴스 값을 제공한다. 제안된 회로는 1.2㎛ single poly double metal n-well CMOS 공정을 사용하여 제작되었다. 제안된 회로의 THD 특성은 V/sub DD/=-V/sub ss/=5V, I/sub B/=20, 40μA이고 입력 신호 주파수가 1KHz일 때 6V/sub p-p/의 차동 입력전압에 대해 1% 미만임을 보여준다.
The 400KN suspended insulator was fabricated with feldspar, quartz, clay and $Al_2O_3$ wt% for extra high voltage. These materials were grinded with ball milling for 25 hours after mixing them. The grinded materials were sintered at $1300^{\circ}C$ for 50 minutes in the tunnel kiln after mading with jiggering method. The sintered density of specimen was reached at 97% in comparison with that of theory. The specimen had the characteristic of temperature rise with the increase of electrical losses. Also, the flexural strength and the fracture toughness of sintered parts respectively were 1658 kg/$cm^2$ and 2.3 $MPa{\cdot}m^{1/2}$.
Effective database is the key to manage automatic distribution system. Currently, automatic distribution system database has been studied with a relational concept. But, it is hard to describe the characteristic of automatic distribution system data which require real time management and composite type. This paper present the way how to design conceptual schema for EMS database using object-oriented concept which is free to decribe composite data type and support inheritance concept.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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