본 연구는 VEGF로 유발된 랫드 각막 미세낭 모델에서 As₄O/sub 6/와 As₂O₃ 혈관신생 억제효과를 비교하기 위해 실시하였다. 20ng VEGF가 함유된 펠렛을 이식하여 혈관신생을 유도하였다. 안과 검사후 정상적인 각막을 가진 Sprague-Dawley 랫드의 안구 60안을 이용하여 각 20안씩 무작위로 선정하여 대조군(비투약군), As₂O₃군(50mg/kg As₂O₃, 경구투여, 1일 1회), 그리고 As₄O/sub 6/군(50mg/kg As₄O/sub 6/, 경구투여, 1일 1회)으로 나누어 실시하였다. 이식이 완료된 후, 신생혈관의 개수, 길이 및 신생혈관의 각도를 미세수술현미경하에서 이식 3일째부터 9일째까지 매일 검사하였다. 신생혈관의 넓이는 신생혈관의 길이와 각도를 수학적인 공식에 적용하여 계산하였다. 실험 기간동안 As₄O/sub 6/군의 신생혈관 개수, 길이, 각도 및 넓이가 대조군과 As₂O₃군에 비하여 유의성 있게 억압되었다. (P<0.05). 이러한 결과 As₄O/sub 6/는 랫드 각막에서 VEGF에 의해 유도된 신생혈관에 As₂O₃보다 더 뛰어난 억제효과를 가지고 있음을 보여주었다.
The electrical properties and stability of Pr$_{6}$/O$_{11}$-based ZnO wvaristors consisting of ZnO-Pr$_{6}$/O$_{11}$-CoO-Dy$_{2}$/O$_{3}$ based ceramics were investigated in the Dy$_{2}$/O$_{3}$ additive content range o 0.0 to 2.0 mol%. The density was nearly constant 5.62 g/cm$^3$corresponding to 97% of theoretical density as Dy$_{2}$/O$_{3}$ additive content increases up to 0.5 mol%. However the density decreased as Dy$_{2}$/O sub 3/ additive content is further additive content. Pr$_{6}$/O$_{11}$-based ZnO varistors doped with 0.5mol% Dy$_{2}$/O$_{3}$ exhibited a good nonlinearity, which is 37.76 in the nonlinear exponent and 5.36 $mutextrm{A}$ in the leakage current. And they exhibited very stress (0.80 V$_{1mA}$/9$0^{\circ}C$/12h)+(0.85 V$_{1mA}$/115$^{\circ}C$/12h)+(0.95 V$_{1mA}$/1$25^{\circ}C$/12h). Consequently it was estimated that ZnO-0.5 mol% Pr$_{6}$/O$_{11}$-1.0 mol% CoO-0.5 mol% Dy$_{2}$/O$_{3}$ based ceramics will be sufficiently used as a basic composition to develop the advanced Pr$_{6}$/O$_{11}$-based ZnO varistors in the future.he future.uture.he future.
In order to determine the standard composition of ZnO varistor with higher nonlinearity, various contents of $MnO_2$, $Co_2O_3$ were added to ZnO-1.0m/o $Bi_2O_3$ system. Also, samples that contained small amount of Sb, Si-oxides in standard composition determined before were fabricated. As a result, the standard composition of higher nonlinearity-oriented ZnO varistor was shown as ZnO-1.0 m/o $Bi_2O_3$-1.0m/o $MnO_2$-1.0m/o $Co_2O_3$ and $Sb_2O_3$ largely enhanced nonlinear exponent and nonlinear resistance, hut SiO largely enhanced nonlinear exponent only.
Zinc oxide is metal oxide semiconductor with the 3.37 eV bandgap energy. Zinc oxide is very attractive materials for many application fields. Zinc Oxide has many advantages such as high conductivity and good transmittance in visible region. Also it is cheaper than other semiconductor materials such as indium tin oxide (ITO). Therefore, ZnO is alternative material for ITO. ZnO is attracting attention for its application to transparent conductive oxide (TCO) films, surface acoustic wave (SAW), films bulk acoustic resonator (FBAR), piezoelectric materials, gas-sensing, solar cells and photocatalyst. In this study, we synthesized ZnO nanoparticles and defined their physical and chemical properties. Also we studied about the application of ZnO nanoparticles as a photocatalyst and try to find a enhancement photocatalytic activity of ZnO nanorticles.. We synthesized ZnO nanoparticles using spray-pyrolysis method and defined the physical and optical properties of ZnO nanoparticles in experiment I. When the ZnO are exposed to UV light, reduction and oxidation (REDOX) reaction will occur on the ZnO surface and generate O2- and OH radicals. These powerful oxidizing agents are proven to be effective in decomposition of the harmful organic materials and convert them into CO2 and H2O. Therefore, we investigated that the photocatalytic activity was increased through the surface modification of synthesized ZnO nanoparticles. In experiment II, we studied on the stability of ZnO nanoparticles in water. It is well known that ZnO is unstable in water in comparison with TiO2. Zn(OH)2 was formed at the ZnO surface and ZnO become inactive as a photocatalyst when ZnO is present in the solution. Therefore, we prepared synthesized ZnO nanoparticles that were immersed in the water and dried in the oven. After that, we measured photocatalytic activities of prepared samples and find the cause of their photocatalytic activity changes.
한국해양정보통신학회 2004년도 SMICS 2004 International Symposium on Maritime and Communication Sciences
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pp.57-59
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2004
The melting temperature and critical temperature (Tc) of YBa$_2$Cu$_3$Ox with deferent content impurities of PbO and BaPbO$_3$ were studied. When the PbO was used as addition in YBa$_2$Cu$_3$Ox, although the melting point could be reduced, the superconductivity (the transition wide, ΔTc) became poor. From the XRD pattern of the sintered mixture of YBa$_2$Cu$_3$Ox and PbO it was known that there is a reaction between YBa$_2$Cu$_3$Ox and PbO, and the product is BaPbO$_3$. In the process of the reaction the superconducting phase of YBa$_2$Cu$_3$Ox was decreased and in the sample BaPbO$_3$became the main phase. Therefore the superconductivity was reduced. BaPbO$_3$was chosen as the impurity for the comparative study. The single phase BaPbO$_3$was synthesized by the simple way from both mixtures of BaPbO$_3$and PbO, BaPbO$_3$and PbO$_2$. Deferent contents of BaPbO$_3$(10%, 20%, 30%) were added in the YBa$_2$Cu$_3$Ox. By the phase analysis in the XRD patterns it was proved that there were not reactions between YBa$_2$Cu$_3$Ox and BaPbO$_3$. When BaPbO$_3$was used as impurity in YBa$_2$Cu$_3$Ox the superconductivity was much better than PbO as impurity in YBa$_2$Cu$_3$Ox But the melting point of YBa$_2$Cu$_3$Ox with BaPbO$_3$could not be found when the temperature was lower than 1000 $^{\circ}C$ in the DTA measurement.
Vibrio cholerae non-O1 49균주와 V. Vibrio cholerae non-O1, V. mimicus, V. vulnificus와 V. parahaemolyticus의 균체 지방산(fatty acid methyl ester; FAME)을 gas liquid chromatogrphy로 분석하였다. 이들 분석자료를 통계학적으로 처리하여 Vibrio 종과 V. cholerae의 혈청형별 유연성을 비교 검토하였다. 검출된 지방산은 모두 41종이었고 분포량이 많은 것은 16:0, 16:1 cis 9, 18:1 trans 9/16/cis 11과 15:0 iso 2 OH/16:1 cis 9였다. 검출된 지방산 중에서 35종은 V. cholerae를 동정하는데 주요한 인자로 작용되었다 지방산분포를 UPGMA(비가중수리분석)으로 dendrogram을 작성한 결과 V. cholerae non-O!은 V. cholerae O1보다 V. choleare non-O1 중에서 O2, O5, O8, O10, O14, O27, O37, O39, O45와 O69의 총 10종류 혈청을 대상으로 지방산 조성에 의한 유사성을 검토한 결과 유사도가 92% 이상 수준에서 7개의 아종을 형성하여 혈청형과 지방산 조성간에는 유의할 만한 상관관계가 있었다. 따라서 V. cholerae non-O1의 동정 및 역학적인 조사시 지방산 분석은 유용하게 활용될수 있음을 알 수 있다.
We studied indium-doped zinc oxide (IZO) film grown by atomic layer deposition (ALD) as transparent conductive oxide (TCO). A variety of TCO layer, such as ZnO:Al (AZO), InSnO2(ITO), Zn (O,S) etc, has been grown by various method, such as ALD, chemical vapor deposition (CVD), sputtering, laser ablation, sol-gel technique, etc. Among many deposition methods, ALD has various advantages such as uniformity of film thickness, film composition, conformality, and low temperature deposition, as compared with other techniques. In this study, we deposited indium-doped zinc oxide thin films using diethyl[bis(trimethylsilyl)amido]indium [Et2InN(TMS)2] as indium precursor, DEZn as zinc precursor and H2O as oxidant for ALD and investigated the optical and electrical properties of IZO films. As an alternative, this liquid In precursor would has several advantages in indium oxide thin-film processes by ALD, especially for low resistance indium oxide thin film and high deposition rate as compared to InCp, InCl3, TMIn precursors etc. We found out that Indium oxide films grown by Et2InN(TMS)2 and H2O precursor show ALD growth mode and ALD growth window. We also found out the different growth rate of Indium oxide as the substrate and investigated the effect of the substrate on Indium oxide growth.
The $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ multilayered structure for the transparent electrodes in plasma display panel was designed by essential macleod program (EMP) and the multilayered film was deposited on a glass substrate by direct-current (DC)/radio-frequency (RF) magnetron sputtering system. During film deposition process, the Ag layer in $TiO_2$/Ag/$TiO_2$ structure became oxidized and the filter characteristic was degraded easily. In this study, ZnS layer was adopted as a diffusion blocking layer between $TiO_2$ and Ag to prevent the oxidation of Ag layer efficiently in $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ structure. Based on the AES depth profiling analysis, the Ag layer was effectively protected by the ZnS layer as compared with the $TiO_2$/Ag/$TiO_2$ multilayered films without ZnS as an antioxidant layer. The 3 times stacked $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ films have low sheet resistance of $1.22{\Omega}/{\square}$ and luminous transmittance was as high as 62% in the visible ranges.
본 연구에서는 졸-겔 방법으로 란타늄 갈륨 산화물(LaGaO) 용액을 제조하였다. 브러시 코팅 공정을 이용해서 기판에 용액을 코팅한 후 경화온도를 변화시켜 LaGaO 박막을 간단하게 형성함으로써, 액정디스플레이 산업에서 사용하는 액정 배향막으로서의 적용 가능성을 확인하였다. 편광 광학 현미경 관찰을 통해 LaGaO 박막의 경화온도가 높아짐에 따라 균일하게 액정분자가 정렬되는 것을 확인할 수 있었다. 230℃로 경화된 LaGaO 박막에서 낮은 선경사각을 가지며, 원자현미경을 통해 단일 방향으로 LaGaO 입자가 형성됨을 확인하였다. X-선 광전자 분광법을 통해 LaGaO 금속산화물 박막이 잘 형성됨을 알 수 있었다. 최종적으로 높은 광학 투과율과 함께 우수한 전기·광학적 특성이 나타남으로써 LaGaO 금속산화물이 신규 액정 배향막 소재로서의 가능성이 있음을 확인하였다.
It has been reported that a biocement obtained by mixing CaO-SiO2-P2O5 glass powder and ammonium phosphate solution has biocompatibility as well as high strength. However, the compositional dependence on its hardening and hydroxyapatite formation phenomena has not been studied. Therefore, the main objective of this work is to study the effects of P2O5, MgO in CaO-SiO2 system glass on the hardening and hydroxyapatite formation. When more than 50 mole% of CaO containing CaO-SiO2 glasses was reacted with ammonium phosphate solution, CaNH4PO4.H2O crystal was formed, but the glass with less than 50 mol% of CaO formed (NH4)2HPO4 and NH4H2PO4 crystals which are derived from ammonium phosphate solution without reacting with the glasses. As the amount of P2O5 in CaO-SiO2-P2O5 glass system was increased, the formation of CaNH4PO4.H2O crystal was enhanced. When those hardened samples were reacted with tris-buffer solution, hydroxyapatite was obtained only for the sample with CaNH4PO4.H2O. While the substitution of MgO for CaO decreased the formation of CaNH4PO4.H2O crystal. MgNH4PO4.H2O crystla was formed in high MgO containing glass, which did not react with tris-buffer solution.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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